I le aso 26, na faasilasila mai ai e le Power Cube Semi le manuia o le atinaeina o le uluai semiconductor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) a Korea i Saute.
Pe a faatusatusa i semiconductors o loʻo iai nei e faʻavae i le Si (Silicon), e mafai e le SiC (Silicon Carbide) ona tatalia voltage maualuluga, o lea ua lauiloa ai o le masini o le isi tupulaga e taʻitaʻia le lumanaʻi o semiconductors eletise. E avea o se vaega taua e manaʻomia mo le faʻalauiloaina o tekinolosi faʻaonaponei, e pei o le faʻateleina o taʻavale eletise ma le faʻalauteleina o nofoaga autu o faʻamaumauga e faʻamalosia e le atamai faʻapitoa.
O le Power Cube Semi o se kamupani e leai ni masini fa'atekonolosi e atiina ae masini semiconductor eletise i vaega autu e tolu: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), ma le Ga2O3 (Gallium Oxide). Talu ai nei, na fa'aoga ma fa'atau atu ai e le kamupani ni Schottky Barrier Diodes (SBD) e maualuga le gafatia i se kamupani ta'avale eletise i le lalolagi atoa i Saina, ma maua ai le lauiloa ona o lana mamanu ma tekinolosi semiconductor.
O le fa'alauiloaina o le 2300V SiC MOSFET e mata'ina o le uluai atina'e fa'apenei i Korea i Saute. O Infineon, o se kamupani semiconductor eletise i le lalolagi atoa e fa'avae i Siamani, na fa'alauiloa fo'i le fa'alauiloaina o lana oloa 2000V ia Mati, ae e aunoa ma se laina o oloa 2300V.
O le 2000V CoolSiC MOSFET a Infineon, e faʻaaogaina ai le afifi TO-247PLUS-4-HCC, e faʻafetaui ai le manaʻoga mo le faʻateleina o le mamafa o le eletise i totonu o tagata mamanu, ma faʻamautinoa ai le faʻatuatuaina o le polokalama e tusa lava pe i lalo o tulaga faigata o le maualuga o le voltage ma le fesuiaʻiga o le televave.
O le CoolSiC MOSFET e ofoina atu se voltage feso'ota'iga tafe sa'o e maualuga atu, e mafai ai ona fa'ateleina le eletise e aunoa ma le fa'ateleina o le tafe. O le masini silicon carbide muamua lea i luga o le maketi ma se voltage malepe e 2000V, e fa'aaogaina ai le afifi TO-247PLUS-4-HCC ma se mamao e sosolo ai e 14mm ma se avanoa e 5.4mm. O nei masini e maualalo le gau o fesuia'iga ma e talafeagai mo fa'aoga e pei o inverters manoa o le la, faiga e teu ai le malosi, ma le fa'atumuina o ta'avale eletise.
O le faasologa o oloa CoolSiC MOSFET 2000V e talafeagai mo faiga pasi DC maualuga-voltage e oo atu i le 1500V DC. Pe a faatusatusa i le 1700V SiC MOSFET, o lenei masini e maua ai le avanoa e lava mo le overvoltage mo faiga 1500V DC. O le CoolSiC MOSFET e ofoina atu le 4.5V threshold voltage ma e sau faatasi ma diodes malolosi mo le fesuiaʻiga faigata. Faatasi ai ma le tekinolosi fesoʻotaʻiga .XT, o nei vaega e ofoina atu le faatinoga sili ona lelei o le vevela ma le teteʻe malosi i le susu.
I le fa’aopoopoga i le 2000V CoolSiC MOSFET, o le a vave ona fa’alauiloa e Infineon ni diode CoolSiC fa’aopoopo ua afifiina i afifi TO-247PLUS 4-pin ma TO-247-2 i le kuata lona tolu o le 2024 ma le kuata mulimuli o le 2024. O nei diode e matua’i talafeagai lava mo fa’aoga o le la. E maua fo’i tu’ufa’atasiga o oloa fa’aeletise faitoto’a e fetaui.
Ua maua nei i le maketi le faasologa o oloa CoolSiC MOSFET 2000V. E le gata i lea, ua ofoina atu e Infineon ni laupapa iloiloga talafeagai: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. E mafai e le au atia'e ona fa'aogaina lenei laupapa o se fa'avae su'ega lautele sa'o e iloilo ai CoolSiC MOSFET uma ma diodes ua fa'atulagaina i le 2000V, fa'apea fo'i ma le faasologa o oloa EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx e ala i le dual-pulse po'o le fa'aauau pea o le PWM.
Na saunoa Gung Shin-soo, o le Ofisa Sili o Tekonolosi o le Power Cube Semi, "Ua mafai ona matou fa'alauteleina lo matou poto masani o lo'o iai nei i le atina'eina ma le gaosiga tele o le 1700V SiC MOSFETs i le 2300V."
Taimi na lafoina ai: Ape-08-2024