12 Inisi le lautele o le substrate SiC 300mm Mafiafia 750μm E mafai ona fa'apitoa le ituaiga 4H-N

Fa'amatalaga Pupuu:

I se taimi taua i le suiga o le alamanuia semiconductor agai i ni fofo e sili atu ona lelei ma laʻititi, o le tulaʻi mai o le 12-inisi SiC substrate (12-inisi silicon carbide substrate) ua matua suia ai le laufanua. Pe a faʻatusatusa i faʻamatalaga masani o le 6-inisi ma le 8-inisi, o le tele o le lelei o le 12-inisi substrate e faʻateleina ai le aofaʻi o chips e gaosia i le wafer taʻitasi e sili atu ma le fa. E le gata i lea, o le tau o le iunite o le 12-inisi SiC substrate e faʻaitiitia i le 35-40% pe a faʻatusatusa i substrates masani o le 8-inisi, lea e taua tele mo le faʻaaogaina lautele o oloa mulimuli.
I le faʻaaogaina o la matou tekinolosi faʻapitoa mo le tuputupu aʻe o le felauaiga o le ausa, ua matou ausia ai le puleaina sili ona lelei i luga o le mafiafia o le fevaevaeaʻiga i totonu o tioata e 12-inisi, ma maua ai se faʻavae tulaga ese mo meafaitino mo le gaosiga o masini i le lumanaʻi. O lenei alualu i luma e matua taua tele i le lotolotoi o le le lava o chips i le lalolagi atoa i le taimi nei.

O masini eletise autū i faʻaoga masani—e pei o nofoaga e faʻatumu vave ai le EV ma nofoaga autu 5G—o loʻo faʻateleina le faʻaaogaina o lenei mea tele. Aemaise lava i le vevela maualuga, voltage maualuga, ma isi siosiomaga faigata o loʻo faʻaaogaina, o le mea e 12-inisi le SiC e faʻaalia ai le mautu sili atu pe a faʻatusatusa i mea e faʻavae i le silicon.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Fa'amatalaga o le 12 inisi o le Silicon Carbide (SiC) Substrate
Vasega		Gaosiga o le ZeroMPD Vasega (Vasega Z)	Gaosiga Masani Vasega (Vasega P)		Vasega Fa'ata'ita'i (Vasega D)
Lapo'a		3 0 0 mm~1305mm
Mafiafia	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Fa'asinomaga o le Wafer		Ese mai le itu: 4.0° agai i le <1120 >±0.5° mo le 4H-N, I luga o le itu: <0001>±0.5° mo le 4H-SI
Mafiafia o le Micropipe	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Tete'e	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Fa'asinomaga Laulau Muamua		{10-10} ±5.0°
Umi Mafolafola Autū	4H-N	Leai se totogi
	4H-SI	Notch
Tuusaunoaga o le Pito		3 milimita
LTV/TTV/Aufana/Vau		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Fa'alavelave		Polani Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Fa'aaofia o le Carbon Va'aia Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi		Leai se tasi Eria fa'aputu ≤0.05% Leai se tasi Eria fa'aputu ≤0.05% Leai se tasi			Umi fa'aputu ≤ 20 mm, umi e tasi ≤2 mm Eria fa'aputu ≤0.1% Eria fa'aputu ≤3% Eria fa'aputu ≤3% Umi fa'aputu ≤1 × lautele o le wafer
Fa'amamago Pito e ala i le Malamalama Malosi Maualuga		E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2mm le lautele ma le loloto			7 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi
(TSD) Fa'ase'eina o le fa'asolo o le sikulima		≤500 cm-2		Leai se totogi
(BPD) Sese o le fa'avae o le vaalele		≤1000 cm-2		Leai se totogi
Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le Malamalama Malosi Maualuga		Leai se tasi
Afifiina		Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi
Fa'amatalaga:
1 E fa'atatau tapula'a o fa'aletonu i le fogā'ele'ele atoa o le apa vagana ai le vaega e le aofia ai pito. 2E tatau ona siaki ia maosi i foliga o Si. 3 O faʻamaumauga o le sele o le tino e naʻo mai ni wafer ua vaneina i le KOH.

