O le silicon carbide substrate ua vaevaeina i semi-insulating ituaiga ma conductive ituaiga. I le taimi nei, o le faʻamatalaga autu o semi-insulated silicon carbide substrate oloa e 4 inisi. I le maketi silicon carbide conductive, o le mea o loʻo iai nei faʻamatalaga o mea faʻapipiʻi e 6 inisi.
Ona o talosaga i lalo i le fanua RF, semi-insulated SiC substrates ma epitaxial mea e noatia i le auina atu i fafo pulea e le US Department of Commerce. Semi-insulated SiC e fai ma substrate o le mea e sili ona fiafia i ai mo le GaN heteroepitaxy ma o loʻo i ai faʻamoemoega faʻaoga taua ile microwave field. Pe a faatusatusa i le tioata le fetaui o le safaira 14% ma le Si 16.9%, o le tioata le fetaui o mea SiC ma GaN e na o le 3.4%. Faʻatasi ma le ultra-high thermal conductivity o le SiC, O le maualuga o le malosi faʻaleleia o le LED ma le GaN maualuga ma le maualuga o masini microwave na saunia e maua ai le lelei tele i le radar, masini microwave maualuga ma le 5G fesoʻotaiga.
O le su'esu'ega ma le atina'eina o semi-insulated SiC substrate o lo'o avea pea ma taula'iga o su'esu'ega ma atina'e o SiC ma'a tioata tasi. E lua fa'afitauli tetele i le fa'atupuina o mea fa'amea SiC semi-insulated:
1) Faʻaitiitia le faʻaleagaina o le N foaʻi na faʻaalia e le graphite crucible, faʻapipiʻiina o le vevela ma le doping i le paʻu;
2) Aʻo faʻamautinoaina le lelei ma le eletise o le tioata, o se nofoaga tutotonu loloto e faʻafeiloaʻi e totogi ai mea leaga papaʻu o totoe i le eletise.
I le taimi nei, o le au gaosiga o loʻo i ai le gaosiga o le SiC semi-insulated e tele lava SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
O le tioata SiC conductive e maua e ala i le tuiina o le nitrogen i totonu o le siosiomaga tuputupu aʻe. Conductive silicon carbide substrate e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga o masini eletise, masini eletise eletise eletise maualuga, maualuga o loʻo i ai nei, maualuga le vevela, maualuga taimi, maualalo maualalo ma isi tulaga tulaga ese, o le a faʻaleleia atili ai le faʻaogaina o loʻo i ai nei o masini eletise eletise malosi. fa'aliliuga lelei, o lo'o i ai se aafiaga taua ma mamao i luga o le fanua o le fa'aliliuina lelei o le malosi. O vaega autu o talosaga o taavale eletise / faʻapipiʻi faʻaputu, photovoltaic fou malosi, nofoaafi feʻaveaʻi, smart grid ma isi. Talu ai ona o le pito i lalo o oloa faʻataʻitaʻiga e masani lava o masini eletise i taavale eletise, photovoltaic ma isi fanua, o le faʻamoemoega o talosaga e lautele atu, ma e sili atu le tele o tagata gaosi oloa.
Silicon carbide ituaiga tioata: O le fausaga masani o le sili 4H crystalline silicon carbide e mafai ona vaevaeina i ni vaega se lua, o le tasi o le kupita silicon carbide tioata ituaiga o sphalerite structure, ua taʻua o le 3C-SiC poʻo le β-SiC, ma le isi o le hexagonal. poʻo le fausaga taimane o le fausaga vaitaimi tele, lea e masani o 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC, ma isi, faʻatasi e taʻua o le α-SiC. 3C-SiC o loʻo i ai le lelei o le maualuga o le resistivity i masini gaosiga. Ae ui i lea, o le maualuga o le le fetaui i le va o Si ma SiC lattice constants ma le faʻalauteleina o le vevela e mafai ona oʻo atu ai i le tele o faʻafitauli i le 3C-SiC epitaxial layer. 4H-SiC e tele le gafatia i le gaosiga o MOSFETs, ona o lona tuputupu aʻe tioata ma epitaxial layer tuputupu aʻe faagasologa e sili atu ona lelei, ma i tulaga o le eletise eletise, 4H-SiC e maualuga atu nai lo le 3C-SiC ma le 6H-SiC, e maua ai le sili atu o le microwave uiga mo le 4H. -SiC MOSFETs.
Afai e iai se solitulafono, fa'afeso'ota'i tape
Taimi meli: Iul-16-2024