Q: O a tekinolosi autu o loʻo faʻaaogaina i le SiC wafer slicing ma gaioiga?
A:Silicon carbide (SiC) e lona lua lona ma'a'a nai lo taimane ma e manatu ose mea e sili ona ma'a'a ma pala. O le faiga o le tipi, lea e aofia ai le tipiina o tioata ua tupu a'e i ni mafi manifinifi, e alu ai le taimi ma faigofie ona tipi. E pei o le laasaga muamua i totonuSiCe tasi le gaosiga tioata, o le lelei o le tipiina e matua a'afia ai le oloina mulimuli ane, polesi, ma le manifinifi. O le tipiina e masani ona faʻaalia ai taʻetaʻe luga ma lalo, faʻateleina le gau o wafer ma tau o gaosiga. O le mea lea, o le puleaina o le fa'aleagaina o luga i le taimi o le tipiina e taua tele i le faʻalauteleina o masini SiC.
O le taimi nei ua lipotia mai SiC slicing metotia e aofia ai faʻamau-abrasive, free-abrasive slicing, laser cutting, layer transfer (tuueseese malulu), ma le eletise lafoaia slicing. Faatasi ai ma nei mea, o le toe faia o le tele-uaea slicing ma abrasives taimane tumau o le auala sili ona faʻaaogaina mo le faʻaogaina o tioata tasi SiC. Ae ui i lea, a oʻo atu le tele o ingot i le 8 inisi ma luga atu, ua faʻaitiitia le faʻaogaina o le uaea masani ona o le maualuga o manaʻoga meafaigaluega, tau, ma le maualalo o le lelei. O loʻo i ai se manaʻoga faʻanatinati mo le taugofie, maualalo le leiloa, maualuga le faʻaogaina o tekinolosi faʻapolopolo.
Q: O le a le lelei o le tipiina leisa i luga o le tipiina tele-uaea masani?
A:O le ili uaea masani tipi leSiC ingoti luga o se itu patino i fasi pepa e tele selau microns mafiafia. Ona fa'apalapala lea o fasipepa e fa'aaoga ai slurries taimane e aveese ai fa'ailoga ili ma fa'aleagaina i lalo, soso'o ai ma le fa'apolopolo fa'ainisinia (CMP) e ausia ai le fa'avasegaina o le lalolagi, ma fa'amama fa'amama e maua ai siC wafers.
Ae ui i lea, ona o le maualuga o le maaa ma le malepelepe o le SiC, o nei laasaga e faigofie ona mafua ai le paʻu, taʻe, faʻateleina le gau, maualuga le tau o gaosiga, ma iʻu ai i le maualuga o le eleele ma le faʻaleagaina (pefu, otaota, ma isi). E le gata i lea, o le ili uaea e telegese ma e maualalo le fua. Ua fa'aalia i tala fa'atatau e na'o le 50% le fa'aaogaina o meafaitino e maua ai le tele o uaea tipi, ma e o'o atu i le 75% o mea e leiloa pe a uma ona fa'aiila ma olo. O faʻamaumauga muamua o gaosiga mai fafo na faʻaalia ai e mafai ona alu pe tusa ma le 273 aso o le faʻaauauina o le 24-itula le gaosiga e maua ai le 10,000 wafers - e matuaʻi umi le taimi.
I totonu o le atunuʻu, o le tele o kamupani tuputupu aʻe tioata SiC o loʻo taulaʻi i le faʻateleina o le ogaumu. Ae ui i lea, nai lo le na o le faʻalauteleina o galuega, e sili atu ona taua le mafaufau pe faʻafefea ona faʻaitiitia tupe gau-aemaise lava pe a leʻo sili atu le maualuga o le tuputupu aʻe tioata.
E mafai ona matua fa'aitiitia meafaitino gau ma fa'aleleia le fua. Mo se faʻataʻitaʻiga, faʻaaogaina se tasi 20 mmSiC ingot: Uaea sawing e mafai ona maua ai 30 wafers o 350 μm mafiafia. Laser slicing e mafai ona maua ai le sili atu nai lo 50 wafers. Afai ua faaitiitia le mafiafia o le wafer i le 200 μm, e sili atu i le 80 wafers e mafai ona gaosia mai le ingot.While uaea sawing e lautele faaaogaina mo Maylic wafers 6. ave le 10-15 aso i auala masani, e manaʻomia ai meafaigaluega maualuga ma faʻatupuina tau maualuga ma maualalo le lelei. I lalo o nei tulaga, ua manino ai le lelei o le tipiina o le laser, ma avea ai ma tekonolosi i le lumanaʻi mo le 8-inisi mafolafola.
Faatasi ai ma le tipiina o le laser, o le taimi tipi i le 8-inisi wafer e mafai ona i lalo o le 20 minute, ma le leiloa o mea i le wafer i lalo ole 60 μm.
I se aotelega, pe a faʻatusatusa i le tele-wire tipi, leisa slicing e ofoina atu le saoasaoa maualuga, sili atu le maua, maualalo mea leiloa, ma le mama mama.
Q: O a lu'itau fa'apitoa fa'apitoa ile SiC laser slicing?
A: O le fa'agasologa o le fa'ailoga leisa e aofia ai ni la'asaga autu se lua: fa'aliliuga leisa ma le vavae'esega o le wafer.
