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O se Taiala Atoatoa i le Silicon Carbide Wafers/SiC wafer

O le aotelega o le SiC wafer

 Wafers Silicon carbide (SiC)ua avea ma mea e sili ona filifilia mo masini eletise e maualuga le malosi, maualuga le saoasaoa, ma le vevela i vaega o taavale, malosiaga faafouina, ma vaalele. O la matou faila e aofia ai ituaiga autu ma polokalame doping—4H (4H-N) ua doped i le nitrogen, semi-insulating mama maualuga (HPSI), 3C ua doped i le nitrogen (3C-N), ma le ituaiga-p 4H/6H (4H/6H-P)—e ofoina atu i vasega lelei e tolu: PRIME (mea ua uma ona fa'apupula, masini-vasega), DUMMY (ua fa'apipi'i pe le'i fa'apupula mo fa'ata'ita'iga o le faiga), ma SU'ESU'EGA (vaega epi fa'apitoa ma fa'amatalaga doping mo R&D). O lautele o le Wafer e 2″, 4″, 6″, 8″, ma le 12″ e fetaui ma meafaigaluega tuai ma mea faigaluega fa'aonaponei. Matou te tu'uina atu fo'i ni boules monocrystalline ma ni tioata fatu ua fa'atulagaina sa'o e lagolago ai le tuputupu a'e o tioata i totonu o le fale.

O a matou wafers 4H-N e iai le tele o le avega mai le 1×10¹⁶ i le 1×10¹⁹ cm⁻³ ma le tete'e o le 0.01–10 Ω·cm, e maua ai le tele o le fe'avea'i o eletise ma le fa'aleagaina o fanua e sili atu i le 2 MV/cm—e fetaui lelei mo Schottky diodes, MOSFETs, ma JFETs. O substrates HPSI e sili atu i le 1×10¹² Ω·cm tete'e ma le tele o le micropipe e i lalo ifo o le 0.1 cm⁻², ma fa'amautinoa ai le la'ititi o le tafe mo masini RF ma microwave. O le Cubic 3C-N, e maua i le 2″ ma le 4″ formats, e mafai ai ona fa'aogaina le heteroepitaxy i luga o le silicon ma lagolagoina ai fa'aoga fou o le photonic ma le MEMS. O wafers P-type 4H/6H-P, ua fa'apipi'iina i le alumini i le 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, e fa'afaigofie ai le fa'atulagaina o masini fa'aopoopo.

O le SiC wafer, o le PRIME wafers e faia i le fa'apalapala fa'akemikolo-fa'amekanika i le <0.2 nm RMS roughness o le fogaeleele, o le eseesega atoa o le mafiafia i lalo ifo o le 3 µm, ma le bow <10 µm. O mea fa'apipi'i DUMMY e fa'avavevaveina ai su'ega fa'apotopoto ma afifiina, a'o RESEARCH wafers e iai le mafiafia o le epi-layer e 2–30 µm ma le doping fa'apitoa. O oloa uma e fa'amaonia e le X-ray diffraction (rocking curve <30 arcsec) ma le Raman spectroscopy, fa'atasi ai ma su'ega eletise—fuafuaga Hall, C–V profiling, ma le micropipe scanning—e fa'amautinoa ai le tausisia o le JEDEC ma le SEMI.

O pulu e oo atu i le 150 mm le lautele e totoina e ala i le PVT ma le CVD faatasi ai ma le mafiafia o le see atu i lalo ifo o le 1×10³ cm⁻² ma le aofaiga maualalo o micropipe. O tioata fatu e tipiina i totonu ole 0.1° mai le c-axis e faamautinoa ai le tuputupu ae e mafai ona toe gaosia ma le maualuga o le seleselega.

