4 inisi 6 inisi 8 inisi SiC Crystal Growth Furnace mo le CVD Process

Fa'amatalaga Pupuu:

O le faiga o le XKH's SiC Crystal Growth Furnace CVD Chemical Vapor Deposition e fa'aaogaina ai le tekinolosi fa'aputuina o le ausa kemikolo ta'imua i le lalolagi, ua mamanuina fa'apitoa mo le tuputupu a'e maualuga o le SiC kristal e tasi. E ala i le pulea sa'o o fa'asologa o le fa'agasologa e aofia ai le tafe o le kesi, le vevela ma le mamafa, e mafai ai ona pulea le tuputupu a'e o le kristal SiC i luga o substrates e 4-8 inisi. O lenei faiga CVD e mafai ona gaosia ituaiga eseese o kristal SiC e aofia ai le ituaiga 4H/6H-N ma le ituaiga 4H/6H-SEMI insulating, ma maua ai fofo atoatoa mai masini i fa'agasologa. E lagolagoina e le faiga mana'oga o le tuputupu a'e mo wafers e 2-12 inisi, ma avea ai ma mea talafeagai mo le gaosiga tele o eletise eletise ma masini RF.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Mataupu Faavae o le Galuega

O le mataupu faavae autū o la matou faiga CVD e aofia ai le fa'aleagaina fa'avevela o kasa muamua o lo'o i ai le silicon (e pei o le SiH4) ma le carbon (e pei o le C3H8) i le vevela maualuga (e masani lava 1500-2000°C), fa'aputuina tioata SiC ta'itasi i luga o mea e ala i fa'agasologa fa'akemikolo o le kesi. O lenei tekinolosi e matua talafeagai lava mo le gaosia o tioata ta'itasi 4H/6H-SiC e maualuga le mama (>99.9995%) ma le maualalo o le fa'aletonu (<1000/cm²), fa'amalieina mana'oga faigata o meafaitino mo eletise eletise ma masini RF. E ala i le pulea sa'o o le tuufaatasiga o kasa, le fua o le tafe ma le suiga o le vevela, e mafai ai e le faiga ona fa'atonutonu sa'o le ituaiga o le conductivity o tioata (ituaiga N/P) ma le resistivity.

Ituaiga o Faiga ma Fa'amaumauga Fa'atekinolosi

Ituaiga o le Faiga	Fa'asologa o le Vevela	Vaega Autū	Talosaga
CVD i le Vevela Maualuga	1500-2300°C	Fa'avevela fa'aoso o le graphite, tutusa le vevela o le ±5°C	Tuputupu aʻe o le tioata SiC tele
CVD o le Filament Vevela	800-1400°C	Fa'avevela o le filament tungsten, fua faatatau o le teuina o le 10-50μm/h	Epitaxy mafiafia SiC
VPE CVD	1200-1800°C	Puleaina o le vevela i le tele o sone, >80% le fa'aaogaina o le kesi	Gaosiga tele o le epi-wafer
PECVD	400-800°C	Fa'aleleia atili le plasma, fua faatatau o le teuina o le 1-10μm/h	Ata manifinifi SiC maualalo le vevela

Uiga Fa'atekinolosi Autū

1. Faiga Fa'aleleia o le Puleaina o le Vevela
O le ogaumu e iai se faiga fa'avevela tete'e e tele-sone e mafai ona tausia le vevela e o'o atu i le 2300°C ma le tutusa o le ±1°C i le potu atoa e tuputupu a'e ai. O lenei pulega sa'o o le vevela e ausia e ala i:
12 sone fa'avevela e pulea tuto'atasi.
Mata'ituina o le thermocouple fa'aopoopo (Ituaiga C W-Re).
Algorithm o fetuunaiga o le talaaga o le vevela i le taimi moni.
Puipui o le potu e fa'amālūlūina i le vai mo le puleaina o le feliuliua'iga o le vevela.

2. Tekonolosi o le Tu'uina Atu ma le Fa'afefiloi o le Kesi
O la matou faiga fa'apitoa mo le tufatufaina atu o le kesi e fa'amautinoa ai le fa'afefiloi lelei o mea e fa'amuamua ma le tu'uina atu tutusa:
Pulea o le tafe o le mamafa ma le sa'o e ±0.05sccm.
Manifold tui kasa e tele-point.
Siakiina o le tuufaatasiga o kasa i totonu o le nofoaga (FTIR spectroscopy).
Taui otometi mo le tafe i taimi o taamilosaga o le tuputupu aʻe.

3. Fa'aleleia atili o le Tulaga Lelei o le Kilisitala
O lo'o fa'aogaina e le faiga ni nai mea fou e fa'aleleia atili ai le tulaga lelei o le tioata:
O le mea e uu ai le substrate e feliuliua'i (e mafai ona polokalameina le 0-100rpm).
Tekonolosi fa'aonaponei mo le puleaina o le vaega tuaoi.
Faiga e mata'ituina ai fa'aletonu i totonu o le nofoaga (fa'asalalauina o le UV laser).
Taui otometi mo le atuatuvale i le taimi o le tuputupu aʻe.

4. Fa'aautomatika ma le Puleaina o Fa'agasologa
Fa'atinoina atoatoa o fua fa'atatau.
Fa'amatalaga fa'apitoa e fa'aleleia atili ai le tuputupu a'e i le taimi moni.
Mata'ituina mamao ma su'esu'ega.
1000+ fa'amaumauga o fa'amaumauga (teuina mo le 5 tausaga).

