2 inisi Silicon Carbide Wafers 6H poʻo le 4H N-ituaiga poʻo Semi-Insulating SiC Substrates

4H SiC wafer N-ituaiga
Lautele: 2 inisi 50.8mm | 4 inisi 100mm | 6 inisi 150mm
Fa'atonuga: ese le axis 4.0˚ agai i le <1120> ± 0.5˚
Tete'e: <0.1 ohm.cm
Gagana: Si-foliga CMP Ra <0.5nm, C-foliga fa'apolokalame mata Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-insulating
Lautele: 2 inisi 50.8mm | 4 inisi 100mm | 6 inisi 150mm
Fa'asinomaga: i luga {0001} ± 0.25˚
Tete'e: >1E5 ohm.cm
Gagana: Si-foliga CMP Ra <0.5nm, C-foliga fa'apolokalame mata Ra <1 nm

1. 5G atina'e -- feso'ota'iga eletise.
Feso'ota'iga paoa eletise o le fa'avae malosi mo feso'ota'iga 'au'aunaga ma nofoaga fa'avae. E maua ai le malosi eletise mo masini felauaiga eseese e faʻamautinoa ai le faʻaogaina masani o faiga fesoʻotaʻiga.

2. Fa'ato'a fa'aputuga o ta'avale malosi fou -- fa'aputu eletise o fa'aputuga.
O le maualuga ma le maualuga o le mana o le faʻaogaina o le eletise eletise e mafai ona iloa e ala i le faʻaaogaina o le carbide silicon i le faʻapipiʻiina o le eletise eletise, ina ia faʻaleleia ai le saoasaoa o le faʻatonuina ma faʻaitiitia le tau o le tau.

3. Tele fa'amaumauga autu, Initoneti Alamanuia -- sapalai eletise server.
O le sapalai o le eletise o le faletusi o le malosi o le server. E tu'uina atu e le 'au'aunaga le mana e fa'amautinoa ai le fa'agaioiga masani o le faiga o le server. O le faʻaaogaina o vaega eletise eletise silicon i totonu o le sapalai o le eletise e mafai ona faʻaleleia ai le malosi o le mana ma le lelei o le sapalai o le eletise, faʻaitiitia le tele o le nofoaga autu o faʻamaumauga i luga o le atoaga, faʻaititia le tau atoa o le fausiaina o le nofoaga autu o faʻamaumauga, ma ausia le maualuga o le siosiomaga. lelei.

4. Uhv - Fa'aaogāga fe'avea'i fe'avea'i DC va'ava'a.

5. Fe'avea'i nofoaafi televave ma femalagaiga i totonu o taulaga -- fa'aliliu fa'atosina, fa'aliliu eletise eletise, fa'aliliu fesoasoani, sapalai eletise fesoasoani.