I le tu'ufa'atasia o le tele o polytypes, doping variants, quality grades, SiC wafer sizes, ma le gaosiga o le boule ma le seed-crystal i totonu o le fale, o la matou SiC substrate platform e fa'afaigofie ai le sapalai o sapalai ma fa'avavevave ai le atina'eina o masini mo ta'avale eletise, smart grids, ma fa'aoga e fa'atatau i le siosiomaga faigata.

O le aotelega o le SiC wafer

 Wafers Silicon carbide (SiC)ua avea ma mea e sili ona filifilia mo le eletise e maualuga le malosi, maualuga le saoasaoa, ma le vevela maualuga i vaega o taavale, malosiaga faafouina, ma vaalele. O la matou faila e aofia ai ituaiga autu ma polokalame doping—4H (4H-N) ua doped i le nitrogen, semi-insulating mama maualuga (HPSI), 3C (3C-N) ua doped i le nitrogen, ma le ituaiga-p 4H/6H (4H/6H-P)—e ofoina atu i vasega lelei e tolu: SiC waferPRIME (mea fa'apipi'i atoatoa, e fetaui ma le ituaiga masini), DUMMY (fa'apipi'i pe le'i fa'apipi'i mo fa'ata'ita'iga o le fa'agasologa), ma SU'ESU'EGA (vaega epi fa'apitoa ma fa'amatalaga fa'aopoopo mo R&D). O le lautele o le SiC Wafer e 2″, 4″, 6″, 8″, ma le 12″ e fetaui ma meafaigaluega tuai ma mea fa'apipi'i fa'aonaponei. Matou te tu'uina atu fo'i monocrystalline boules ma fatu tioata ua fa'atulagaina sa'o e lagolago ai le tuputupu a'e o le tioata i totonu o le fale.

O a matou wafers 4H-N SiC e iai le tele o le avega mai le 1×10¹⁶ i le 1×10¹⁹ cm⁻³ ma le tete'e o le 0.01–10 Ω·cm, e maua ai le tele o le fe'avea'i o eletise ma le malepelepe i luga atu o le 2 MV/cm—e fetaui lelei mo Schottky diodes, MOSFETs, ma JFETs. O substrates HPSI e sili atu i le 1×10¹² Ω·cm tete'e ma le tele o le micropipe i lalo ifo o le 0.1 cm⁻², ma fa'amautinoa ai le la'ititi o le tafe mo masini RF ma microwave. O le Cubic 3C-N, e maua i le 2″ ma le 4″ formats, e mafai ai ona fa'aogaina le heteroepitaxy i luga o le silicon ma lagolagoina ai fa'aoga fou o le photonic ma le MEMS. O wafers SiC P-type 4H/6H-P, ua fa'apipi'iina i le alumini i le 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, e fa'afaigofie ai le fa'atulagaina o masini.

O le SiC wafer PRIME wafers e faia i le fa'apalapala fa'akemikolo-fa'amekanika i le <0.2 nm RMS roughness o le fogaeleele, o le eseesega atoa o le mafiafia i lalo ifo o le 3 µm, ma le bow <10 µm. O mea fa'apipi'i DUMMY e fa'avavevaveina ai su'ega fa'apotopoto ma afifiina, a'o RESEARCH wafers e iai le mafiafia o le epi-layer e 2–30 µm ma le doping fa'apitoa. O oloa uma e fa'amaonia e le X-ray diffraction (rocking curve <30 arcsec) ma le Raman spectroscopy, fa'atasi ai ma su'ega eletise—fuafuaga Hall, C–V profiling, ma le micropipe scanning—e fa'amautinoa ai le tausisia o le JEDEC ma le SEMI.

O pulu e oo atu i le 150 mm le lautele e totoina e ala i le PVT ma le CVD faatasi ai ma le mafiafia o le see atu i lalo ifo o le 1×10³ cm⁻² ma le aofaiga maualalo o micropipe. O tioata fatu e tipiina i totonu ole 0.1° mai le c-axis e faamautinoa ai le tuputupu ae e mafai ona toe gaosia ma le maualuga o le seleselega.

