2inisi le silicon carbide substrate 6H-N itu lua ua fa'apupula lautele 50.8mm le vasega gaosiga o su'esu'ega
O uiga nei o le 2 inisi silicon carbide wafer:
1. Tete'e sili atu i le fa'avevela: O wafer SIC e sili atu le malosi o le tete'e atu i le fa'avevela, ma talafeagai ai mo le fa'aaogaina i siosiomaga fa'avevela. O fa'ata'ita'iga e aofia ai va'alele ma nofoaga fa'aniukilia.
2. Malō tele: E sili atu le malō o wafers SIC nai lo le silicon, lea e fa'aleleia atili ai le tumau o wafers i le taimi o le gaosiga.
3. Maualalo le dielectric constant: O le dielectric constant o SIC wafers e maualalo ifo nai lo le silicon, lea e fesoasoani e faʻaitiitia ai le parasitic capacitance i le masini ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga maualuga.
4. Saosaoa maualuga o le tafega o le eletise saturated: O wafers SIC e sili atu le saoasaoa o le tafega o le eletise saturated nai lo le silicon, ma maua ai e masini SIC se avanoa i faʻaoga maualuga.
5. Maualuga le mamafa o le malosiaga: Faatasi ai ma uiga o loʻo i luga, e mafai e masini SIC wafer ona ausia le maualuga o le malosiaga i se laʻititi laʻititi.
E tele fa'aoga o le 2inisi silicon carbide wafer.
1. Mea fa'aeletoronika eletise: E fa'aaogaina lautele wafers SiC i masini eletise eletise e pei o mea fa'aliliu eletise, inverters, ma ki maualuga-voltage ona o le maualuga o le voltage breakdown ma le maualalo o le eletise leiloa.
2. Ta'avale eletise: E fa'aaogaina wafers silicone carbide i mea fa'aeletoronika eletise e fa'aleleia atili ai le lelei ma fa'aitiitia ai le mamafa, ma i'u ai i le vave ona fa'atumu ma le mamao e alu i ai.
3. Malosiaga fa'afouina: E taua tele le sao o le silicone carbide wafers i fa'aogaaga o le malosiaga fa'afouina e pei o le solar inverters ma le matagi, e fa'aleleia atili ai le lelei ma le fa'atuatuaina o le liua o le malosiaga.
4. Vaalele ma le Puipuiga: E taua tele wafers SiC i le alamanuia o vaalele ma le puipuiga mo galuega e tete'e atu i le vevela maualuga, malosiaga maualuga ma le tete'e atu i le ave o le la, e aofia ai faiga eletise a vaalele ma faiga radar.
E tuʻuina atu e le ZMSH ni auaunaga faʻapitoa mo a matou wafer silicon carbide. O a matou wafer e faia mai vaega silicon carbide maualuga e maua mai Saina e faʻamautinoa ai le tumau ma le faʻatuatuaina. E mafai e tagata faʻatau ona filifili mai a matou lapopoʻa ma faʻamatalaga o wafer e faʻafetaui ai o latou manaʻoga patino.
E sau a matou wafers Silicon Carbide i ni faʻataʻitaʻiga ma ni lapopoʻa eseese, o le faʻataʻitaʻiga o le Silicon Carbide.
Matou te ofoina atu le tele o togafitiga o luga e aofia ai le fa'apalapala i le itu e tasi/lua ma le ma'a'a o le luga e ≤1.2nm ma le mafolafola o le Lambda/10. Matou te ofoina atu fo'i filifiliga e maualuga/maualalo le tete'e e mafai ona fa'apitoa i ou mana'oga. O la matou EPD e ≤1E10/cm2 e fa'amautinoa ai o a matou wafers e ausia tulaga fa'atonuina sili ona maualuga o le alamanuia.
Matou te popole i faʻamatalaga taʻitasi o le afifi, faʻamamāina, teteʻe-static, togafitiga o le teʻi. E tusa ai ma le aofaʻi ma le foliga o le oloa, o le a matou faia se faiga afifiina eseese! Toetoe lava o le tasi kaseti wafer pe 25 kaseti i totonu o le potu faʻamamāina e 100 vasega.
Ata Auiliili
