Wafer 12-Inisi 4H-SiC mo matatioata AR

Fa'amatalaga Pupuu:

O le12-inisi le u'amea fa'aeletise 4H-SiC (silicon carbide)o se semiconductor wafer lautele-bandgap ultra-large diameter ua atiaʻe mo le isi tupulagamaualuga le voltage, maualuga le mana, maualuga le televave, ma le maualuga le vevelagaosiga o eletise eletise. Fa'aaogaina o penefiti totino o le SiC—e pei ofanua eletise taua tele, saoasaoa maualuga o le eletise ua fa'atumuina, maualuga le fa'avevela, mamautu lelei o vailaʻau—o lenei mea fa'avae ua tu'uina atu o se mea fa'avae mo fa'avae fa'aonaponei o masini eletise ma fa'aoga fou o masini fa'apipi'i i vaega tetele.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Ata Auiliili

Aotelega

Ina ia faʻafetaui manaʻoga o le alamanuia atoa mofa'aitiitia o tau ma fa'aleleia atili o le gaosiga, le suiga mai le tulaga masani6–8 inisi SiC to 12-inisi SiCO mea fa'apipi'i ua lauiloa lautele o se auala autu. O se wafer e 12-inisi e maua ai se vaega e sili atu ona tele e mafai ona fa'aaogaina nai lo fa'atulagaga laiti, e mafai ai ona maualuga le gaosiga o le die i wafer ta'itasi, fa'aleleia atili le fa'aaogaina o wafer, ma fa'aitiitia ai le fua fa'atatau o le leiloa o pito—ma lagolagoina ai le fa'aleleia atili o tau o gaosiga i le sapalai atoa.

Auala e Faia ai le Tuputupu Aʻe o le Tioata ma le Faia o le Wafer

O lenei mea e 12-inisi le umi e fa'aaogaina ai le eletise 4H-SiC e gaosia e ala i se ufiufi atoa o le fa'agasologa.fa'alauteleina o fatu, tuputupu a'e o le tasi-kristal, fa'amamago, fa'amamago, ma le fa'apulusaina, mulimuli i faiga masani o le gaosiga o semiconductor:

Fa'alauteleina o fatu e ala i le Physical Vapor Transport (PVT):
O le 12-inisiKilisitala fatu 4H-SiCe maua e ala i le faʻalauteleina o le lautele e faʻaaoga ai le metotia PVT, e mafai ai ona tupu aʻe ni boules 4H-SiC e 12-inisi le umi.
Tuputupu aʻe o le tioata e tasi e faʻaoso ai le 4H-SiC:
Fa'aeletisen⁺ 4H-SiCE ausia le tuputupu aʻe o le tioata e tasi e ala i le faʻaopoopoina o le naitokene i totonu o le siosiomaga tuputupu aʻe e maua ai le faʻaaogaina o le donor e pulea lelei.
Gaosiga o le uamea (fa'agasologa masani o le semiconductor):
A maeʻa ona faʻatulagaina le boule, e gaosia ni wafers e ala itipiina o le laser, sosoo ai mafa'amama, fa'apulusaina (e aofia ai le fa'auma i le tulaga CMP), ma le fa'amamāina.
O le mafiafia o le substrate e mafua mai ai560 μm.

O lenei auala tuʻufaʻatasia ua mamanuina e lagolago ai le tuputupu aʻe mautu i le lautele tele aʻo faʻatumauina pea le tulaga lelei o le faʻataʻitaʻiga o le tioata ma meatotino eletise tutusa.

Ina ia mautinoa le iloiloga atoatoa o le lelei, o le substrate e faʻamatalaina e ala i le faʻaaogaina o se tuʻufaʻatasiga o meafaigaluega faʻatulagaina, vaʻaia, eletise, ma siaki faʻaletonu:

Fa'aaliga o le Raman (fa'afanua o le eria):fa'amaoniga o le tutusa o le polytype i luga o le wafer
Fa'atekonolosi mata otometi atoatoa (fa'afanua o le wafer):iloa ma iloiloga fa'amaufa'ailoga o paipa laiti
Fua fa'atatau o le tete'e e le fesoota'i (fa'afanua o le wafer):tufatufaina atu o le resistivity i luga o le tele o nofoaga e fuaina ai
Fa'a'ese'esega maualuga o le X-ray (HRXRD):iloiloga o le tulaga lelei o le tioata e ala i le fuaina o le pi'o o le lulu
Su'esu'ega o le see ese o le tulaga (pe a uma ona tipiina ma le filifilia):iloiloga o le mafiafia ma le fausaga o le sele (fa'atasi ai ma le fa'amamafa i le sele o fa'amau)

sic wafer 10

Fa'ai'uga Autū o le Fa'atinoga (Sui)

O faʻamaoniga o faʻamatalaga e faʻaalia ai o le 12-inisi conductive 4H-SiC substrate e faʻaalia ai le tulaga lelei o meafaitino i tulaga taua:

(1) Mama ma le tutusa o le Polytype

O lo'o fa'aalia mai i le fa'afanua o le eria o Raman100% 4H-SiC polytype ufiufii luga o le substrate.
E leai se aofia ai o isi polytypes (e pei o le 6H po'o le 15R) ua iloa, e fa'ailoa mai ai le pulea lelei o le polytype i le fua e 12-inisi.

(2) Mafiafia o paipa maikolo (MPD)

O le fa'afanua o le microscopy o le Wafer-scale e fa'ailoa mai ai semafiafia o paipa laiti < 0.01 cm⁻², o loʻo atagia mai ai le taofiofia lelei o lenei vaega o faʻaletonu e faʻatapulaʻaina ai masini.

(3) Tete'e eletise ma le tutusa

O le fa'afanua o le tete'e e le fesoota'i (fuaina o le 361-point) e fa'aalia ai:
- Va'aiga o le tete'e:20.5–23.6 mΩ·cm
- Tete'e masani:22.8 mΩ·cm
- Le tutusa:< 2%
  O nei taunuuga e faʻaalia ai le tutusa lelei o le tuʻufaʻatasia o le dopant ma le tutusa lelei o le eletise i le fua o le wafer.

(4) Tulaga lelei o le tioata (HRXRD)

Fuaina o le pi'o lūlūina o le HRXRD i luga o le(004) fa'ata'ita'iga, na aveina i lelima 'aii le itu o le lautele o le wafer, fa'aali:
- Tumutumu ta'itasi, e toetoe lava a tutusa e aunoa ma se amioga e tele-tumutumu, e fa'ailoa mai ai le leai o ni foliga o tuaoi o fatu e maualalo le tulimanu.
- FWHM averesi:20.8 arcsec (″), e fa'aalia ai le maualuga o le tulaga lelei o le tioata.

(5) Mafiafia o le fa'ase'eina o sikulima (TSD)

A maeʻa le tipiina filifilia ma le suʻesuʻega otometi, o lemafiafia o le soloia o le faovilivilie fuaina i le2 senitimita⁻², o lo'o fa'aalia ai le TSD maualalo i le fua fa'atatau e 12-inisi.

Fa'ai'uga mai i'uga o lo'o i luga:
O le substrate e faʻaalia ailelei tele le mama o le polytype 4H, maualalo tele le mafiafia o le micropipe, mautu ma tutusa le tete'e maualalo, malosi le lelei o le crystalline, ma maualalo le mafiafia o le fa'ase'eina o sikulima, e lagolagoina ai lona talafeagai mo le gaosiga o masini fa'aonaponei.

Taua ma Penefiti o le Oloa

E mafai ai ona fesiita'i le gaosiga o le SiC 12-inisi
O lo'o tu'uina atu se fa'avae maualuga le tulaga lelei e ogatasi ma le fa'afanua o le alamanuia agai i le gaosiga o le wafer SiC 12-inisi.
Maualalo le mafiafia o mea sese mo le fa'aleleia atili o le gaosiga ma le fa'atuatuaina o le masini
E matuā maualalo le mafiafia o micropipe ma le maualalo o le mafiafia o le see o faovilivili e fesoasoani e fa'aitiitia ai fa'alavelave matuia ma fa'atapula'a o le leiloa o le fua.
Lelei tele le tutusa o le eletise mo le mautu o le faagasologa
O le tufatufaina lelei o le tete'e e lagolago ai le fa'aleleia atili o le wafer-i-le-wafer ma le tutusa i totonu o le masini wafer.
Tulaga maualuga o le crystalline e lagolagoina ai le epitaxy ma le fa'agasologa o masini
O taunuuga o le HRXRD ma le leai o ni fa'ailoga o tuaoi o fatu e maualalo le tulimanu ua fa'aalia ai le tulaga lelei o meafaitino mo le tuputupu a'e o le epitaxial ma le gaosiga o masini.

Talosaga Fa'atatau

O le 12-inisi conductive 4H-SiC substrate e faʻaaogaina i:

Masini eletise SiC:MOSFET, Schottky barrier diodes (SBD), ma fausaga e fesoʻotaʻi i ai
Ta'avale eletise:o masini fa'aliliuina autu o le traction, o masini fa'atumu i luga o le initaneti (OBC), ma masini fa'aliliu DC-DC
Malosiaga fa'afouina ma le upega eletise:inverters photovoltaic, faiga e teu ai le malosi, ma modules grid atamai
Mea fa'aeletoronika eletise fa'apisinisi:sapalai eletise e maualuga le lelei, ta'avale afi, ma mea fa'aliliu eletise maualuga
Mana'oga mo le fausiaina o se vaega tele o le wafer fou:afifiina fa'apitoa ma isi fa'ata'ita'iga gaosiga o semiconductor e fetaui ma le 12-inisi

Fesili Masani – 12-Inisi Conductive 4H-SiC Substrate

F1. O le ā le ituaiga o le SiC substrate o lenei oloa?

A:
O lenei oloa o seMea fa'aeletise e tasi le tioata e 12-inisi le umi e fa'aola ai le eletise (ituaiga-n⁺) 4H-SiC, totoina e ala i le metotia o le Physical Vapor Transport (PVT) ma faʻagaioia e faʻaaoga ai metotia masani o le semiconductor wafering.

F2. Aiseā ua filifilia ai le 4H-SiC e fai ma polytype?

A:
O le 4H-SiC e ofoina atu le tu'ufa'atasiga sili ona lelei omaualuga le fe'avea'i o le eletise, lautele le va o le fusi, maualuga le fanua o le malepe, ma le fa'avevela o le conductivityi totonu o ituaiga SiC talafeagai faapisinisi. O le ituaiga autu lea e faʻaaogaina momasini SiC maualuga-voltage ma le malosi maualuga, e pei o MOSFET ma Schottky diodes.

F3. O a ni penefiti o le fesuia'i mai le 8-inisi i le 12-inisi SiC substrates?

A:
O le wafer SiC e 12-inisi e maua ai:

Taua telelautele le lautele o le fogāeleele e mafai ona fa'aaogaina
Maualuga le gaosiga o le die i le wafer ta'itasi
Fua fa'atatau maualalo o le pito-leiloa
Fa'aleleia atili le fetaui malaina gaosiga fa'atekonolosi fa'apitoa e 12-inisi

O nei mea e fesoasoani sa'o i letau maualalo mo masini ta'itasima le maualuga o le lelei o le gaosiga.

Faatatau ia tatou

E fa'apitoa le XKH i le atina'eina o tekinolosi maualuluga, gaosiga, ma le fa'atauina atu o tioata opitika fa'apitoa ma mea fou fa'akristali. O a matou oloa e tautua i mea fa'aeletoronika opitika, mea fa'aeletoronika fa'atau, ma le militeri. Matou te ofoina atu vaega opitika Sapphire, ufi tioata telefoni feavea'i, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ma semiconductor crystal wafers. Fa'atasi ai ma le tomai fa'apitoa ma meafaigaluega fa'aonaponei, matou te matua'i lelei i le fa'agasologaina o oloa e le masani ai, ma le fa'amoemoe e avea ma se pisinisi fa'atekonolosi maualuga e ta'imua i meafaitino optoelectronic.