I le tu'ufa'atasia o le tele o polytypes, doping variants, quality grades, SiC wafer sizes, ma le gaosiga o le boule ma le seed-crystal i totonu o le fale, o la matou SiC substrate platform e fa'afaigofie ai le sapalai o sapalai ma fa'avavevave ai le atina'eina o masini mo ta'avale eletise, smart grids, ma fa'aoga e fa'atatau i le siosiomaga faigata.

Ata o le SiC wafer

Pepa fa'amatalaga o le wafer SiC ituaiga 6 inisi 4H-N

 

Pepa fa'amatalaga o le 6 inisi SiC wafers
Fa'atulagaga Vaega-Fa'alava Vasega Z Vasega P Vasega D
Lapoa   149.5–150.0 mm 149.5–150.0 mm 149.5–150.0 mm
Mafiafia 4H-N 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm
Mafiafia 4H‑SI 500 µm ± 15 µm 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Fa'asinomaga o le Wafer   Ese mai le itu: 4.0° agai i le <11-20> ±0.5° (4H-N); I luga o le itu: <0001> ±0.5° (4H-SI) Ese mai le itu: 4.0° agai i le <11-20> ±0.5° (4H-N); I luga o le itu: <0001> ±0.5° (4H-SI) Ese mai le itu: 4.0° agai i le <11-20> ±0.5° (4H-N); I luga o le itu: <0001> ±0.5° (4H-SI)
Mafiafia o le Micropipe 4H-N ≤ 0.2 senitimita⁻² ≤ 2 senitimita⁻² ≤ 15 cm⁻²
Mafiafia o le Micropipe 4H‑SI ≤ 1 senitimita⁻² ≤ 5 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Tete'e 4H-N 0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Tete'e 4H‑SI ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm ≥ 1×10⁵ Ω·cm  
Fa'asinomaga Laulau Muamua   [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0°
Umi Mafolafola Autū 4H-N 47.5 mm ± 2.0 mm    
Umi Mafolafola Autū 4H‑SI Notch    
Tuusaunoaga o le Pito     3 milimita  
Fa'alava/LTV/TTV/Aufana   ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm  
Fa'alavelave Polish Ra ≤ 1 nm    
Fa'alavelave CMP Ra ≤ 0.2 nm   Ra ≤ 0.5 nm
Mavaevae o le Pito   Leai se tasi   Umi fa'aputu ≤ 20 mm, tasi ≤ 2 mm
Papa Hex   Eria fa'aputu ≤ 0.05% Eria fa'aputu ≤ 0.1% Eria fa'aputu ≤ 1%
Vaega o le Polytype   Leai se tasi Eria fa'aputu ≤ 3% Eria fa'aputu ≤ 3%
Mea e aofia ai le kaponi   Eria fa'aputu ≤ 0.05%   Eria fa'aputu ≤ 3%
Maosi i luga   Leai se tasi   Umi fa'aputu ≤ 1 × lautele o le apameme
Sipi pito   E leai se mea e fa'atagaina ≥ 0.2 mm le lautele ma le loloto   E oo atu i le 7 fasipepa, ≤ 1 mm le lautele i le fasipepa
TSD (Fa'ase'eina o Sikulima Fa'asolo)   ≤ 500 cm⁻²   Leai se totogi
BPD (Fa'aletonu o le Va'aiga Autu)   ≤ 1000 cm⁻²   Leai se totogi
Fa'aleagaina o le Luga   Leai se tasi    
Afifiina   Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi

Pepa fa'amatalaga o le wafer SiC ituaiga 4 inisi 4H-N

 

