HPSI SiCOI wafer 4 6 inisi Hydropholic Bonding

Fa'amatalaga Pupuu:

O le maualuga-mama semi-insulating (HPSI) 4H-SiCOI wafers ua atiaʻe e faʻaaoga ai tekinolosi faʻapipiʻi ma faʻamamago. O wafers e gaosia e ala i le faʻapipiʻiina o le 4H HPSI silicon carbide substrates i luga o vaega o le oxide vevela e ala i auala autu e lua: hydrophilic (tuusaʻo) faʻapipiʻi ma le faʻapipiʻiina o luga. O le mea mulimuli e faʻaofi ai se vaega ua suia (e pei o le amorphous silicon, aluminum oxide, poʻo le titanium oxide) e faʻaleleia atili ai le lelei o le faʻapipiʻiina ma faʻaitiitia ai pupuni, aemaise lava mo faʻaoga opitika. O le puleaina o le mafiafia o le vaega silicon carbide e ausia e ala i le SmartCut faʻapipiʻi ion poʻo le olo ma le faʻapalapala CMP. O le SmartCut e ofoina atu le maualuga o le mafiafia tutusa (50nm–900nm ma le ±20nm tutusa) ae atonu e mafua ai sina faʻaleagaina o le tioata ona o le faʻapipiʻiina o le ion, e aʻafia ai le faʻatinoga o masini opitika. O le olo ma le faʻapalapala CMP e aloese ai mai le faʻaleagaina o meafaitino ma e sili atu ona lelei mo ata mafiafia (350nm–500µm) ma faʻaoga quantum poʻo PIC, e ui lava i le itiiti ifo o le mafiafia tutusa (±100nm). O wafer masani e 6-inisi e iai se vaega SiC e 1µm ±0.1µm i luga o se vaega SiO2 e 3µm i luga o le 675µm Si substrates ma le lamolemole lelei o le laualuga (Rq < 0.2nm). O nei wafer HPSI SiCOI e fa'afetaui i le MEMS, PIC, quantum, ma le gaosiga o masini opitika ma le lelei tele o meafaitino ma le fetu'una'i o le fa'agasologa.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Aotelega o Meatotino o le SiCOI Wafer (Silicon Carbide-on-Insulator)

O wafers SiCOI o se substrate semiconductor o le tupulaga fou e tu'ufa'atasia ai le Silicon Carbide (SiC) ma se vaega e taofia ai le vevela, e masani lava o le SiO₂ po'o le safaira, e fa'aleleia atili ai le fa'atinoga i le eletise eletise, RF, ma le photonics. O lo'o i lalo se aotelega auiliili o latou meatotino ua vaevaeina i vaega autu:

Meatotino	Fa'amatalaga
Fa'atulagaga o Meafaitino	O le vaega o le Silicon Carbide (SiC) ua fa'apipi'i i luga o se mea e fa'amafanafana ai (e masani lava o le SiO₂ po'o le safaira)
Fausaga o le Kilisitala	E masani lava o le 4H po'o le 6H polytypes o le SiC, e lauiloa mo le maualuga o le tulaga lelei o le tioata ma le tutusa
Meatotino Eletise	Mala eletise maualuga le malepe (~3 MV/cm), lautele le bandgap (~3.26 eV mo le 4H-SiC), maualalo le tafe o le eletise
Fa'avevela o le Tafega	Maualuga le fa'avevela (~300 W/m·K), e mafai ai ona fa'asa'oloto lelei le vevela
Vaega Dielectric	O le vaega e taofia ai le eletise (SiO₂ po'o le safaira) e maua ai le vavae'eseina o le eletise ma fa'aitiitia ai le gafatia o le parasitic
Meatotino Fa'amekanika	Ma'a'a maualuga (~9 Mohs scale), malosi fa'amekanika lelei tele, ma le mautu i le vevela
Fa'auma o le Laupapa	E masani lava ona matuā lamolemole ma maualalo le mafiafia o mea sese, e talafeagai mo le gaosiga o masini
Talosaga	Mea fa'aeletoronika eletise, masini MEMS, masini RF, masini fa'alogo e mana'omia ai le onosa'i i le vevela maualuga ma le voltage

O wafers SiCOI (Silicon Carbide-on-Insulator) o lo'o fa'atusalia ai se fausaga fa'apitoa o le semiconductor, e aofia ai se vaega manifinifi maualuga o le silicon carbide (SiC) ua fa'apipi'i i luga o se vaega e fa'amafanafana ai, e masani lava o le silicon dioxide (SiO₂) po'o le sapphire. O le Silicon carbide o se semiconductor e lautele le bandgap e lauiloa i lona gafatia e tete'e atu i voltage maualuluga ma le vevela maualuga, fa'atasi ai ma le lelei tele o le conductivity thermal ma le malosi fa'amekanika sili atu, ma avea ai ma mea lelei mo fa'aoga eletise maualuga le malosi, maualuga le frequency, ma le vevela maualuga.

O le vaega e taofia ai le eletise i totonu o wafers SiCOI e maua ai le vavae ese lelei o le eletise, e faʻaitiitia ai le malosi o le parasitic capacitance ma le tafe o le eletise i le va o masini, ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga atoa ma le faʻatuatuaina o le masini. O le fogāeleele wafer ua faʻapulusaina ma le saʻo ina ia maua ai le lamolemole tele ma ni faʻaletonu laiti, e faʻafetaui ai manaʻoga faigata o le gaosiga o masini laiti ma nano.

O lenei fausaga o meafaitino e le gata ina faʻaleleia atili ai uiga eletise o masini SiC ae faʻaleleia atili ai foʻi le puleaina o le vevela ma le mautu faʻamekanika. O le iʻuga, o wafers SiCOI e faʻaaogaina lautele i mea eletise eletise, vaega o le leitio (RF), masini microelectromechanical systems (MEMS), ma mea eletise vevela maualuga. I le aotelega, o wafers SiCOI e tuʻufaʻatasia ai meatotino faʻaletino tulaga ese o le silicon carbide ma faʻamanuiaga faʻaesea eletise o se vaega insulator, ma maua ai se faʻavae lelei mo le isi tupulaga o masini semiconductor maualuga.

Fa'aoga o le SiCOI wafer

Masini Fa'aeletoronika Malosiaga

Kisi eletise maualuga ma le eletise maualuga, MOSFET, ma diodes

Ia manuia mai le lautele o le bandgap a le SiC, le maualuga o le breakdown voltage, ma le mautu o le vevela

Fa'aitiitia le leiloa o le eletise ma fa'aleleia atili le lelei o faiga fa'aliliuina o le eletise

Vaega o le Frequency Radio (RF)

Transistor ma amplifiers maualuga-taimi

O le maualalo o le capacitance parasitic ona o le vaega insulating e faʻaleleia atili ai le faʻatinoga RF

Talafeagai mo feso'ota'iga 5G ma faiga radar

Faiga Fa'aeletoronika Fa'aeletoronika (MEMS)

Sensors ma actuators o loʻo faʻagaoioia i siosiomaga faigata

O le malosi fa'amekanika ma le le gaoioi fa'akemikolo e fa'aumiumi ai le umi o le masini

E aofia ai masini e iloa ai le mamafa o le mamafa, accelerometers, ma gyroscopes

Mea Fa'aeletoronika e Ma'a'a le Vevela

Mea fa'aeletoronika mo ta'avale, va'alele, ma fa'aoga tau alamanuia

Fa'agaoioia ma le fa'atuatuaina i le vevela maualuga pe a fa'aletonu le silicon

Masini Fa'a-Fonika

Tuufaatasia ma vaega optoelectronic i luga o substrates insulator

E mafai ai ona fa'atino le photonics i luga o le chip ma fa'aleleia atili ai le puleaina o le vevela

Fesili ma Tali a le SiCOI wafer

F：O le ā le SiCOI wafer

A：O le SiCOI wafer e fa'atusa i le Silicon Carbide-on-Insulator wafer. O se ituaiga o mea e fai i le semiconductor lea e fa'apipi'i ai se vaega manifinifi o le silicon carbide (SiC) i luga o se vaega e taofia ai le vevela, e masani lava o le silicon dioxide (SiO₂) po'o nisi taimi o le sapphire. O lenei fausaga e tutusa lona manatu ma le Silicon-on-Insulator (SOI) wafers lauiloa ae fa'aaoga le SiC nai lo le silicon.