2inisi 50.8mm Germanium Wafer Substrate Tasi le tioata 1SP 2SP
Fa'amatalaga Auiliili
O fasi Germanium e iai ona uiga semiconductor. Sa iai sona sao taua i le atinaʻeina o le fisiki o le tulaga mautu ma le eletise o le tulaga mautu. O le mafiafia o le liusuavai o le Germanium e 5.32g/cm3, e mafai ona faʻavasegaina le germanium o se uʻamea manifinifi ma salalau solo, e mautu le vailaʻau o le germanium, e le fegalegaleai ma le ea poʻo le ausa o le vai i le vevela o le potu, ae i le 600 ~ 700℃, e vave ona gaosia le germanium dioxide. E le galue ma le hydrochloric acid, le sulfuric acid vaivai. A faʻavevela le sulfuric acid faʻapitoa, o le a liusuavai malie le germanium. I le nitric acid ma le aqua regia, e faigofie ona liusuavai le germanium. O le aʻafiaga o le vailaʻau alkali i le germanium e matua vaivai lava, ae o le alkali liusuavai i le ea e mafai ona faʻavave ai ona liusuavai le germanium. E le galue le Germanium ma le carbon, o lea e liusuavai ai i totonu o se ogaumu graphite ma o le a le faʻaleagaina e le carbon. O le Germanium e iai ona uiga lelei i le semiconductor, e pei o le gaoioi o le eletise, le gaoioi o pu ma isi mea faapena. O le atinaʻeina o le germanium e iai pea le gafatia tele.
Fa'amatalaga
| Metotia o le tuputupu aʻe | CZ | ||
| fausaga tioata | Faiga kupita | ||
| Fa'atumauina o le fa'alava | a=5.65754 Å | ||
| Mafiafia | 5.323g/cm3 | ||
| Tulaga e liusuavai ai | 937.4℃ | ||
| Fa'aaogaina o vaila'au fa'asaina | Aveesea o le fualaau faasaina | Fa'aaogaina o le Doping-Sb | Fa'aaogaina o le vaila'au fa'asaina (Doping-Ga) |
| Ituaiga | / | N | P |
| tete'e | >35Ωcm | 0.01~35 Ωcm | 0.05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Lapoa | 2 inisi/50.8 mm | ||
| Mafiafia | 0.5mm, 1.0mm | ||
| Luga | DSP ma le SSP | ||
| Fa'asinomaga | <100>,<110>,<111>,±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| Afifi | Afifi vasega 100, potu vasega 1000 | ||
Ata Auiliili