5. Vaega o le Saogalemu ma le Fa'atuatuaina
Puipuiga fa'atolu ona fa'aopoopo i luga o le vevela.
Faiga fa'amamā fa'afuase'i otometi.
Fuafuaga o le fausaga e fa'atatau i mafui'e.
98.5% fa'amaoniga o le taimi e fa'agaoioia ai.

6. Fausaga e Fa'alauteleina
O le mamanu fa'apitoa e mafai ai ona fa'aleleia le gafatia.
E fetaui ma le tele o wafer mai le 100mm i le 200mm.
Lagolagoina fa'atulagaga fa'atulagaina ma fa'alava.
Vaega e vave ona sui mo le tausiga.

7. Fa'aaogāina Lelei o le Malosiaga
E 30% le maualalo o le fa'aaogaina o le eletise nai lo isi faiga fa'apena.
E pu'eina e le faiga e toe fa'aleleia ai le vevela le 60% o le vevela ua le toe fa'aaogaina.
Fa'aogaina o algorithms mo le fa'aaogaina o le kesi.
Mana'oga o nofoaga e tausisia le LEED.

8. Fetuuna'iga o Meafaitino
Fa'atupuina ituaiga tetele uma o le SiC (4H, 6H, 3C).
E lagolagoina ituaiga eseese o le conductivity ma le semi-insulating.
E taliaina le tele o fuafuaga fa'aaoga fualaau fa'asaina (N-type, P-type).
E fetaui ma isi mea e muamua atu (e pei o le TMS, TES).

9. Fa'atinoga o le Faiga o le Vacuum
Mamafa faavae: <1×10⁻⁶ Torr
Saosaoa o le tafe: <1×10⁻⁹ Torr·L/sekone
Saosaoa o le pamuina: 5000L/s (mo le SiH₄)

Pulea otometi o le mamafa i taimi o taamilosaga tuputupu aʻe
O lenei faʻamatalaga faʻapitoa atoatoa e faʻaalia ai le gafatia o la matou faiga e gaosia ai tioata SiC e pei ona faʻatulagaina i suʻesuʻega ma le gaosiga e tutusa ma le tulaga maualuga o le alamanuia ma le maualuga o le gaosiga. O le tuʻufaʻatasiga o le pulea saʻo, mataʻituina faʻapitoa, ma le inisinia malosi e avea ai lenei faiga CVD ma filifiliga sili ona lelei mo faʻaoga R&D ma le gaosiga o le tele i eletise eletise, masini RF, ma isi faʻaoga semiconductor faʻapitoa.

Fa'amanuiaga Autu

1. Tuputupu Aʻe o le Kilisitala Maualuga
• E maualalo le mafiafia o mea sese e pei o le <1000/cm² (4H-SiC)
• Tutusa o le fa'aaogaina o le vaila'au <5% (wafers e 6-inisi)
• Mama o le tioata >99.9995%

2. Malosiaga Gafatia o le Gaosiga Tele
• Lagolagoina le tuputupu a'e o le wafer e oo atu i le 8-inisi
• Tutusa le lautele >99%
• Fesuiaiga o le mafiafia <±2%

3. Pulea Sa'o o le Fa'agasologa
• Sa'o le pulea o le vevela ±1°C
• Sa'o le pulea o le tafe o le kesi ±0.1sccm
• Sa'o le pulea o le mamafa ±0.1Torr

4. Fa'aaogāina Lelei o le Malosiaga
• 30% sili atu le fa'asaoina o le malosi nai lo auala masani
• Saosaoa o le tuputupu aʻe e oo atu i le 50-200μm/h
• Taimi e fa'agaoioia ai masini >95%

Fa'aoga Autu

1. Masini Fa'aeletoronika Malosiaga
O mea fa'apipi'i 4H-SiC e 6-inisi mo 1200V+ MOSFET/diodes, e fa'aitiitia ai le gau o le fesuia'iga e 50%.

2. Fesootaiga 5G
O mea fa'apipi'i SiC e fa'amamago fa'apitoa (tete'e >10⁸Ω·cm) mo PA o le nofoaga autu, fa'atasi ai ma le gau o le fa'aofiina <0.3dB i le >10GHz.

3. Ta'avale Malosi Fou
E fa'alauteleina e le SiC power modules le tele o le eletise e alu i le EV i le 5-8% ma fa'aitiitia le taimi e fa'atumu ai le eletise i le 30%.

4. PV Inverters
O mea e maualalo le faaletonu e faʻaleleia atili ai le lelei o le liua e sili atu i le 99% aʻo faʻaitiitia le tele o le faiga i le 40%.

Auaunaga a le XKH

1. Auaunaga Fa'apitoa
Faiga CVD e 4-8 inisi ua fa'atulagaina.
Lagolagoina le tuputupu a'e o le ituaiga 4H/6H-N, ituaiga 4H/6H-SEMI e fa'avevela ai, ma isi.

2. Lagolago Fa'apitoa
A'oa'oga atoatoa i le fa'agaioiga ma le fa'aleleia atili o le fa'agasologa.
Tali fa'atekinolosi 24/7.

3. Fofo Fa'atino
Auaunaga mai le amataga se'ia o'o i le fa'amaoniga o le faagasologa.

4. Sapalai o Meafaitino
O lo'o maua fo'i mea fa'apipi'i SiC/epi-wafers e 2-12 inisi.
Lagolagoina polytypes 4H/6H/3C.

O mea taua e eseese ai e aofia ai:
E oo atu i le 8-inisi le malosi e tuputupu a'e ai le tioata.
20% le vave o le tuputupu aʻe nai lo le averesi o le alamanuia.
98% le fa'atuatuaina o le polokalama.
Afifi atoa o le faiga fa'atonutonu atamai.