Pe a faʻatusatusa i masini carbide silicon, gallium nitride power devices o le a sili atu ona lelei i faʻataʻitaʻiga lea e manaʻomia ai le lelei, taimi, voluma ma isi vaega faʻapitoa i le taimi e tasi, e pei o le gallium nitride faʻavae masini ua faʻaaogaina ma le manuia i le fanua o le faʻapipiʻiina vave i luga. se fua tele.Faʻatasi ai ma le faʻalauiloaina o talosaga fou i lalo, ma le faʻaauau pea o le gaosiga o le gallium nitride substrate technology, e tatau ona faʻaauau pea ona faʻateleina le tele o masini GaN, ma o le a avea ma se tasi o tekinolosi autu mo le faʻaitiitia o tau ma le lelei, atinaʻe lanu meamata gafataulimaina.
I le taimi nei, o le lona tolu o augatupulaga o mea semiconductor ua avea ma se vaega taua o fuafuaga faʻalauiloa alamanuia, ma o loʻo avea foʻi ma taʻiala faʻatonuga e faoa le isi augatupulaga o faʻamatalaga tekonolosi, faʻasao malosi ma faʻaitiitiga faʻaitiitiga ma tekonolosi puipuiga a le atunuu.Faatasi ai ma i latou, o le gallium nitride (GaN) o se tasi lea o mea sili ona suitulaga tolu-tupulaga semiconductor mea e pei o se mea lautele bandgap semiconductor mea ma se bandgap o 3.4eV.
I le aso 3 o Iulai, na faʻamalosia ai e Saina le faʻatau atu o le gallium ma le germanium mea e fesoʻotai i ai, o se suiga taua o faiga faʻavae e faʻavae i luga o le uiga taua o le gallium, o se uʻamea e le masani ai, e pei o le "saito fou o le semiconductor industry," ma lona lautele faʻaoga lelei i totonu. mea semiconductor, malosi fou ma isi fanua.E tusa ai ma lenei suiga o faiga faavae, o lenei pepa o le a talanoaina ma auʻiliʻili le gallium nitride mai vaega o tekinolosi sauniuni ma luitau, tulaga tuputupu aʻe fou i le lumanaʻi, ma mamanu tauvaga.
O se folasaga puupuu:
Gallium nitride o se ituaiga mea semiconductor synthetic, o se sui masani o le tupulaga lona tolu o mea semiconductor.Pe a faʻatusatusa i mea masani masani, gallium nitride (GaN) o loʻo i ai le lelei o le tele o fusi-gap, malosi male eletise eletise, maualalo i luga o le tetee, maualuga le eletise eletise, maualuga le liua, maualuga le vevela ma le maualalo.
Gallium nitride tioata tasi o se augatupulaga fou o mea semiconductor ma le faatinoga sili ona lelei, lea e mafai ona faʻaaogaina lautele i fesoʻotaʻiga, radar, faʻatau eletise, masini eletise, malosi malosi, gaosiga o le laser alamanuia, meafaifaʻaili ma isi fanua, o lona atinaʻe ma le tele o gaosiga e. le taula'i atu i ai o atunuu ma alamanuia i le lalolagi.
Faʻaaogaina o le GaN
1--5G nofoaga autu o fesootaiga
O fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga e leai se fesoʻotaʻiga o le vaega autu o le faʻaogaina o masini gallium nitride RF, faʻamaumauga mo le 50%.
2--Sapalai malosi maualuga
O le uiga "lua maualuga" o le GaN o loʻo i ai le tele o le faʻaogaina o masini eletise faʻatau, lea e mafai ona faʻamalieina manaʻoga o le vave faʻapipiʻiina ma le puipuiga o faʻamatalaga.
3--Taavale malosi fou
Mai le faʻatinoga faʻatinoga o le manatu, o le taimi nei lona tolu-tupulaga semiconductor masini i luga o le taavale e tele lava masini carbide silicon, ae o loʻo i ai mea talafeagai gallium nitride e mafai ona pasia le faʻamaoniaga tulafono faatonutonu taavale o modules masini eletise, poʻo isi auala talafeagai afifiina, o le a. e talia pea e le fale atoa ma OEM gaosi.
4--Fa'amaumauga autu
GaN eletise eletise e masani ona faʻaaogaina i iunite eletise PSU i nofoaga autu o faʻamatalaga.
I se aotelega, faatasi ai ma le aliaʻe o talosaga fou i lalo ma faʻaauau faʻalavelave i le gallium nitride substrate preparation technology, o masini GaN e faʻamoemoe e faʻaauau pea le faʻateleina o le voluma, ma o le a avea ma se tasi o tekinolosi autu mo le faʻaitiitia o tau ma le lelei ma le faʻalauteleina o le atinaʻe lanu meamata.
Taimi meli: Iul-27-2023