2Inisi 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Fa'alua Fa'apupulaina Conductive Prime Grade Mos Grade

2Inisi 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Fa'alua ona Fa'apala'au Conductive Prime Grade Mos Grade Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 6H-n-type Silicon Carbide (SiC) single-crystal substrate o se mea taua tele o le semiconductor e faʻaaogaina lautele i faʻaoga eletise maualuga-malosiaga, maualuga-frequency, ma maualuga-vevela. Ua lauiloa i lona fausaga hexagonal crystal, o le 6H-N SiC e ofoina atu se bandgap lautele ma le maualuga o le thermal conductivity, ma avea ai ma mea lelei mo siosiomaga faigata.
O le maualuga o le eletise e mafai ona faaleagaina ma le eletise e mafai ona gaoioi e lenei mea e mafai ai ona atiina ae ni masini eletise eletise lelei, e pei o MOSFET ma IGBT, e mafai ona faagaoioia i voltage ma vevela maualuga atu nai lo na mea e faia mai le silicon masani. O lona lelei tele o le faʻavevela e faʻamautinoa ai le lelei o le faʻasaʻolotoina o le vevela, e taua tele mo le tausia o le faʻatinoga ma le faʻatuatuaina i faʻaoga eletise maualuga.
I fa'aoga o le leitio (RF), o meatotino a le 6H-N SiC e lagolagoina ai le fausiaina o masini e mafai ona fa'agaoioia i ni televave maualuluga ma le fa'aleleia atili o le lelei. O lona mautu fa'akemikolo ma le tete'e atu i le fa'avevela e talafeagai ai fo'i mo le fa'aaogaina i siosiomaga faigata, e aofia ai vaega o le ea ma le puipuiga.
E le gata i lea, o mea e fa'aaogaina ai le 6H-N SiC e taua tele i masini optoelectronic, e pei o ultraviolet photodetectors, lea e mafai ai e lo latou bandgap lautele ona maua lelei le malamalama UV. O le tu'ufa'atasiga o nei meatotino e avea ai le 6H n-type SiC ma mea e tele ona fa'aaogaina ma taua i le fa'aleleia atili o tekinolosi fa'aeletoronika ma optoelectronic fa'aonaponei.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

O uiga nei o le silicon carbide wafer:

· Igoa o le Oloa: SiC Substrate
· Fausaga Fa'a-Hexagonal: O meatotino eletise tulaga ese.
· Fe'avea'i Maualuga i Eletroni: ~600 cm²/V·s.
· Mausali Fa'akemikolo: Tete'e i le 'ele.
· Tete'e atu i le Ave: Talafeagai mo siosiomaga faigata.
· Maualalo le Fa'aputuga o Avega Fa'aletino: Lelei i le vevela maualuga.
· Tumau: Malosi uiga fa'amekanika.
· Malosiaga Fa'aeletoronika: Iloa lelei le malamalama UV.

E tele fa'aoga o le Silicon carbide wafer

Fa'aoga o le SiC wafer:
E fa'aaogaina le SiC (Silicon Carbide) substrates i le tele o fa'aoga maualuga ona o latou uiga tulaga ese e pei o le maualuga o le thermal conductivity, maualuga le malosi o le eletise, ma le lautele o le bandgap. O nisi nei o fa'aoga:

1. Eletise Malosiaga:
·MOSFET maualuga-voltage
·IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)
·Diode Schottky
·Mea fa'aliliu eletise

2. Masini e Fa'atelevaveina le Taimi:
·Fa'amalosi RF (Radio Frequency)
·Transistor o le microwave
·Meafaigaluega e fa'aaoga ai galu milimita

3. Mea Fa'aeletoronika e Maualuga le Vevela:
·Sensors ma matagaluega mo siosiomaga faigata
·Elektronika vaalele
·Mea fa'aeletoronika o ta'avale (e pei o iunite e pulea ai le afi)

4. Optoelectronics:
·Mea e iloa ai le malamalama i le ultraviolet (UV)
·O diode e fa'asalalauina le malamalama (LED)
·Diode laser

5. Faiga o Malosiaga Fa'afouina:
·Mea fa'aliliuina o le la
·Fesuia'iga o turbine matagi
· Fa'aola eletise o ta'avale

6. Alamanuia ma le Puipuiga:
·Faiga radar
·Fesoʻotaʻiga satelite
·Meafaigaluega fa'aniukilia o le reactor

Fa'apitoaina o le SiC wafer

E mafai ona matou fa'apitoa le tele o le SiC substrate e fetaui ma ou mana'oga patino. Matou te ofoina atu fo'i le 4H-Semi HPSI SiC wafer e 10x10mm pe 5x5 mm le lapo'a.
O le tau e fuafua i le ituaiga o le pusa, ma e mafai ona fetu'una'i fa'amatalaga o le afifiina e tusa ai ma ou mana'oga.
O le taimi e tu'uina atu ai e i totonu o le 2-4 vaiaso. Matou te taliaina totogi e ala i le T/T.
O lo'o i ai i la matou falegaosimea ni meafaigaluega gaosiga fa'aonaponei ma se 'au fa'apitoa, e mafai ona fa'apitoaina ni fa'amatalaga eseese, mafiafia ma foliga o le SiC wafer e tusa ai ma mana'oga fa'apitoa a tagata fa'atau.