12 inisi SIC substrate silicon carbide prime grade diameter 300mm lapo'a tele 4H-N Talafeagai mo masini eletise maualuga e fa'ata'ape'apeina le vevela

12 inisi le SIC substrate silicon carbide prime grade diameter 300mm lapo'a tele 4H-N Talafeagai mo masini eletise maualuga e fa'aumatia ai le vevela Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 12-inisi silicon carbide substrate (SiC substrate) o se substrate tele, maualuga le faatinoga o mea semiconductor e faia mai se tioata e tasi o le silicon carbide. O le Silicon carbide (SiC) o se mea semiconductor e lautele le va o le band e iai uiga lelei o le eletise, vevela ma le masini, lea e lautele lona faaaogaina i le gaosiga o masini eletise i siosiomaga e maualuga le malosiaga, maualuga le saoasaoa ma le vevela maualuga. O le 12-inisi (300mm) substrate o le faʻamatalaga faʻapitoa o loʻo iai nei o le tekinolosi silicon carbide, lea e mafai ona faʻaleleia atili ai le lelei o le gaosiga ma faʻaitiitia ai tau.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Uiga o oloa

1. Maualuga le fa'avevela: o le fa'avevela o le silicon carbide e sili atu i le 3 taimi nai lo le silicon, lea e talafeagai mo le fa'asalalauina o le vevela o masini eletise maualuga.

2. Malosiaga maualuga o le fanua malepe: O le malosi o le fanua malepe e 10 taimi le silicon, e talafeagai mo galuega mamafa.

3. Vae lautele o le fusi: O le vae lautele e 3.26eV (4H-SiC), e talafeagai mo fa'aoga i le vevela maualuga ma le televave maualuga.

4. Ma'a'a maualuga: O le ma'a'a Mohs e 9.2, e lona lua i le taimane, e sili ona tete'e atu i le ofuina ma le malosi fa'amekanika.

5. Mausali i vailaʻau: teteʻe malosi i le ele, faʻatinoga mautu i le vevela maualuga ma le siosiomaga faigata.

6. Tele tele: 12 inisi (300mm) le lapo'a o le substrate, fa'aleleia atili le lelei o le gaosiga, fa'aitiitia le tau o le iunite.

7. Maualalo le mafiafia o mea sese: tekonolosi tuputupu aʻe tioata e tasi le tulaga maualuga e faʻamautinoa ai le maualalo o le mafiafia o mea sese ma le maualuga o le tutusa.

O le itu autu o le fa'aoga o oloa

1. Mea fa'aeletoronika eletise:

Mosfets: Fa'aaogaina i ta'avale eletise, ta'avale afi fa'apisinisi ma mea e fa'aliliu ai le eletise.

Diodes: e pei o Schottky diodes (SBD), e faʻaaogaina mo le faʻasaʻoina lelei ma le fesuiaʻiina o sapalai eletise.

2. Masini Rf:

Fa'amalosi eletise Rf: fa'aaogaina i nofoaga autu o feso'ota'iga 5G ma feso'ota'iga satelite.

Masini fa'avevela maikoloveve: Talafeagai mo faiga feso'ota'iga radar ma uaealesi.

3. Ta'avale fou fa'aeletise:

Faiga fa'aeletise: pulea afi ma inverters mo ta'avale eletise.

Pito fa'atumu: Vaega eletise mo masini e vave fa'atumu ai.

4. Fa'aoga fa'apisinisi:

Inverter maualuga voltage: mo le puleaina o afi fa'apisinisi ma le puleaina o le malosi.

Smart grid: Mo transformers o felauaiga HVDC ma le eletise eletise.

5. Vaalele i le ea:

Mea fa'aeletoronika vevela maualuga: talafeagai mo siosiomaga vevela maualuga o masini va'alele.

6. Matāgaluega o suʻesuʻega:

Su'esu'ega o semiconductor lautele le va: mo le atina'eina o mea ma masini fou o semiconductor.

O le 12-inisi le lautele o le silicon carbide substrate o se ituaiga o mea semiconductor e maualuga le faatinoga ma ni meatotino lelei e pei o le maualuga o le conductivity o le vevela, maualuga le malosi o le breakdown field ma le lautele o le band gap. E faʻaaogaina lautele i mea eletise eletise, masini leitio, taʻavale eletise fou, pulega faʻapisinisi ma vaʻalele, ma o se mea taua e faʻalauiloa ai le atinaʻeina o le isi tupulaga o masini eletise lelei ma maualuga le malosi.

