O le Silicon carbide (SiC) e lē gata o se tekinolosi taua mo le puipuiga o le atunuʻu ae o se mea taua foʻi mo pisinisi taʻavale ma le malosi i le lalolagi atoa. I le avea ai ma laʻasaga muamua taua i le faʻagasologa o le SiC single-crystal, o le tipiina o le wafer e fuafua saʻo ai le lelei o le faʻamama ma le faʻapulusaina mulimuli ane. O auala masani o tipiina e masani ona faʻatupuina ai ni māvaevae i luga ma lalo o le fogaeleele, ma faʻateleina ai le fua faatatau o le māvaevae o le wafer ma tau o gaosiga. O le mea lea, o le puleaina o le faʻaleagaina o māvaevae i luga e taua tele mo le faʻaleleia atili o le gaosiga o masini SiC.
I le taimi nei, o le tipiina o le SiC ingot o loʻo feagai ma ni luʻitau tetele se lua:
- Le tele o mea e leiloa i le tipiina masani o uaea e tele:O le matuā ma'a'a ma le faigofie ona gau o le SiC e faigofie ai ona pi'o ma māvaevae i le taimi e tipi ai, oloina, ma fa'apulusina. E tusa ai ma fa'amaumauga a Infineon, o le tipiina masani o uaea e tele ua fa'apipi'iina i le taimane-resin e na'o le 50% o le fa'aaogaina o meafaitino i le tipiina, ma le aofa'i atoa o le gau o le uaea e tasi e o'o atu i le ~250 μm pe a uma ona fa'apulusina, ma e na'o le itiiti lava o meafaitino e mafai ona fa'aaogaina.
- Le lelei maualalo ma umi taamilosaga gaosiga:O fuainumera o gaosiga faavaomalo e faaalia ai o le gaosia o le 10,000 wafers e faaaoga ai le 24-itula o le sawing multi-wire e alu ai le ~273 aso. O lenei metotia e manaomia ai le tele o masini ma mea e faaaogaina ae e mafua ai le tele o le maaa o le fogaeleele ma le filogia (pefu, otaota vai).
I le foia o nei faafitauli, ua atiae e le au a Polofesa Xiu Xiangqian i le Iunivesite o Nanjing ni masini tipi laser sa'o maualuga mo le SiC, e faaaoga ai le tekinolosi laser vave tele e faaitiitia ai faaletonu ma faaleleia atili ai le gaosiga. Mo se ingot SiC 20-mm, o lenei tekinolosi e faaluaina ai le fua o le wafer pe a faatusatusa i le tipiina o uaea masani. E le gata i lea, o wafer tipi laser e faaalia ai le tutusa lelei o le geometric, e mafai ai ona faaitiitia le mafiafia i le 200 μm i le wafer ma faateleina atili ai le gaosiga.
Fa'amanuiaga Autū:
- Ua mae'a su'esu'ega ma atina'e (R&D) i masini fa'ata'ita'i tetele, ua fa'amaonia mo le tipiina o u'amea SiC e 4–6-inisi le umi e fa'avevela ai le ea ma u'amea SiC e 6-inisi le umi e fa'avevela ai le ea.
- O lo'o fa'amaonia le tipiina o le ingot e 8-inisi.
- Pu'upu'u tele le taimi e tipi ai, maualuga atu le gaosiga fa'aletausaga, ma le >50% fa'aleleia atili o le seleselega.
O le XKH's SiC substrate o le ituaiga 4H-N
Avanoa o le Maketi:
O lenei meafaigaluega ua sauni e avea ma fofo autū mo le tipiina o le 8-inisi SiC ingot, o loʻo pulea nei e Iapani mai fafo ma tau maualuga ma faʻatapulaʻaina le auina atu i fafo. O le manaʻoga i totonu o le atunuʻu mo meafaigaluega tipi/faʻamamago laser e sili atu i le 1,000 iunite, ae leai ni isi auala ua gaosia i Saina. O tekinolosi a le Iunivesite o Nanjing e tele lona taua i le maketi ma le gafatia tau tamaoaiga.
Fetuutuunaʻiga i Meafaitino e Tele:
E le gata i le SiC, e lagolagoina fo'i e le masini le fa'agasologaina o le gallium nitride (GaN), aluminum oxide (Al₂O₃), ma le taimane, ma fa'alauteleina ai ana fa'aoga fa'apisinisi.
I le suia o le faagasologa o le SiC wafer, o lenei mea fou e foia ai faafitauli taua i le gaosiga o semiconductor a'o ogatasi ma aga masani a le lalolagi agai i mea e maualuga le faatinoga ma lelei le faaaogaina o le malosi.
Faaiuga
I le avea ai ma se taʻitaʻi i le gaosiga o mea e faʻaaogaina ai le silicon carbide (SiC), e faʻapitoa le XKH i le tuʻuina atu o mea e faʻaaogaina ai le SiC e 2-12-inisi le lapoʻa (e aofia ai le ituaiga 4H-N/SEMI, ituaiga 4H/6H/3C) e faʻapitoa mo vaega e tuputupu aʻe tele e pei o taʻavale eletise fou (NEV), teuina o le eletise photovoltaic (PV), ma fesoʻotaʻiga 5G. Faʻaaogaina le tekinolosi tipiina o le wafer lapoʻa ma le tekonolosi faʻagasologa saʻo maualuga, ua matou ausia ai le gaosiga tele o mea e faʻaaogaina ai le 8-inisi ma ni alualu i luma i le tekinolosi tuputupu aʻe o le tioata SiC e 12-inisi le conductive, ma faʻaitiitia ai tau o le chip i le iunite. I le agai i luma, o le a matou faʻaauau pea ona faʻaleleia atili le tipiina o le laser i le tulaga o le ingot ma faiga faʻatonutonu atamai o le atuatuvale e faʻaleleia atili ai le fua o le substrate e 12-inisi i tulaga tauva i le lalolagi atoa, faʻamalosia le alamanuia SiC i totonu o le atunuʻu e talepe ai monopolies faavaomalo ma faʻavavevave ai faʻaoga faʻateleina i vaega maualuluga e pei o chips o taʻavale ma sapalai eletise a le AI server.
O le XKH's SiC substrate o le ituaiga 4H-N
Taimi na lafoina ai: Aokuso-15-2025