2Inisi 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Faila Faila Fa'aa'oa'i Palemia Vasega Mos Vasega

Fa'amatalaga Puupuu:

O le 6H n-type Silicon Carbide (SiC) tasi-crystal substrate o se mea semiconductor taua tele faʻaaogaina i le malosi-maualuga, maualuga-televave, ma le maualuga-vevela eletise faʻaoga. Ta'uta'ua mo lona fausaga tioata hexagonal, 6H-N SiC e ofoina atu se vaeluaga lautele ma le maualuga o le faʻafefe o le vevela, ma faʻamaonia ai mo siosiomaga faigata.
O le maualuga o le malepelepe o le eletise eletise ma le eletise eletise e mafai ai ona atinaʻe masini eletise eletise lelei, e pei o MOSFETs ma IGBTs, e mafai ona faʻaogaina i le maualuga o voltage ma le vevela nai lo mea na faia mai le kasa masani. O lona fa'aogaina lelei o le vevela e fa'amautinoa ai le fa'amama lelei o le vevela, e taua tele mo le fa'atumauina o le fa'atinoga ma le fa'amaoni i fa'aoga maualuga.
I fa'aoga ole leitio (RF), o meatotino a le 6H-N SiC e lagolagoina le fa'atūina o masini e mafai ona fa'agaioi i laina maualuga ma fa'aleleia atili le lelei. O lona mautu kemikolo ma le tete'e atu i le fa'avevela e talafeagai ai mo le fa'aoga i si'osi'omaga faigata, e aofia ai le aerospace ma le puipuiga.
E le gata i lea, o le 6H-N SiC substrates e faʻapitoa i masini optoelectronic, e pei o le ultraviolet photodetectors, lea e mafai ai e la latou pusi lautele ona iloa lelei le malamalama o le UV. O le tu'ufa'atasia o nei mea totino ua avea ai le 6H n-type SiC ose mea fa'apitoa ma mana'omia i le fa'alauteleina o tekonolosi fa'aonaponei ma le optoelectronic.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

O uiga ia o le silicon carbide wafer:

· Igoa Oloa: SiC Substrate
· Fauga Hexagonal: Mea fa'aeletoroni tulaga ese.
· Maualuluga Electron Feʻaveaʻi: ~600 cm²/V·s.
· Mauaina vailaʻau: Tetee i le pala.
· Tete'e o le Radiation: E talafeagai mo si'osi'omaga faigata.
· Fa'asa'olotoga o le Aveta'avale maualalo: Lelei i le vevela maualuga.
· Malosi: Malosi mea tau masini.
· Optoelectronic Capability: Suʻesuʻeina lelei le malamalama UV.

Silicon carbide wafer e tele faʻaoga

SiC wafer Talosaga:
SiC (Silicon Carbide) substrates o loʻo faʻaaogaina i le tele o faʻatinoga maualuga ona o latou uiga faʻapitoa e pei o le maualuga o le vevela, malosi eletise maualuga, ma le lautele o fusi. O nisi nei o talosaga:

1.Power Electronics:
· MOSFET maualuga-volt
IGBTs
·Schottky diodes
· Fa'aliliuga malosi

2. Masini Maualuluga:
· RF (Radio Frequency) amplifiers
· Transistors microwave
· Melimita-galu

3. High-Suve Electronics:
· Sensors ma taamilosaga mo siosiomaga faigata
· Aerospace eletise
· Ta'avale fa'aeletonika (fa'ata'ita'iga, iunite fa'atonutonu afi)

4. Optoelectronics:
·Ultraviolet (UV) photodetectors
· Diodes moli (LED)
· Diodes laser

5. Faiga Fa'afouina Malosiaga:
· Inverters Solar
· Savili turbine liliu
· Ta'avale eletise

6. Alamanuia ma Puipuiga:
· Radar faiga
· Fesootaiga Satelite
· Mea fa'aaniukilia reactor

SiC wafer Customization

E mafai ona matou faʻavasegaina le tele o le substrate SiC e fetaui ma ou manaʻoga faʻapitoa. Matou te ofoina atu foi le 4H-Semi HPSI SiC wafer ma le tele o le 10x10mm poʻo le 5x5 mm.
O le tau e faʻamoemoeina e le mataupu, ma o faʻamatalaga faʻapipiʻi e mafai ona faʻapitoa i lou manaʻo.
Taimi tilivaina i totonu ole 2-4 vaiaso. Matou te talia totogi e ala i le T / T.
O loʻo i ai i la matou fale gaosi mea faʻapipiʻi gaosiga ma 'au faʻapitoa, lea e mafai ona faʻapipiʻiina faʻamatalaga eseese, mafiafia ma foliga o le SiC wafer e tusa ai ma manaoga faʻapitoa a tagata faʻatau.