Faiga o le Gaosiga o le Silicon-On-Insulator

O le SOI (Silicon-On-Insulator) waferso se mea fa'apitoa e fa'aalia ai se vaega manifinifi o le silicon ua fausia i luga o se vaega o le oxide e taofia ai le vevela. O lenei fausaga tulaga ese o le sanuisi e tu'uina atu ai ni fa'aleleia atili taua mo masini semiconductor.

Fa'atulagaga Fa'atulagaina:

Vaega o le Masini (Pito i Luga o le Silikon):
O le mafiafia e amata mai i le tele o nanometers i micrometers, e avea o se vaega galue mo le gaosiga o transistor.

Vaega Oxide ua Tanu (PUSA):
O se vaega e taofia ai le masini mai le silicon dioxide (0.05-15μm le mafiafia) e vavae'eseina ai le vaega o le masini mai le substrate i le eletise.

Fa'avae Fa'avae:
O le silicon tele (100-500μm le mafiafia) e tu'uina atu le lagolago fa'alemekanika.

E tusa ai ma le tekinolosi o le faagasologa o le sauniuniga, e mafai ona vaevaeina auala autū o le faagasologa o SOI silicon wafers e pei o: SIMOX (tekonolosi vavae ese o le okesene), BESOI (tekonolosi fa'amama fa'apipi'i), ma le Smart Cut (tekonolosi fa'amama atamai).

O le SIMOX (Oxygen injection isolation technology) o se metotia e aofia ai le tuiina o le oxygen ions e maualuga le malosi i totonu o silicon wafers e fausia ai se vaega e fa'apipi'iina i le silicon dioxide, ona fa'avevela lea i le vevela maualuga e toe fa'aleleia ai mea sese o le lattice. O le totonugalemu o le tuiina sa'o lea o le ion oxygen e fausia ai le vaega tanumia o le oxygen.

O le BESOI (Bonding Thinning technology) e aofia ai le fa'apipi'iina o ni silicon wafers se lua ona fa'amama lea o le tasi e ala i le oloina fa'amekanika ma le etching fa'akemikolo e fausia ai se fausaga SOI. O le totonugalemu o lo'o taoto i le fa'apipi'iina ma le fa'amama.

O le Smart Cut (Tekonolosi Fa'amamā Atamai) e fausia ai se vaega e fa'amamā ai le pa'u e ala i le tuiina o le hydrogen ion. A mae'a ona pipii, ona faia lea o le togafitiga i le vevela e fa'amamā ai le silicon wafer i luga o le vaega o le hydrogen ion, ma fausia ai se vaega silicon manifinifi tele. O le totonugalemu o le fa'amamāina lea o le hydrogen injection.

I le taimi nei, o loʻo i ai se isi tekinolosi e taʻua o le SIMBOND (tekonolosi faʻapipiʻi okesene), lea na atiaʻe e Xinao. O le mea moni, o se auala e tuʻufaʻatasia ai tekinolosi vavaeʻese ma faʻapipiʻi okesene. I lenei auala faʻapitoa, o le okesene ua tuiina e faʻaaogaina o se vaega faʻapipiʻi e faʻaitiitia ai le manifinifi, ma o le vaega okesene ua tanumia o se vaega faʻamafanafana. O le mea lea, e faʻaleleia atili ai faʻatulagaga e pei o le tutusa o le silicon pito i luga ma le lelei o le vaega okesene ua tanumia.

O wafers silicon SOI o loʻo gaosia i auala faʻapitoa eseese e eseese tulaga faʻatino ma e talafeagai mo tulaga faʻaoga eseese.

O le laulau o loʻo mulimuli mai o se aotelega o faʻamanuiaga autu o le faʻatinoga o SOI silicon wafers, faʻatasi ai ma o latou foliga faʻapitoa ma tulaga faʻaoga moni. Pe a faʻatusatusa i le silicon tele masani, o le SOI e iai ni faʻamanuiaga taua i le paleni o le saoasaoa ma le faʻaaogaina o le eletise. (PS: O le faʻatinoga o le 22nm FD-SOI e latalata i le FinFET, ma ua faʻaititia le tau i le 30%.)

I se aotelega, o faʻamanuiaga autū o le SOI: e vave ona tamoʻe ma sili atu le faʻasaoina o le eletise.

Ona o nei uiga faʻatino o le SOI, e lautele lona faʻaaogaina i vaega e manaʻomia ai le faʻatinoga lelei o le televave ma le faʻatinoga o le faʻaaogaina o le eletise.

E pei ona faʻaalia i lalo, e faʻavae i luga o le vaega o fanua faʻaoga e fesoʻotaʻi ma le SOI, e mafai ona iloa ai o le RF ma masini eletise e aofia ai le tele o le maketi SOI.

Faatasi ai ma le tuputupu ae o maketi e pei o fesootaiga feaveai ma le avetaavale tutoatasi, e faamoemoe foi o le a faatumauina e le SOI silicon wafers se fua faatatau o le tuputupu ae.

O le XKH, i le avea ai ma se tasi e taʻimua i le atinaʻeina o tekinolosi wafer Silicon-On-Insulator (SOI), e tuʻuina atu fofo atoatoa o le SOI mai le R&D i le gaosiga tele e faʻaaogaina ai faiga gaosiga taʻimua i le alamanuia. O la matou faila atoa e aofia ai wafer SOI e 200mm/300mm e aofia ai fesuiaiga RF-SOI, Power-SOI ma FD-SOI, faʻatasi ai ma le pulea lelei o le lelei e faʻamautinoa ai le tutusa lelei o le faʻatinoga (tutusa le mafiafia i totonu ole ±1.5%). Matou te ofoina atu fofo faʻapitoa ma le mafiafia o le vaega oxide buried (BOX) e amata mai le 50nm i le 1.5μm ma faʻamatalaga eseese o le resistivity e faʻafetaui ai manaʻoga faʻapitoa. Faʻaaogaina le 15 tausaga o tomai faʻapitoa ma se filifili sapalai malosi i le lalolagi atoa, matou te tuʻuina atu ma le faʻatuatuaina mea SOI substrate maualuga i kamupani gaosi semiconductor sili ona lelei i le lalolagi atoa, e mafai ai ona faʻafouina fou chip i fesoʻotaʻiga 5G, mea faʻaeletoronika taʻavale, ma faʻaoga atamai faʻapitoa.

XKH's SOI wafers: