8inisi 200mm Silicon Carbide SiC Wafers ituaiga 4H-N Vasega gaosiga 500um le mafiafia

8inisi 200mm Silicon Carbide SiC Wafers ituaiga 4H-N Vasega gaosiga 500um mafiafia Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd e ofoina atu le filifiliga sili ona lelei ma tau mo wafer silicon carbide maualuga ma substrates e oo atu i le 8 inisi le lautele ma ituaiga N- ma le semi-insulating. O kamupani masini semiconductor laiti ma tetele ma fale suʻesuʻe i le lalolagi atoa e faʻaaogaina ma faʻalagolago i a matou wafer silicone carbide.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'amatalaga o le SiC Substrate 200mm 8inisi

Tele: 8 inisi;

Lapoa: 200mm±0.2;

Mafiafia: 500um±25;

Fa'asaga i luga: 4 agai atu i le [11-20]±0.5°;

Fa'atulagaga o le notch:[1-100]±1°；

Loloto o le notch: 1±0.25mm；

Paipa Maikolo: <1cm2;

Papatusi Hex: E Le Fa'atagaina;

Tete'e: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: eria <1%

TTV≤15um；

Warp≤40um;

Aufana ≤25um;

Eria Poly: ≤5%;

Vali: <5 ma le Umi Fa'aputuga< 1 Lapo'a o le Wafer;

Chips/Indents: E leai se mea e fa'atagaina ai le D>0.5mm lautele ma le loloto;

Māvaevae: Leai;

Pi'o: Leai

Pito o le uamea: Chamfer;

Fa'auma o le fogāeleele: Fa'apala i le itu e lua, Si Face CMP;

Afifiina: Kaseti tele-wafer poʻo le pusa Wafer e tasi;

O faigata o loʻo iai nei i le sauniuniga o tioata 200mm 4H-SiC e tele lava ina

1) O le sauniuniga o ni kirisitala fatu e 200mm 4H-SiC e maualuga le lelei;

2) Le tele o le vevela o le fanua e le tutusa ma le puleaina o le faagasologa o le nucleation;

3) Le lelei o felauaiga ma le alualu i luma o vaega kesi i totonu o faiga tuputupu aʻe tioata tetele;

4) O le māvaevae o le tioata ma le faʻateleina o faʻaletonu e mafua mai i le faʻateleina o le tele o le atuatuvale i le vevela.

Ina ia foia nei luitau ma maua ai ni fofo maualuga le lelei o le 200mm SiC wafers, o loʻo fautuaina atu ai:

I tulaga o le sauniuniga o le tioata fatu 200mm, o le vevela talafeagai o le fanua tafe, ma le faʻalauteleina o le faʻapotopotoga na suʻesuʻeina ma mamanuina ina ia amanaʻia ai le lelei o le tioata ma le tele o le faʻalauteleina; Amata i le tioata SiC 150mm se:d, faʻatino le faʻataʻitaʻiga o le tioata fatu e faʻalautele malie ai le tioata SiC seʻia oʻo i le 200mm; E ala i le tele o le tuputupu aʻe ma le faʻagasologa o le tioata, faʻaleleia malie ai le lelei o le tioata i le vaega o le faʻalauteleina o le tioata, ma faʻaleleia atili le lelei o tioata fatu 200mm.

I le tulaga o le sauniuniga o le tioata fa'aeletise e 200mm ma le substrate, ua fa'aleleia atili ai e su'esu'ega le mamanu o le vevela ma le tafe o le fanua mo le tuputupu a'e o tioata tetele, fa'atino le tuputupu a'e o le tioata SiC fa'aeletise e 200mm, ma pulea le tutusa o le doping. Ina ua mae'a le fa'agasologa ma le fa'atulagaina o le tioata, na maua ai se ingot 4H-SiC fa'aeletise e 8-inisi ma se lautele masani. Ina ua mae'a ona tipiina, oloina, fa'apulusaina, fa'agasoloina e maua ai ni wafers SiC 200mm e 525um le mafiafia pe tusa ma le 5.