O le 'autu o le suiga o le laser o le fa'avasegaina o fa'alava ma fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga. Fa'ata'ita'iga e pei o le malosi o le laser, le lautele o le va'aiga, ma le saosaoa fa'ata'ita'i e a'afia uma ai le tulaga lelei o le fa'amamaina o meafaitino ma le manuia o le vavae'esega mulimuli ane. O le geometry o le sone ua suia e iloa ai le gaoa o luga ma le faigata o le tuueseeseina. O le talatala maualuga e fa'alavelave ai le olo mulimuli ane ma fa'ateleina ai le gau.
A maeʻa suiga, e masani lava ona ausia le vavaeeseina o le wafer e ala i le faʻamalosi, e pei ole gau malulu poʻo le mamafa ole masini. O nisi faiga fa'apitonu'u e fa'aogaina ai le ultrasonic transducers e fa'aoso vibrations mo le tete'a, ae e mafai ona mafua ai le ta'ape ma fa'aletonu pito, fa'aitiitia ai le fua mulimuli.
E ui o nei laasaga e lua e le o se mea faigata, o le le tutusa i le tulaga tioata - ona o le eseese o faagasologa o le tuputupu ae, tulaga o le doping, ma le tufatufaina atu o popolega i totonu - e matua aʻafia ai le faigata o le tipi, fua, ma mea e leiloa. Na'o le fa'ailoaina o vaega fa'afitauli ma le fetu'una'iga o sone su'esu'e leisa atonu e le fa'aleleia atili ai i'uga.
O le ki i le faʻalauteleina o le vaetamaina o loʻo taoto i le atinaʻeina o metotia fou ma meafaigaluega e mafai ona faʻafetaui i le tele o uiga tioata mai le tele o gaosiga, faʻaleleia tulaga faʻatulagaina, ma le fausiaina o le laser slicing system ma faʻaoga lautele.
Q: E mafai ona fa'aoga le tekonolosi fa'alava leisa i isi mea semiconductor e ese mai le SiC?
A: Fa'atekonolosi tipi fa'asolosolo ua fa'aaogaina fa'asolopito i le tele o meafaitino. I semiconductor, sa fa'aaoga muamua mo le wafer dicing ma talu mai lena taimi ua fa'alauteleina i le tipiina o tioata tetele ta'itasi.
I tua atu o le SiC, e mafai fo'i ona fa'aoga le tipiina o le laser mo isi mea malō pe ma'ale'ale e pei o taimane, gallium nitride (GaN), ma le gallium oxide (Ga₂O₃). O suʻesuʻega muamua i nei mea ua faʻaalia ai le faʻaogaina ma le lelei o le faʻamaʻiina o le laser mo faʻaoga semiconductor.
Q: O lo'o i ai i le taimi nei tagata matutua leisa oloa slicing meafaigaluega? O le a le laasaga o lau suʻesuʻega?
A: Tele-diameter SiC leisa slicing meafaigaluega e lautele manatu meafaigaluega autu mo le lumanai o le 8-inisi SiC wafer gaosiga. I le taimi nei, e naʻo Iapani e mafai ona tuʻuina atu ia faiga, ma e taugata ma e noatia i faʻatapulaʻa faʻatau atu.
Ole mana'oga ile atunu'u mo le fa'a'ese'ese o le laser/fa'amama fa'amama fa'atatau e tusa ma le 1,000 iunite, fa'avae ile SiC fuafuaga fa'atino ma le fa'aogaina ole uaea. O kamupani tetele i totonu o le atunu'u ua tele tupe fa'aalu i le atina'e, ae leai ni masini fa'ataufale fa'atau oloa ua o'o atu i le fa'atinoina o fale gaosi oloa.
O vaega su'esu'e o lo'o fa'atupuina le fa'atekonolosi fa'asao leisa fa'apitoa talu mai le 2001 ma ua fa'alauteleina nei i le si'isi'i leisa ma le fa'amama fa'amama tele o le SiC. Ua latou fausia se faiga fa'ata'ita'i ma faiga fa'a'oti e mafai ona: tipi ma fa'ama'ifi 4-6 inisi semi-insulating SiC wafers Fa'a'a'ai 6-8 inisi SiC ingots Fa'ailoga Fa'atinoga:6-8 inisi semi-insulating SiC: ta'i tipi 10–15 minute/wafer; mea leiloa <30 μm6–8 inisi conductive SiC: tipi taimi 14-20 minute/wafer; mea e leiloa <60 μm
Fua fa'atatau ole fua ole wafer si'itia ile sili atu ile 50%
Pe a uma le tipiina, e fetaui lelei ma fa'ameamea fa'aleaganu'u tulaga fa'ale-malo pe a uma ona olo ma fa'aiila. Ua fa'ailoa mai fo'i su'esu'ega o a'afiaga fa'amama e fa'aosoina e le laser e le'o tele se a'afiaga o le fa'amamafa po'o le fa'ata'atia i totonu o faga.
O meafaigaluega lava ia na faʻaaogaina e faʻamaonia ai le mafai mo le tipiina o taimane, GaN, ma Ga₂O₃ tioata tasi.
Taimi meli: Me-23-2025