Vaega Autū

1. Malosiaga o le Gaosiga ma le Tau o le Fa'amanuiaga: O le gaosiga tele o le 12-inisi SiC substrate (12-inisi silicon carbide substrate) o lo'o fa'ailogaina ai se vaitau fou i le gaosiga o semiconductor. O le aofa'i o chips e maua mai se wafer e tasi e o'o atu i le 2.25 taimi nai lo le 8-inisi substrates, ma fa'ateleina ai le lelei o le gaosiga. O manatu o tagata fa'atau e fa'aalia ai o le fa'aaogaina o le 12-inisi substrates ua fa'aitiitia ai tau o le gaosiga o a latou power module i le 28%, ma fa'atupuina ai se tulaga lelei tau tauvaga i le maketi o lo'o finauina malosi.
2. Uiga Fa'aletino Mata'ina: O le 12-inisi SiC substrate e mautofi i fa'amanuiaga uma o le silicon carbide material - o lona thermal conductivity e 3 taimi nai lo le silicon, ae o lona breakdown field strength e o'o atu i le 10 taimi nai lo le silicon. O nei uiga e mafai ai e masini e fa'avae i luga o le 12-inisi substrates ona fa'agaoioia ma le mautu i siosiomaga maualuga le vevela e sili atu i le 200°C, ma avea ai ma mea e talafeagai mo fa'aoga faigata e pei o ta'avale eletise.
3. Tekonolosi Togafitiga o Luga: Ua matou atiaeina se faiga fou o le fa'apalapala fa'a-kemikolo (CMP) fa'apitoa mo mea e 12-inisi le lapo'a o le SiC, ma ausia ai le lamolemole o le luga i le tulaga atomika (Ra<0.15nm). O lenei alualu i luma ua foia ai le lu'itau i le lalolagi atoa o le togafitiga o le luga tele o le silicon carbide wafer, ma fa'amama ai fa'alavelave mo le tuputupu a'e maualuga o le epitaxial.
4. Fa'atinoga o le Puleaina o le Vevela: I fa'aoga fa'atino, o mea fa'apipi'i SiC e 12-inisi e fa'aalia ai le gafatia mata'ina o le fa'asa'olotoina o le vevela. O fa'amaumauga o su'ega e fa'aalia ai i lalo o le mamafa tutusa o le malosiaga, o masini e fa'aogaina mea fa'apipi'i e 12-inisi e fa'agaoioia i le vevela e 40-50°C e maualalo ifo nai lo masini e fa'avae i le silicon, ma fa'alauteleina ai le umi o le tautua o masini.

Talosaga Autu

1. Faiga Fou o Taavale Malosiaga: O le 12-inisi SiC substrate (12-inisi silicon carbide substrate) o loʻo suia ai le fausaga o le powertrain o taavale eletise. Mai chargers onboard (OBC) i inverters drive autu ma faiga e pulea ai le maa, o le faaleleia atili o le lelei e aumaia e substrates 12-inisi e faateleina ai le mamao e malaga ai taavale i le 5-8%. O lipoti mai se kamupani gaosi taavale taʻutaʻua e faailoa mai ai o le faaaogaina o a matou substrates 12-inisi na faaitiitia ai le leiloa o le malosi i la latou faiga e vave ona faatumu ai le eletise i le 62% mataʻina.
2. Vaega o le Malosiaga Fa'afouina: I totonu o nofoaga fa'aeletise photovoltaic, o inverters e fa'avae i luga o substrates SiC e 12-inisi e le gata ina i ai ni foliga laiti ae ausia ai fo'i le lelei o le liua e sili atu i le 99%. Aemaise lava i tulaga o gaosiga tufatufaina, o lenei lelei maualuga e fa'aliliuina atu i le fa'asaoina faaletausaga o le selau afe o yuan i le leiloa o le eletise mo le aufaipisinisi.
3. Fa'aogaina o le Otometi Fa'apisinisi: O fa'aliliuga o le tele o taimi e fa'aaogaina ai mea e 12-inisi le lapopo'a e fa'aalia ai le fa'atinoga sili ona lelei i totonu o roboti fa'apisinisi, masini CNC, ma isi masini. O latou uiga o le fesuia'iga o le tele o taimi e fa'aleleia atili ai le saoasaoa o le tali atu o le afi i le 30% a'o fa'aitiitia ai le fa'alavelave fa'aeletoronika i le tasi vaetolu o fofo masani.
4. Fouga Fa'aeletoronika a Tagata Fa'atau: Ua amata ona fa'aaogaina e tekinolosi fa'aola vave o telefonipoto le 12-inisi SiC substrates. Ua fuafuaina o oloa fa'aola vave e sili atu i le 65W o le a suia atoa i fofo silicon carbide, fa'atasi ai ma substrates 12-inisi o lo'o tula'i mai o le filifiliga sili ona lelei i le tau.

Auaunaga Fa'apitoa a le XKH mo le 12-inisi SiC Substrate

Ina ia ausia manaʻoga faapitoa mo substrates SiC 12-inisi (12-inisi silicon carbide substrates), e ofoina atu e le XKH le lagolago atoatoa mo auaunaga:
1. Fa'atulagaina o le Mafiafi:
Matou te tuʻuina atu ni substrates e 12-inisi i faʻamatalaga mafiafia eseese e aofia ai le 725μm e faʻafetaui ai manaʻoga eseese.
2. Fa'aputuga o le fa'aaogaina o le doping:
E lagolagoina e la matou gaosiga le tele o ituaiga o le conductivity e aofia ai substrates ituaiga-n ma le ituaiga-p, faatasi ai ma le pulea sa'o o le resistivity i le va o le 0.01-0.02Ω·cm.
3. Auaunaga Su'ega:
Matou te tuʻuina atu lipoti atoa o asiasiga faʻatasi ai ma meafaigaluega atoatoa e suʻe ai le tulaga o le wafer.
Ua malamalama le XKH e iai manaʻoga tulaga ese a tagata faʻatau taʻitasi mo substrates SiC 12-inisi. O le mea lea matou te ofoina atu ai faʻataʻitaʻiga galulue faʻapisinisi fetuutuunai e tuʻuina atu ai fofo sili ona tauva, pe mo:
· Fa'ata'ita'iga o Su'esu'ega ma Atina'e (R&D)
· Fa'atauga tele o gaosiga
O a matou auaunaga fa'apitoa e fa'amautinoa ai e mafai ona matou fa'afetaui ou mana'oga fa'apitoa fa'apitoa ma le gaosiga mo le 12-inisi SiC substrates.