Manatu Autu mo le Fausiaina o Silikoni Carbide (SiC) Ma'ale'ale Tu'atasi
O auala autu mo le fa'atupuina o tioata ta'itasi carbide silikoni e aofia ai Femalaga'iga Ausa Fa'aletino (PVT), Fa'atupuina Fofo Sili (TSSG), ma High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD).
Faatasi ai ma nei mea, o le auala PVT ua avea ma auala autu mo le gaosiga o fale gaosi oloa ona o lona setiina o meafaigaluega faigofie, faigofie o le faʻaogaina ma le pulea, ma le maualalo o meafaigaluega ma tau faʻagaioiga.
Manatu Fa'ainisinia Autu ole SiC Crystal Growth Fa'aaogāina ole PVT Method
Mo le fa'atupuina o tioata carbide silicon e fa'aaoga ai le metotia PVT, e tele vaega fa'apitoa e tatau ona fa'atonutonu lelei:
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Mama'a o Mea Fa'aKafite i le Fa'a vevela
O mea graphite o loʻo faʻaaogaina i le faʻalauteleina o tioata vevela fanua e tatau ona faʻafetaui manaoga mama atoatoa. O mea le mama i totonu o vaega graphite e tatau ona i lalo ole 5 × 10⁻⁶, ma mo faʻamaʻi faʻafefe i lalo ole 10 × 10⁻⁶. Aemaise lava, o mea o loʻo i totonu o le boron (B) ma le alumini (Al) e tatau ona i lalo ifo o le 0.1 × 10⁻⁶. -
Fa'asa'o Polarity o Seed Crystal
O faʻamatalaga faʻapitoa e faʻaalia ai o le C-face (0001) e talafeagai mo le faʻatupulaia o tioata 4H-SiC, ae o le Si-face (0001) e talafeagai mo le tuputupu aʻe o le 6H-SiC. -
Fa'aaogāga Va'aiga Fa'ato'aga Fa'ato'aga
E mafai e fatu fa'ato'a ese ona suia le fa'atusa o le tuputupu a'e, fa'aitiitia fa'aletonu tioata, ma fa'aleleia atili le lelei o le tioata. -
Fa'atuatuaina Fuga Fa'amauina Fa'ama'i
O le pipii lelei i le va o le tioata fatu ma le mea o loʻo uuina e taua mo le mautu i le taimi o le tuputupu aʻe. -
Fa'atumauina le Mausalī o le Fa'atuputupula'ia o Fesootaiga
I le taimi atoa o le taamilosaga tuputupu aʻe tioata, e tatau ona tumau le atinaʻe o le tuputupu aʻe ina ia mautinoa le atinaʻeina o tioata maualuga.
Tekinolosi Autu ile SiC Crystal Growth
1. Tekinolosi Doping mo SiC Powder
Doping SiC paʻu ma cerium (Ce) e mafai ona faʻamautu le tuputupu aʻe o se polytype e tasi e pei ole 4H-SiC. O fa'ata'ita'iga ua fa'aalia ai o le Ce doping e mafai ona:
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Faʻateleina le tuputupu aʻe o tioata SiC;
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Faʻaleleia le faʻataʻitaʻiga tioata mo le faʻalauteleina o le toniga ma le faʻatonuga;
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Faʻaitiitia mea leaga ma faʻaletonu;
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Taofi le pala o le tioata i tua;
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Faʻaleleia le fua faʻatatau tioata tasi.
2. Puleaina o Axial ma Radial Thermal Gradients
Axial vevela gradients aafia ai le tioata polytype ma fua o le tuputupu ae. O se kesi e la'ititi tele e mafai ona o'o atu ai i fa'aulufalega polytype ma fa'aitiitia ai le felauaiga o meafaitino i le vaega ausa. O le fa'asiliina uma o fa'alili axial ma radial gradients e taua tele mo le tuputupu a'e tioata vave ma mautu ma le lelei faifaipea.
3. Fa'atekonolosi Fa'atonuga o le Va'alele Basal (BPD).
O BPD e mafua ona o le mamafa o le sele e sili atu i le tulaga taua i tioata SiC, faʻagaoioia faiga faʻaseʻe. Talu ai o BPD e faʻatatau i le tuputupu aʻe, e masani ona tulaʻi mai i le taimi o le tuputupu aʻe tioata ma le malulu. O le faʻaitiitia o le faʻalavelave i totonu e mafai ona faʻaitiitia ai le mamafa o le BPD.
4. Vapor Phase Composition Ratio Pulea
O le faʻateleina o le carbon-to-silicon ratio i le vaʻa vaʻa o se auala faʻamaonia mo le faʻalauiloaina o le tuputupu aʻe polytype tasi. O le maualuga o le C / Si ratio e faʻaitiitia ai le faʻapipiʻiina o le macrostep ma faʻatumauina le tofi mai le fatu tioata, ma faʻafefe ai le faʻavaeina o polytypes e le manaʻomia.
5. Fa'ata'ita'iga Fa'atupula'ia Fa'atiga
O le fa'alavelave i le tuputupu a'e tioata e mafai ona o'o atu ai i va'a lattice piopio, ta'eta'ei, ma le maualuga o le BPD. O nei fa'aletonu e mafai ona sosolo atu ile epitaxial layers ma fa'aletonu le fa'atinoina o masini.
O nisi o taʻiala e faʻaitiitia ai le faʻalavelave tioata i totonu e aofia ai:
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Fetuuna'i le tufatufaina atu o fanua vevela ma fa'agasologa fa'agasologa e fa'alauiloa ai le tuputupu a'e latalata i le paleni;
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Fa'ata'ita'iina o le mamanu fa'atau e fa'ataga ai le tioata e ola sa'oloto e aunoa ma se fa'alavelave fa'ainisinia;
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Fa'aleleia o le fa'atulagaina o fatu e fa'aitiitia ai le fa'alauteleina o le vevela e le fetaui i le va o le fatu ma le kalafi i le taimi o le fa'amafanafanaina, e masani lava i le tu'u ai o se va 2 mm i le va o le fatu ma le fa'amau;
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Fa'amama fa'agasologa, fa'ataga le tioata e mālūlū i le ogaumu, ma fetu'una'i le vevela ma le umi e fa'amama atoatoa ai le fa'alavelave i totonu.
Tulaga i SiC Crystal Growth Tekonolosi
1. Tele tioata tetele
SiC tasi tioata tioata ua faateleina mai na o ni nai milimita i le 6-inisi, 8-inisi, ma e oo lava i 12-inisi masipi. O fafie tetele e faʻamalosia ai le gaosiga lelei ma faʻaititia le tau, aʻo faʻafeiloaʻi manaʻoga o masini eletise maualuga.
2. Tulaga Sili Crystal
O tioata SiC maualuga maualuga e manaʻomia mo masini maualuga. E ui lava i le tele o faʻaleleia, o tioata o loʻo iai nei o loʻo faʻaalia pea faaletonu e pei o micropipes, dislocations, ma mea le mama, o ia mea uma e mafai ona faʻaleagaina ai le faʻaogaina o masini ma le faʻamaoni.
3. Fa'aitiitiga o tau
Ole gaosiga ole tioata SiC e taugata tele, faʻatapulaʻaina le vaʻaia lautele. Fa'aititia o tau e ala i le fa'asiliina o fa'agasologa o le tuputupu a'e, fa'ateleina le lelei o le gaosiga, ma le fa'aititia o tau o meafaitino e taua tele mo le fa'alauteleina o talosaga tau maketi.
4. Gaosiga Atamai
Faatasi ai ma le alualu i luma i le atamai faʻapitoa ma tekinolosi faʻamatalaga tetele, o le tuputupu aʻe tioata SiC o loʻo agai atu i le atamai, faiga faʻapitoa. E mafai ona mata'itu ma fetuutuuna'i tulaga o le tuputupu a'e i le taimi tonu, fa'aleleia atili le mautu o le faagasologa ma le va'aia. E mafai e au'ili'iliga o fa'amaumauga ona fa'asilisiliina fa'asologa o fa'agasologa ma tulaga lelei tioata.
O le atinaʻeina o tekonolosi maualuga SiC tasi tioata tuputupu aʻe o se taulaiga tele i suʻesuʻega mea semiconductor. A o agaʻi i luma tekinolosi, o le a faʻaauau pea ona faʻaleleia ma faʻaleleia auala faʻasolosolo tioata, e tuʻuina atu ai se faavae mautu mo talosaga SiC i le maualuga o le vevela, maualuga, ma le maualuga o masini eletise.
Taimi meli: Iul-17-2025