Ipu keramika SiC graphite ma le ufiufi CVD SiC mo meafaigaluega

E lē gata ina fa'aaogaina keramika silicon carbide i le la'asaga o le fa'aputuina o ata manifinifi, e pei o le epitaxy po'o le MOCVD, po'o le fa'agasologa o le wafer, o le fatu lea e muamua fa'aogaina ai fata o le wafer carrier mo le MOCVD i le siosiomaga fa'aputuina, ma o lea e matua tete'e lava i le vevela ma le 'ele. O carriers ua ufiufi i le SiC e maualuga fo'i le conductivity thermal ma lelei tele meatotino tufatufaina o le thermal.

O le masini e feavea'i ai le wafer o le Pure Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) mo le fa'agasologaina o le Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) i le vevela maualuga.

E sili atu le lelei o avega mama o le CVD SiC nai lo avega masani o le CVD SiC, o lo'o fa'aaogaina i lenei faiga, o le graphite ma ua ufiufi i se vaega o le CVD SiC. O nei avega ua ufiufi i le graphite e le mafai ona tatalia le vevela maualuga (1100 i le 1200 tikeri Celsius) e mana'omia mo le fa'aputuina o le GaN i le lanu moana ma le pa'epa'e susulu maualuga o aso nei. O le vevela maualuga e mafua ai ona fausia ni pu laiti i le ufiufi lea e fa'aleagaina ai e vaila'au fa'agasolo le graphite i lalo. Ona vavae'ese lea o vaega o le graphite ma fa'aleagaina ai le GaN, ma mafua ai ona sui le avega ua ufiufi.

O le CVD SiC e mama e 99.999% pe sili atu ma e maualuga le tete'e atu i le vevela ma le tete'e atu i le te'i. O le mea lea, e mafai ona tatalia le vevela maualuga ma siosiomaga faigata o le gaosiga o le LED e maualuga le pupula. O se mea malosi e tasi e o'o atu i le mafiafia fa'ateorē, e itiiti ni vaega e gaosia ai, ma e matua'i tete'e atu i le 'ele ma le solo. E mafai e le mea ona suia le opacity ma le conductivity e aunoa ma le fa'aopoopoina o mea leaga u'amea. O mea e feavea'i ai le wafer e masani lava e 17 inisi le lautele ma e mafai ona uuina ai le 40 wafer e 2-4 inisi le umi.