8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N ituaiga Gaosia vasega 500um mafiafia

Fa'amatalaga Puupuu:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd o lo'o ofoina atu le filifiliga sili ma tau mo le silicon carbide wafers ma substrates e o'o atu i le 8inch diameters ma ituaiga N- ma semi-insulating.O kamupani laiti ma tetele semiconductor masini ma fale su'esu'e i le lalolagi atoa o lo'o fa'aogaina ma fa'alagolago i a tatou ufi carbide silikoni.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

200mm 8inch SiC Substrate Fa'amatalaga

Tele: 8 inisi;

Diamita: 200mm±0.2;

Mafiafia: 500um±25;

Fa'asagaga i luga ole laiga: 4 agai i le [11-20]±0.5°;

Fa'asinomaga Notch:[1-100]±1°；

Notch loloto: 1±0.25mm;

paipa micro: <1cm2;

Papatusi Hex: Leai se Fa'atagaina;

Resistivity: 0.015 ~ 0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: vaega<1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Aufana≤25um；

Eria Poly: ≤5%;

Sisi: <5 ma le Umi Fa'aputu< 1 Wafer Diameter;

Chips/Indents: Leai se fa'atagaina D>0.5mm Lautele ma Lele;

Ta'eta'ei: Leai;

Pisa: Leai

Fa'ai'u pito: Chamfer;

Fa'ai'uga i luga: Polani Itu Faalua, Si Face CMP;

Fa'aputuina: Tele-wafer Kaseti Po'o Tasi Wafer Container;

O faigata i le taimi nei i le sauniuniga o tioata 200mm 4H-SiC mainl

1) Le sauniuniga o tioata fatu 200mm 4H-SiC maualuga;

2) Lapo'a lapo'a vevela fanua le tutusa ma le nucleation pulea faagasologa;

3) Le lelei o felauaiga ma le faʻaleleia o vaega kasa i le tele o le tuputupu aʻe tioata;

4) Ta'eta'e tioata ma fa'aletonu le fa'atuputeleina e mafua mai i le fa'atuputeleina o le mamafa o le vevela.

Ina ia foia nei luitau ma maua ai le maualuga 200mm SiC waferssolutions ua fautuaina:

I le tulaga o le 200mm fatu tioata sauniuniga, vevela fieldflow fanua talafeagai, ma le faalauteleina o le faapotopotoga sa suesueina ma fuafuaina e ave intoaccount tioata tulaga lelei ma faalauteleina tele;Amata ile tioata 150mm SiC se:d, fa'atino le su'esu'ega tioata o fatu e fa'asolo malie ai le fa'amama siC se'ia o'o ile 200mm;E ala i le tele o le tuputupu aʻe tioata ma le faagasologa, faasolosolo malie le lelei o le tioata i totonu o le tioata faʻalauteleina, ma faʻaleleia le lelei o tioata fatu 200mm.

I le tulaga o le 200mm tioata conductive ma substrate sauniuniga, suʻesuʻega ua optimized le vevela feld ma tafe mamanu fanua mo crystalgrowth lapoa lapoa, faafoe 200mm conductive SiC tuputupu ae tioata, ma pulea doping uniformity.Ina ua maeʻa le faʻagasologa ma le faʻatulagaina o le tioata, na maua ai se 8-inchelectricaly conductive 4H-SiC ingot ma se lautele masani.A maeʻa ona tipi, olo, faʻamalo, faʻagaioiga e maua ai SiC 200mm wafers ma le mafiafia o le 525um pe sili atu.