I le aso 26th, Power Cube Semi fa'alauiloa le atina'eina manuia o le 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET semiconductor muamua a Korea i Saute.
Pe a faʻatusatusa i le Si (Silicon) faʻavae semiconductors, SiC (Silicon Carbide) e mafai ona tatalia le maualuga o voltages, o lea ua taʻua ai o le isi augatupulaga masini e taʻitaʻia ai le lumanaʻi o eletise eletise. E avea o se vaega taua e manaʻomia mo le faʻalauiloaina o tekonolosi faʻaonaponei, e pei o le faʻateleina o taʻavale eletise ma le faʻalauteleina o nofoaga autu o faʻamaumauga e faʻatautaia e le atamai faʻapitoa.
O le Power Cube Semi o se kamupani faʻasalalau e faʻatupuina masini semiconductor eletise i vaega autu e tolu: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), ma Ga2O3 (Gallium Oxide). Talu ai nei, na faʻaaogaina e le kamupani ma faʻatau atu le maualuga o le Schottky Barrier Diodes (SBDs) i se kamupani eletise eletise i le lalolagi i Saina, ma maua ai le faʻaaloalogia mo lona mamanu semiconductor ma tekinolosi.
O le tuʻuina atu o le 2300V SiC MOSFET e mataʻina e pei o le muamua faʻataʻitaʻiga faʻapitoa i Korea i Saute. Infineon, o se kamupani semiconductor eletise i le lalolagi atoa e faavae i Siamani, na faʻasalalau foi le faʻalauiloaina o lana oloa 2000V ia Mati, ae aunoa ma se laina oloa 2300V.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, faʻaaogaina le TO-247PLUS-4-HCC afifi, faʻafeiloaʻi le manaʻoga mo le faʻateleina o le eletise i le va o tagata mamanu, faʻamautinoaina le faʻatuatuaina o le polokalama e oʻo lava i lalo o le malosi maualuga ma le fesuiaiga o taimi.
O le CoolSiC MOSFET e ofoina atu le maualuga maualuga o feso'ota'iga feso'ota'iga i le taimi nei, e mafai ai ona fa'ateleina le paoa e aunoa ma le fa'ateleina o le taimi nei. O le masini faʻapipiʻi silicon carbide muamua i luga o le maketi ma le gau gau o le 2000V, faʻaaogaina le TO-247PLUS-4-HCC afifi ma le mamao o le fetolofi o le 14mm ma le kilia o le 5.4mm. O nei masini o lo'o fa'aalia ai le gau o suiga ma e talafeagai mo fa'aoga e pei o le fa'aliliuina o manoa o le la, faiga e teu ai le malosi, ma le ta'avale eletise.
O le fa'asologa o oloa CoolSiC MOSFET 2000V e talafeagai mo faiga pasi DC maualuga-voltage e o'o atu i le 1500V DC. Pe a faatusatusa i le 1700V SiC MOSFET, o lenei masini e maua ai le tele o le overvoltage mo le 1500V DC system. Ole CoolSiC MOSFET e ofoina atu le 4.5V threshold voltage ma fa'apipi'iina i diodes tino malosi mo fela'ua'iga faigata. Fa'atasi ai ma tekonolosi feso'ota'iga .XT, o nei vaega e ofoina atu le lelei tele o le fa'aogaina o le vevela ma le malosi o le susu.
I le faaopoopo atu i le 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon o le a le o toe mamao ae faʻalauiloa faʻatasi CoolSiC diodes afifi i TO-247PLUS 4-pin ma TO-247-2 afifi i le kuata lona tolu o le 2024 ma le kuata mulimuli o le 2024, faasologa. O nei diodes e fetaui lelei mo faʻaoga o le la. O lo'o avanoa fo'i tu'ufa'atasiga o oloa aveta'avale faitoto'a.
Ole fa'asologa o oloa CoolSiC MOSFET 2000V ua avanoa nei ile maketi. E le gata i lea, ua ofoina atu e Infineon laupapa su'esu'ega talafeagai: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. E mafai e le au atiaʻe ona faʻaogaina lenei laupapa e fai ma faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga faʻapitoa e iloilo uma CoolSiC MOSFETs ma diodes faʻamauina i le 2000V, faʻapea foʻi ma le EiceDRIVER faʻapipiʻi taʻavale taʻavale taʻavale taʻavale 1ED31xx faʻasologa o oloa e ala i le faʻaogaina o le PWM lua-faʻaauau.
Na taʻua e Gung Shin-soo, Ofisa Sili Tekonolosi o le Power Cube Semi, "Na mafai ona matou faʻalauteleina lo matou poto masani i le atinaʻeina ma le tele o gaosiga o 1700V SiC MOSFET i le 2300V.
Taimi meli: Apr-08-2024