E ui o loʻo itiiti ni faʻaoga tuusaʻo o mea faʻapipiʻi silicon carbide i masini eletise faʻatau e pei o mata tioata AR, o lo latou gafatia i le puleaina lelei o le eletise ma masini eletise laiti e mafai ona lagolagoina ai fofo mama ma maualuga le faʻatinoga o le sapalai eletise mo masini AR/VR i le lumanaʻi. I le taimi nei, o le atinaʻe autu o le mea faʻapipiʻi silicon carbide o loʻo taulaʻi i vaega tau alamanuia e pei o taʻavale eletise fou, atinaʻe fesoʻotaʻiga ma le otometi tau alamanuia, ma faʻalauiloa ai le alamanuia semiconductor e atiina ae i se itu e sili atu ona lelei ma faʻatuatuaina.

Ua tautino le XKH e tuʻuina atu ni mea e sili ona lelei e 12 "SIC substrates faʻatasi ai ma le lagolago faʻapitoa ma auaunaga atoatoa, e aofia ai:

1. Gaosiga fa'apitoa: E tusa ai ma mana'oga o tagata fa'atau e tu'uina atu le tete'e eseese, fa'atulagaga tioata ma le substrate togafitiga luga.

2. Fa'aleleia atili o le fa'agasologa: Tu'uina atu i tagata fa'atau le lagolago fa'apitoa i le tuputupu a'e o le epitaxial, gaosiga o masini ma isi fa'agasologa e fa'aleleia atili ai le fa'atinoga o oloa.

3. Su'ega ma le fa'amaoniga: Tu'uina atu le fa'amaoniga mautinoa o le iloa o mea sese ma le lelei e fa'amautinoa ai o lo'o ausia e le mea fa'apipi'i tulaga fa'atonuina o le alamanuia.

4. Galulue fa'atasi i le R&D: Fa'atasi ona atia'e ni masini fou o le silicon carbide ma tagata fa'atau e fa'alauiloa ai le fa'afouga fa'atekonolosi.

Siata fa'amaumauga

Fa'amatalaga o le 1 2 inisi o le Silicon Carbide (SiC) Substrate
Vasega		Gaosiga o le ZeroMPD Vasega (Vasega Z)	Gaosiga Masani Vasega (Vasega P)		Vasega Fa'ata'ita'i (Vasega D)
Lapoa		3 0 0 mm~305mm
Mafiafia	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Fa'asinomaga o le Wafer		Ese mai le itu: 4.0° agai i le <1120 >±0.5° mo le 4H-N, I luga o le itu: <0001>±0.5° mo le 4H-SI
Mafiafia o le Micropipe	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Tete'e	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Fa'asinomaga Laulau Muamua		{10-10} ±5.0°
Umi Mafolafola Autū	4H-N	Leai se totogi
	4H-SI	Notch
Tuusaunoaga o le Pito		3 milimita
LTV/TTV/Aufana/Vau		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Fa'alavelave		Polani Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Fa'aaofia o le Carbon Va'aia Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi		Leai se tasi Eria fa'aputu ≤0.05% Leai se tasi Eria fa'aputu ≤0.05% Leai se tasi			Umi fa'aputu ≤ 20 mm, umi e tasi ≤2 mm Eria fa'aputu ≤0.1% Eria fa'aputu ≤3% Eria fa'aputu ≤3% Umi fa'aputu ≤1 × lautele o le wafer
Fa'amamago Pito e ala i le Malamalama Malosi Maualuga		E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2mm le lautele ma le loloto			7 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi
(TSD) Fa'ase'eina o le fa'asolo o le sikulima		≤500 cm-2		Leai se totogi
(BPD) Sese o le fa'avae o le vaalele		≤1000 cm-2		Leai se totogi
Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le Malamalama Malosi Maualuga		Leai se tasi
Afifiina		Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi
Fa'amatalaga:
1 E fa'atatau tapula'a o fa'aletonu i le fogā'ele'ele atoa o le apa vagana ai le vaega e le aofia ai pito. 2E tatau ona siaki ia maosi i foliga o Si. 3 O faʻamaumauga o le sele o le tino e naʻo mai ni wafer ua vaneina i le KOH.

O le a faʻaauau pea ona faʻafaigaluega e le XKH ni suʻesuʻega ma atinaʻe e faʻalauiloa ai le alualu i luma o le 12-inisi silicon carbide substrates i le tele, maualalo ni faʻaletonu ma maualuga le tutusa, aʻo suʻesuʻeina e le XKH ana faʻaoga i vaega fou e pei o mea faʻaeletoronika a tagata faʻatau (e pei o modules eletise mo masini AR/VR) ma le quantum computing. I le faʻaitiitia o tau ma le faʻateleina o le gafatia, o le a aumaia ai e le XKH le manuia i le alamanuia semiconductor.