Fa'agasologa o le Gaosiina o le Silicon-On-Insulator

SOI (Silicon-On-Insulator) waferso lo'o fa'atusalia se mea fa'apitoa semiconductor fa'aalia ai se vaega silikoni manifinifi na fausia i luga o se fa'a'ese'ese fa'amama. O lenei fausaga tulaga ese sanuisi e tuʻuina atu faʻaleleia atili faʻatinoga mo masini semiconductor.

Tulaga Fa'avae:

Mea Fa'alava (Silisili Sili):
O le mafiafia e amata mai i le tele nanometers i micrometers, o lo'o avea ma vaega malosi mo le gaosiga o le transistor.

Fa'apa'u Oxide Tanum (PUASA):
Ose fa'a'ese'ese fa'a'ese'ese silicon dioxide (0.05-15μm mafiafia) e fa'a'ese'ese ai le fa'atūina o masini mai le mea'ai.

Alafua Fa'avae:
Silikoni tele (100-500μm mafiafia) saunia lagolago masini.

E tusa ai ma le tekinolosi faagasologa o sauniuniga, o le auala autu o le faagasologa o le SOI wafers silicon e mafai ona faavasegaina e pei o: SIMOX (oxygen tui isolation tekinolosi), BESOI (fesoʻotaʻiga thinning tekinolosi), ma Smart Cut (atamai faatekonolosi aveese).

SIMOX (Oxygen injection isolation technology) o se metotia e aofia ai le tui o le okesene malosi maualuga i totonu o fafie silika e fausia ai se faʻapipiʻi faʻapipiʻi faʻapipiʻi silicon dioxide, ona faʻapipiʻiina lea i le vevela maualuga e toe faʻaleleia ai faaletonu lattice. O le autu o le tui tuusa'o o le okesene ion e fausia ai le okesene okesene.

O le BESOI (Bonding Thinning technology) e aofia ai le fa'apipi'iina o masi fa'asilika se lua ona fa'ama'ifi lea o se tasi e ala i le oloina fa'ainisinia ma fa'ama'i kemikolo e fausia ai se fausaga SOI. O le autu o loʻo taoto i le fusifusia ma le faʻamaʻi.

Smart Cut (Intelligent Exfoliation technology) e fau ai se fa'ama'i e ala ile tui ole hydrogen. A maeʻa le faʻapipiʻiina, e faʻatino togafitiga vevela e faʻafefe ai le faʻamaʻi silikoni i luga o le hydrogen ion layer, faʻatupuina se ultra-thin silicon layer. O le autu ole tui ole hydrogen.

I le taimi nei, o loʻo i ai se isi tekinolosi ua taʻua o le SIMBOND (oxygen injection bonding technology), lea na atiaʻe e Xinao. O le mea moni, o se auala e tuʻufaʻatasia ai le tuiina o le okesene ma le faʻaogaina o tekonolosi. I lenei auala faʻapitoa, o le okesene tui e faʻaaogaina e avea o se pa puipui manifinifi, ma o le mea moni o le okesene o loʻo tanumia o se faʻamaʻi vevela. O le mea lea, i le taimi lava e tasi e faʻaleleia ai faʻamaufaʻailoga e pei o le tutusa o le silicon pito i luga ma le lelei o le okesene okesene tanumia.

SOI silicon wafers gaosia e ala fa'apitoa eseese e eseese fa'atinoga fa'atinoga ma e talafeagai mo fa'aaliga fa'aoga eseese.

O lo'o ta'ua i lalo le laulau fa'apotopotoga o fa'amanuiaga autu o fa'atinoga a le SOI silicon wafers, tu'ufa'atasia ma latou foliga fa'apitoa ma fa'ata'ita'iga moni o le fa'aogaina. Fa'atusatusa i le silikoni masani masani, SOI ei ai tulaga lelei i le paleni o le saoasaoa ma le faʻaaogaina o le eletise. (PS: O le faʻatinoga o le 22nm FD-SOI e latalata ile FinFET, ma o le tau e faʻaititia e 30%.)

I le aotelega, o mea taua o le SOI o le: e tamoʻe vave ma sili atu le malosi.

Ona o nei uiga faʻatinoga o le SOI, e tele faʻaoga i fanua e manaʻomia ai le lelei tele o faʻatinoga ma le faʻaaogaina o le eletise.

E pei ona faʻaalia i lalo, faʻavae i luga o le vaega o talosaga faʻatatau e fetaui ma le SOI, e mafai ona vaʻaia o RF ma masini eletise e faʻatatau mo le tele o le maketi SOI.

Faatasi ai ma le tuputupu aʻe o maketi e pei o fesoʻotaʻiga feaveaʻi ma le avetaʻavale tutoʻatasi, o loʻo faʻamoemoeina foi le faʻatumauina o se fua faatatau o le tuputupu aʻe o le SOI silicon wafers.

O le XKH, o se ta'ita'i fou i le Silicon-On-Insulator (SOI) fa'atekonolosi wafer, e tu'uina atu fofo SOI atoatoa mai le R&D i le gaosiga o le voluma e fa'aogaina ai le gaosiga o gaosiga o pisinisi. O la matou faila atoa e aofia ai 200mm / 300mm SOI wafers spanning RF-SOI, Power-SOI ma FD-SOI fesuiaiga, faʻatasi ai ma le faʻamalosia lelei o le faʻamautinoaina o le faʻapitoa o le faʻatinoga (mafiafia tutusa i totonu ± 1.5%). Matou te ofoina atu fofo faʻapitoa faʻatasi ai ma le tanumia o le oxide (BOX) le mafiafia o le mafiafia e amata mai i le 50nm i le 1.5μm ma faʻamatalaga eseese resistivity e faʻamalieina manaʻoga faʻapitoa. O le fa'aaogaina o le 15 tausaga o tomai fa'apitoa ma le malosi o le sapalai sapalai o le lalolagi, matou te tu'uina atu ma le fa'atuatuaina mea e sili ona lelei SOI substrate i le pito i luga-tier semiconductor gaosi oloa i le lalolagi atoa, e mafai ai ona fa'afou fa'afouga va'aiga i le 5G feso'ota'iga, masini fa'aeletonika, ma fa'aoga atamai.

XKH's SOI wafers: