200mm SiC substrate dummy vasega 4H-N 8inch SiC wafer
O faʻafitauli faʻapitoa o le 8-inisi SiC substrate gaosiga e aofia ai:
1.Crystal Growth: O le ausiaina o le maualuga o le tuputupu aʻe tioata tasi o le silicon carbide i lapopoa tetele e mafai ona luitauina ona o le puleaina o faaletonu ma le mama.
2.Wafer Processing: O le tele tele o 8-inisi wafers o loʻo tuʻuina atu ai luitau i tulaga o le tutusa ma le faʻaletonu o le pulea i le taimi o le faʻaogaina o le wafer, e pei o le polesi, etching, ma le doping.
3.Material Homogeneity: Faʻamautinoaina o meafaitino faifaipea ma tutusa i luga o le 8-inisi SiC substrate atoa e manaʻomia faʻapitoa ma manaʻomia le faʻatonutonu saʻo i le faagasologa o le gaosiga.
4.Cost: Faʻasiliina i luga ole 8-inisi SiC substrates aʻo faʻatumauina le tulaga maualuga o meafaitino ma mea e maua mai e mafai ona luʻitauina le tamaoaiga ona o le lavelave ma le tau o le gaosiga o gaosiga.
5. Faʻatalanoaina o nei faʻafitauli faʻapitoa e taua tele mo le faʻalauteleina o le vaetamaina o 8-inisi SiC substrates i le maualuga-faʻatinoga mana ma masini optoelectronic.
Matou te tuʻuina atu meaʻai safaira mai Saina numera tasi faʻatau oloa SiC e aofia ai Tankeblue. E sili atu i le 10 tausaga o le lala sooupu ua mafai ai ona matou tausia se mafutaga vavalalata ma le fale gaosimea. E mafai ona matou tuʻuina atu ia te oe le 6inch ma le 8inchSiC substrates e te manaʻomia mo se taimi umi ma faʻamautu sapalai aʻo ofoina atu le tau sili ona lelei ma le tau.
Tankeblue o se atinaʻe faʻatekonolosi maualuga faʻapitoa i le atinaʻeina, gaosiga ma le faʻatau atu o le tolu-tupulaga semiconductor silicon carbide (SiC) meataalo. O le kamupani o se tasi lea o taʻutaʻua i le lalolagi e gaosia siC wafers.