Pepa fa'amatalaga o le wafer SiC 4 inisi
Fa'atulagaga Leai se gaosiga o le MPD Vasega Gaosiga Masani (Vasega P) Vasega Fa'ata'ita'i (Vasega D)
Lapoa 99.5 mm–100.0 mm
Mafiafia (4H-N) 350 µm±15 µm   350 µm±25 µm
Mafiafia (4H-Si) 500 µm±15 µm   500 µm±25 µm
Fa'asinomaga o le Wafer Ese mai le itu: 4.0° agai i le <1120> ±0.5° mo le 4H-N; I luga o le itu: <0001> ±0.5° mo le 4H-Si    
Mafiafia o le Maikopipa (4H-N) ≤0.2 senitimita⁻² ≤2 senitimita⁻² ≤15 cm⁻²
Mafiafia o le Maikopipa (4H-Si) ≤1 senitimita⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Tete'e (4H-N)   0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Tete'e (4H-Si) ≥1E10 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Fa'asinomaga Laulau Muamua   [10-10] ±5.0°  
Umi Mafolafola Autū   32.5 mm ±2.0 mm  
Umi Mafolafola Lona Lua   18.0 mm ±2.0 mm  
Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua   Silikoni le itu i luga: 90° CW mai le pito i luga ±5.0°  
Tuusaunoaga o le Pito   3 milimita  
LTV/TTV/Aufana Fa'alava ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Fa'alavelave Polani Ra ≤1 nm; CMP Ra ≤0.2 nm   Ra ≤0.5 nm
Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi Leai se tasi Leai se tasi Umi fa'aputu ≤10 mm; umi e tasi ≤2 mm
Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤0.1%
Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Leai se tasi   Eria fa'aputu ≤3%
Fa'aaofia o le Carbon Va'aia Eria fa'aputu ≤0.05%   Eria fa'aputu ≤3%
Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi Leai se tasi   Umi fa'aputu ≤1 le lautele o le wafer
Fa'amamago Pito e ala i le Malamalama Malosi Maualuga E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2 mm le lautele ma le loloto   5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi
Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Leai se tasi    
Fa'ase'eina o le fa'asolo o le sikulima ≤500 cm⁻² Leai se totogi  
Afifiina Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi

Pepa fa'amatalaga o le wafer SiC ituaiga HPSI 4 inisi

 

Pepa fa'amatalaga o le wafer SiC ituaiga HPSI 4 inisi
Fa'atulagaga Vasega Gaosiga o le Zero MPD (Vasega Z) Vasega Gaosiga Masani (Vasega P) Vasega Fa'ata'ita'i (Vasega D)
Lapoa   99.5–100.0 mm  
Mafiafia (4H-Si) 500 µm ±20 µm   500 µm ±25 µm
Fa'asinomaga o le Wafer Ese mai le itu: 4.0° agai i le <11-20> ±0.5° mo le 4H-N; I luga o le itu: <0001> ±0.5° mo le 4H-Si
Mafiafia o le Maikopipa (4H-Si) ≤1 senitimita⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Tete'e (4H-Si) ≥1E9 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Fa'asinomaga Laulau Muamua (10-10) ±5.0°
Umi Mafolafola Autū 32.5 mm ±2.0 mm
Umi Mafolafola Lona Lua 18.0 mm ±2.0 mm
Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua Silikoni le itu i luga: 90° CW mai le pito i luga ±5.0°
Tuusaunoaga o le Pito   3 milimita  
LTV/TTV/Aufana Fa'alava ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Ma'a'a (foliga C) Polish Ra ≤1 nm  
Ma'a'a (foliga Si) CMP Ra ≤0.2 nm Ra ≤0.5 nm
Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi Leai se tasi   Umi fa'aputu ≤10 mm; umi e tasi ≤2 mm
Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤0.1%
Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Leai se tasi   Eria fa'aputu ≤3%
Fa'aaofia o le Carbon Va'aia Eria fa'aputu ≤0.05%   Eria fa'aputu ≤3%
Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi Leai se tasi   Umi fa'aputu ≤1 le lautele o le wafer
Fa'amamago Pito e ala i le Malamalama Malosi Maualuga E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2 mm le lautele ma le loloto   5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi
Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Leai se tasi   Leai se tasi
Fa'ase'e o le Fa'asolo o le Sikulima ≤500 cm⁻² Leai se totogi  
Afifiina   Kaseti tele-wafer po'o se pusa wafer e tasi  

