O le substrate silicon carbide ua vaevaeina i le ituaiga semi-insulating ma le ituaiga conductive. I le taimi nei, o le faʻamatalaga autu o oloa substrate silicon carbide semi-insulated e 4 inisi. I le maketi conductive silicon carbide, o le faʻamatalaga autu o oloa substrate i le taimi nei e 6 inisi.
Ona o faʻaoga i lalo ifo i le fanua RF, o mea faʻapipiʻi SiC semi-insulated ma mea epitaxial e pulea le auina atu i fafo e le Matagaluega o Fefaʻatauaʻiga a Amerika. O le SiC semi-insulated o se mea faʻapipiʻi o le mea e sili ona manaʻomia mo le GaN heteroepitaxy ma e iai ona faʻamoemoega taua mo le faʻaaogaina i le fanua microwave. Pe a faʻatusatusa i le le fetaui o le tioata o le safaira 14% ma le Si 16.9%, o le le fetaui o le tioata o mea SiC ma GaN e naʻo le 3.4%. Faʻatasi ai ma le maualuga o le conductivity thermal o le SiC, O le maualuga o le lelei o le eletise LED ma le GaN maualuga le televave ma masini microwave maualuga na saunia e iai ni faʻamanuiaga tetele i le radar, masini microwave maualuga le malosi ma faiga fesoʻotaʻiga 5G.
O suʻesuʻega ma atinaʻeina o le semi-insulated SiC substrate sa avea pea ma taulaʻiga o suʻesuʻega ma atinaʻeina o le SiC single crystal substrate. E lua faigata tetele i le totoina o mea SiC semi-insulated:
1) Fa'aitiitia le N donor elelave na fa'aofi mai e le graphite crucible, thermal insulation adsorption ma le doping i le efuefu;
2) A'o fa'amautinoa le lelei ma meatotino eletise o le tioata, e fa'aofiina se ogatotonu loloto e fa'afetaui ai mea leaga o lo'o totoe i le tulaga papa'u i gaioiga eletise.
I le taimi nei, o kamupani gaosi oloa e iai le gafatia e gaosia ai le SiC e le'i fa'avevela tele o le SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, ma Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
O le tioata SiC e fa'asu'i ai le eletise e maua mai le fa'asusuina o le nitrogen i totonu o le ea tuputupu a'e. O le mea e fa'aaogaina ai le silicon carbide substrate e fa'aaogaina tele i le gaosiga o masini eletise, masini eletise silicon carbide e maualuga le voltage, maualuga le tafe, maualuga le vevela, maualuga le televave, maualalo le leiloa ma isi fa'amanuiaga tulaga ese, o le a fa'aleleia atili ai le fa'aaogaina o masini eletise e fa'avae i luga o le silicon i le lelei o le liua o le malosi, e iai sona aafiaga tele ma lautele i le matata o le liua lelei o le malosi. O vaega autu o lo'o fa'aaogaina o ta'avale eletise/fa'aputuga fa'atumu, malosiaga fou photovoltaic, felauaiga i luga o nofoaafi, smart grid ma isi mea fa'apena. Talu ai o le vaega o oloa fa'asu'i e tele lava ina fa'aaogaina i ta'avale eletise, photovoltaic ma isi matata, e lautele atu le avanoa e fa'aaogaina ai, ma e tele atu fo'i kamupani gaosi oloa.
O le ituaiga tioata silicon carbide: O le fausaga masani o le sili ona lelei o le 4H crystalline silicon carbide e mafai ona vaevaeina i ni vaega se lua, o le tasi o le cubic silicon carbide crystal ituaiga o le sphalerite structure, e taʻua o le 3C-SiC poʻo le β-SiC, ma le isi o le hexagonal poʻo le taimane structure o le large period structure, lea e masani ai le 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC, ma isi, e taʻua faʻatasi o le α-SiC. O le 3C-SiC e iai le lelei o le maualuga o le resistivity i masini gaosi. Peitaʻi, o le maualuga o le le fetaui i le va o le Si ma le SiC lattice constants ma le thermal expansion coefficients e mafai ona oʻo atu ai i le tele o faʻaletonu i le 3C-SiC epitaxial layer. O le 4H-SiC e iai le gafatia tele i le gaosiga o MOSFETs, aua o lona tuputupu aʻe o le tioata ma le tuputupu aʻe o le epitaxial layer processes e sili atu ona lelei, ma i tulaga o le electron mobility, o le 4H-SiC e maualuga atu nai lo le 3C-SiC ma le 6H-SiC, e maua ai uiga sili atu o le microwave mo le 4H-SiC MOSFETs.
Afai e iai se soliga, tape le fa'afeso'ota'iga
Taimi na lafoina ai: Iulai-16-2024