12 inisi SiC Substrate N Type Tele Tele Maualuga Fa'atinoga RF Fa'aoga

O le 12-inisi SiC substrate o loʻo faʻatusalia ai se alualu i luma mataʻina i tekinolosi o meafaitino semiconductor, e ofoina atu ai ni faʻamanuiaga faʻafouina mo eletise eletise ma faʻaoga maualuga-taimi. I le avea ai ma le silicon carbide wafer format sili ona tele i le alamanuia, o le 12-inisi SiC substrate e mafai ai ona faʻasaoina le tele o le fua faʻatatau aʻo faʻatumauina pea le lelei o meafaitino o uiga lautele o le bandgap ma meatotino faʻavevela tulaga ese. Pe a faʻatusatusa i SiC wafers masani e 6-inisi pe laiti, o le 12-inisi platform e maua ai le silia ma le 300% le tele o le eria e mafai ona faʻaaogaina i le wafer, e faʻateleina ai le fua o le die ma faʻaitiitia ai tau o gaosiga mo masini eletise. O lenei suiga o le tele e atagia ai le alualu i luma faʻasolopito o silicon wafers, lea e aumaia ai e le faʻateleina o le lautele o le lautele ni faʻaititia taua o tau ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga. O le sili atu o le thermal conductivity o le 12-inisi SiC substrate (toetoe lava 3× o le silicon) ma le maualuga o le malosi o le critical breakdown field e matua taua ai mo le isi tupulaga 800V electric vehicle systems, lea e mafai ai ona sili atu le laʻititi ma lelei modules eletise. I le 5G infrastructure, o le maualuga o le electron saturation velocity o meafaitino e mafai ai e masini RF ona faʻagaoioia i taʻamilosaga maualuga ma le maualalo o gau. O le fetaui lelei o le substrate ma masini gaosi silicon ua suia e faafaigofieina ai foi le faigofie ona faaaogaina e fabs o loʻo iai nei, e ui lava e manaʻomia le taulimaina faapitoa ona o le malosi tele o le SiC (9.5 Mohs). A o faateleina le tele o gaosiga, o le substrate SiC e 12-inisi ua faamoemoe e avea ma tulaga faatonuina o le alamanuia mo talosaga maualuga-malosiaga, ma faʻaleleia atili ai le fou i luga o taavale, malosiaga faʻafouina, ma faiga faʻaliliuina o le eletise faʻapisinisi.