Fa'aoga o le SiC wafer

 

  • Modula Malosiaga SiC Wafer mo EV Inverters
    O MOSFET ma diode e faʻavae i luga o le SiC wafer ua fausia i luga o substrates SiC wafer maualuga e maua ai ni gau o fesuiaʻiga maualalo tele. I le faʻaaogaina o le tekinolosi SiC wafer, o nei modules eletise e faʻagaoioia i voltage ma vevela maualuga, ma mafai ai ona sili atu le lelei o inverters traction. O le tuʻufaʻatasia o SiC wafer dies i totonu o vaega eletise e faʻaitiitia ai manaʻoga faʻamālūlūina ma le tulagavae, e faʻaalia ai le gafatia atoatoa o le faʻafouga o le SiC wafer.

  • Masini RF ma le 5G e fa'aaogaina ai le SiC Wafer
    O fa'amalosi eletise ma ki RF ua gaosia i luga o fa'avae SiC wafer semi-insulating e fa'aalia ai le maualuga o le conductivity thermal ma le breakdown voltage. O le substrate SiC wafer e fa'aitiitia ai le dielectric losses i GHz frequencies, ae o le malosi o le SiC wafer e mafai ai ona fa'agaoioia lelei i lalo o tulaga maualuga o le malosiaga ma le vevela—ma avea ai le SiC wafer ma substrate e filifilia mo nofoaga autu o le 5G ma faiga radar o le isi augatupulaga.

  • Optoelectronic & LED Substrates mai le SiC Wafer
    O LED lanumoana ma UV e ola i luga o mea fa'apipi'i SiC wafer e manuia mai le fetaui lelei o le lattice ma le fa'asalalauina o le vevela. O le fa'aaogaina o se C-face SiC wafer fa'apala e fa'amautinoa ai le tutusa o vaega epitaxial, ae o le ma'a'a o le SiC wafer e mafai ai ona fa'amamago lelei le wafer ma fa'atuatuaina le afifiina o masini. O lenei mea e avea ai le SiC wafer ma fa'avae autu mo fa'aoga LED e maualuga le malosi ma umi le ola.

Fesili ma Tali a le SiC wafer

1. F: E fa'apefea ona gaosia ni wafer SiC?


A:

O le SiC wafers ua gaosiaLaasaga Auiliili

  1. Wafers SiCSauniuniga o Mea Mata

    • Faaaoga le pauta SiC e ≥5N-grade (mea leaga e ≤1 ppm).
    • Se'i faamama ma tao muamua e aveese ai le toega o le kaponi po'o le naitorosene.

  1. SiCSauniuniga o le Kilisitara o le Fatu

    • Ave se fasi tioata e tasi le 4H-SiC, tipi i le fa'atulagaga 〈0001〉 i le ~10 × 10 mm².

    • Vā'ai sa'o lelei i le Ra ≤0.1 nm ma fa'ailoga le fa'atulagaga o le tioata.

  2. SiCTuputupu Aʻe o le PVT (Felauaiga Faʻaletino o le Ausa)

    • Uta le ogaumu karapite: pito i lalo i le pauta SiC, pito i luga i le fatu tioata.

    • Fa'amamā le tino i le 10⁻³–10⁻⁵ Torr pe toe fa'atumu i le helium mama i le 1 atm.

    • Fa'avevela le sone e maua mai ai fatu i le 2100–2300 ℃, ma tausi le sone fatu ia malūlū ifo i le 100–150 ℃.

    • Pulea le saoasaoa o le tuputupu aʻe i le 1–5 mm/h e paleni ai le lelei ma le saoasaoa o le gaosiga.

  3. SiCFa'asusuina o le Ingot

    • Fa'a'aisa le ingot SiC ua matua i le 1600–1800 ℃ mo le 4–8 itula.

    • Fa'amoemoega: fa'aitiitia le mamafa o le vevela ma fa'aitiitia le mafiafia o le fevaevaea'iga.

  4. SiCTipiina o le Wafer

    • Faaaoga se ili uaea taimane e tipi ai le ingot i ni fasi falaoa e 0.5–1 mm le mafiafia.

    • Fa'aitiitia le tetete ma le malosi i autafa ina ia 'alofia ai ni māvaevae laiti.

  5. SiCWaferOlo ma Fa'apala

    • oloina matuituie aveese ai mea ua faaleagaina i le iliina (talatala ~10–30 µm).

    • olo leleiia ausia le lamolemole ≤5 µm.

    • Fa'apalapala Fa'akemikolo-Fa'amekanika (CMP)ia o'o atu i le i'uga e pei o le fa'ata (Ra ≤0.2 nm).

  6. SiCWaferFa'amamaina ma le Su'esu'ega

    • Fa'amamāina o le ultrasonici le vaifofo Piranha (H₂SO₄:H₂O₂), vai DI, sosoo ai ma le IPA.

    • Sikolosi XRD/Ramane fa'amaonia ai le polytype (4H, 6H, 3C).

    • Fa'afeso'ota'iga o le va o tagatae fuaina ai le lamolemole (<5 µm) ma le mimilo (<20 µm).

    • Su'ega e fa-vaegae su'e ai le tete'e (e pei o le HPSI ≥10⁹ Ω·cm).

    • Su'esu'ega o mea sesei lalo o le microscope malamalama fa'apolarized ma le masini e su'e ai le valu.

  7. SiCWaferFa'avasegaga ma le Fa'avasegaga

    • Fa'avasega wafers e tusa ai ma le polytype ma le ituaiga eletise:

      • 4H-SiC ituaiga-N (4H-N): fa'aputuga o le avega 10¹⁶–10¹⁸ cm⁻³

      • 4H-SiC Maualuga Mama Semi-Insulating (4H-HPSI): tete'e ≥10⁹ Ω·cm

      • 6H-SiC ituaiga-N (6H-N)

      • Isi: 3C-SiC, ituaiga-P, ma isi.

  8. SiCWaferAfifiina ma Felauaiga

    • Tuu i totonu o ni pusa falaoa mama e aunoa ma le pefu.

    • Fa'ailoga pusa ta'itasi i le lautele, mafiafia, polytype, resistivity grade, ma le numera o le batch.

      Wafers SiC

2. F: O a ni tulaga lelei autū o wafers SiC nai lo wafers silicon?


A: Pe a faʻatusatusa i wafer silicon, e mafai ai e wafer SiC:

  • Fa'agaioiga maualuga o le voltage(>1,200 V) ma le tete'e maualalo i luga.

  • Maualuga le mautu o le vevela(>300 °C) ma le fa'aleleia atili o le puleaina o le vevela.

  • Saosaoa fesuia'i vavefa'atasi ai ma le maualalo o le gau o le fesuia'iga, e fa'aitiitia ai le malulu i le tulaga o le faiga ma le tele o masini e fa'aliliu ai le eletise.

4. F: O a ni faaletonu masani e aʻafia ai le fua ma le faʻatinoga o le SiC wafer?


A: O fa'aletonu autū i wafers SiC e aofia ai micropipes, basal plane dislocations (BPDs), ma maosi o luga. E mafai e micropipes ona mafua ai le fa'aletonu tele o le masini; e fa'ateleina le tete'e o le BPDs i le aluga o taimi; ma o maosi o luga e mafua ai le gau o le wafer po'o le le lelei o le tuputupu a'e o le epitaxial. O le siakiina malosi ma le fa'aitiitia o fa'aletonu e taua tele ina ia fa'ateleina ai le fua o le SiC wafer.

Taimi na lafoina ai: Iuni-30-2025
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