Meafaigaluega Fa'amama Wafer mo le Fa'agasologaina o Wafers Sapphire/SiC/Si e 4 Inisi-12 Inisi

1. Afifiina Fa'atekonolosi
• IC 3D: O le fa'aitiitia o le wafer e mafai ai ona fa'aputu fa'atulagaina o chips logic/memory (e pei o HBM stacks), ma ausia ai le 10× bandwidth maualuga atu ma le 50% fa'aitiitia le fa'aaogaina o le eletise pe a fa'atusatusa i fofo 2.5D. E lagolagoina e le masini le hybrid bonding ma le TSV (Through-Silicon Via) integration, e taua tele mo AI/ML processors e mana'omia le <10 μm interconnect pitch. Mo se fa'ata'ita'iga, o wafers 12-inisi ua fa'aitiitia i le 25 μm e mafai ai ona fa'aputu 8+ vaega a'o fa'atumauina pea le <1.5% warpage, e taua tele mo masini LiDAR i ta'avale.

• Afifiina e ala i le Fan-Out: I le fa'aitiitia o le mafiafia o le wafer i le 30 μm, e fa'apu'upu'uina ai le umi o feso'ota'iga i le 50%, e fa'aitiitia ai le tuai o le fa'ailo (<0.2 ps/mm) ma fa'ataga ai ni chiplets manifinifi e 0.4 mm mo SoC feavea'i. O le faiga e fa'aaogaina ai algorithms olo e tauia e le atuatuvale e puipuia ai le warpage (pulea o le TTV>50 μm), ma fa'amautinoa ai le fa'atuatuaina i fa'aoga RF maualuga.

2. Eletise Malosiaga
• IGBT Modules: O le fa'amamago i le 50 μm e fa'aitiitia ai le tete'e atu i le vevela i le <0.5°C/W, ma mafai ai e 1200V SiC MOSFET ona fa'agaoioia i le vevela o le junction e 200°C. O a matou masini e fa'aaogaina le oloina o le tele o vaega (coarse: 46 μm grit → fine: 4 μm grit) e fa'aumatia ai le fa'aleagaina o le eleele i lalo, ma ausia ai le >10,000 ta'amilosaga o le fa'atuatuaina o le ta'amilosaga vevela. E taua tele lenei mea mo EV inverters, lea e fa'aleleia ai e le 10 μm-m-mafiafia SiC wafers le saoasaoa o le fesuia'iga i le 30%.
• Masini Fa'aeletise GaN-on-SiC: O le fa'aitiitia o le fa'amama o le Wafer i le 80 μm e fa'aleleia atili ai le fe'avea'i o le eletise (μ > 2000 cm²/V·s) mo le 650V GaN HEMTs, ma fa'aitiitia ai le gau o le fa'aosofiaga e 18%. O le faiga e fa'aogaina ai le tipiina e fesoasoani i le laser e puipuia ai le māvaevae i le taimi o le fa'amama, ma maua ai le <5 μm edge chipping mo RF power amplifiers.

3. Optoelectronics
• GaN-on-SiC LEDs: O le 50 μm sapphire substrates e faʻaleleia atili ai le lelei o le faʻamamago o le malamalama (LEE) i le 85% (e faʻatusatusa i le 65% mo wafers 150 μm) e ala i le faʻaitiitia o le photon trapping. O le pulea maualalo tele o le TTV a a matou meafaigaluega (<0.3 μm) e faʻamautinoa ai le tutusa o le faʻasalalauina o le LED i wafers e 12-inisi, e taua tele mo faʻaaliga Micro-LED e manaʻomia ai le tutusa o le wavelength <100nm.
• Silicon Photonics: O le 25μm-m-mafiafia o le silicon wafers e mafai ai ona fa'aitiitia le 3 dB/cm o le fa'asalalauina o le eletise i totonu o waveguides, e taua mo le 1.6 Tbps optical transceivers. O le faiga e fa'apipi'i ai le CMP smoothing e fa'aitiitia ai le roughness o le fogaeleele i le Ra <0.1 nm, fa'aleleia atili ai le lelei o le coupling e 40%.

4. Sene MEMS
• Accelerometers: O wafers silicon e 25 μm e ausia le SNR >85 dB (e fa'atusatusa i le 75 dB mo wafers e 50 μm) e ala i le fa'ateleina o le maaleale o le fa'agasologa o le mamafa o le mea e fa'amaonia. O la matou faiga olo e lua-axis e tauia ai le fa'agasologa o le mamafa, ma fa'amautinoa ai le <0.5% o le maaleale o le fa'agasologa i luga atu o le -40°C i le 125°C. O fa'aoga e aofia ai le iloa o fa'alavelave tau ta'avale ma le siakiina o gaioiga AR/VR.

• Sensors o le Mamafa: O le fa'amamago i le 40 μm e mafai ai ona faia le 0–300 pa fua fa'atatau ma le <0.1% FS hysteresis. I le fa'aaogaina o le fa'apipi'i le tumau (mea e feavea'i ai tioata), o le faiga e 'alofia ai le gau o le wafer i le taimi o le etching i tua, ma ausia ai le <1 μm overpressure tolerance mo sensors IoT fa'apisinisi.

• Fa'atasiga Fa'atekinolosi: O a matou meafaigaluega fa'amamago wafer e tu'ufa'atasia ai le oloina fa'amekanika, CMP, ma le etching plasma e fa'afetaia'ia ai lu'itau eseese o meafaitino (Si, SiC, Sapphire). Mo se fa'ata'ita'iga, e mana'omia e le GaN-on-SiC le oloina fa'afefiloi (uili taimane + plasma) e paleni ai le malosi ma le fa'alauteleina o le vevela, ae o masini MEMS e mana'omia le roughness o luga e itiiti ifo i le 5 nm e ala i le fa'apulusaina o le CMP.

• Aafiaga o Alamanuia: I le fa'agaoioia o ni wafer manifinifi ma sili atu le lelei, o lenei tekinolosi e fa'atupuina ai ni fa'afouga i ni AI chips, 5G mmWave modules, ma mea fa'aeletoronika fetu'una'i, fa'atasi ai ma le TTV tolerances <0.1 μm mo fa'aaliga gaugau ma le <0.5 μm mo masini fa'alogo LiDAR i ta'avale.