3 inisi le mama maualuga Semi-Insulating (HPSI)SiC wafer 350um Dummy grade Prime grade

Fa'amatalaga Puupuu:

O le HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC wafer, ma le 3-inisi le lautele ma le mafiafia o le 350 µm ± 25 µm, ua fa'ainisinia mo fa'aoga eletise eletise. SiC wafers e lauiloa mo a latou meatotino faʻapitoa, e pei o le maualuga o le vevela, maualuga le malosi o le voltage, ma le itiiti o le malosi e leiloa, lea e avea ai i latou ma filifiliga sili mo masini semiconductor eletise. O nei wafers ua mamanuina e taulimaina ai tulaga ogaoga, ofoina atu le faʻaleleia atili o le faʻatinoga i le maualuga-televave, maualuga-voltage, ma le maualuga o le vevela o siosiomaga, aʻo faʻamautinoaina le sili atu o le malosi ma le tumau.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'atatauga

HPSI SiC wafers e taua tele i le faʻaogaina o masini eletise e sosoo ai, lea e faʻaaogaina i le tele o faʻaoga maualuga:
Faiga Fa'aliliuga Malosiaga: SiC wafers e avea ma mea autu mo masini eletise e pei o le mana MOSFETs, diodes, ma IGBTs, e taua tele mo le lelei o le liua o le eletise i le eletise eletise. O nei vaega o loʻo maua i sapalai eletise maualuga, taʻavale afi, ma mea faʻatau pisinisi.

Ta'avale eletise (EVs):O le faʻatupulaia o le manaʻoga mo taʻavale eletise e manaʻomia ai le faʻaogaina o eletise eletise sili atu, ma o SiC wafers o loʻo i luma o lenei suiga. I le EV powertrains, o nei wafers e maua ai le malosi maualuga ma le vave fesuia'i gafatia, lea e saofagā i le televave o taimi, umi le laina, ma faʻaleleia le tulaga atoa o taavale.

Malosiaga Fa'afouina:I faiga fa'afouina fa'afouina e pei o le la ma le malosi o le matagi, SiC wafers o lo'o fa'aogaina i inverters ma converters e mafai ai ona sili atu le lelei o le pu'eina ma le tufatufaina atu o le malosi. O le maualuga o le vevela ma le maualuga o le gau o le eletise o le SiC e mautinoa ai o nei faiga e faʻaogaina lelei, e oʻo lava i lalo o tulaga ogaoga o le siosiomaga.

Alamanuia Automation ma Robotics:E mana'omia ai masini e mafai ona sui vave, fe'avea'i avega mamafa, ma fa'agaoioi i lalo o le mamafa tele. Semiconductor fa'avae SiC e fa'amalieina nei mana'oga e ala i le tu'uina atu o le maualuga ma le malosi, e o'o lava i si'osi'omaga faigata.

Faiga Feso'ota'iga:I fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga, lea e taua tele le faʻatuatuaina ma le lelei o le liua o le malosi, o loʻo faʻaaogaina SiC wafers i le eletise ma le DC-DC converters. O masini SiC e fesoasoani e faʻaitiitia le faʻaaogaina o le malosi ma faʻaleleia le faʻatinoga o faiga i nofoaga autu o faʻamatalaga ma fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga.

E ala i le tuʻuina atu o se faʻavae malosi mo talosaga maualuga, o le HPSI SiC wafer e mafai ai le atinaʻeina o masini malosi, fesoasoani i alamanuia suiga i le lanumeamata, sili atu ona gafatia fofo.

Meatotino

operty

Gaosia Vasega

Vasega Suesuega

Fa'ailoga Tulaga

Diamita 75.0 mm ± 0.5 mm 75.0 mm ± 0.5 mm 75.0 mm ± 0.5 mm
mafiafia 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm
Fa'asinomaga ole Wafer I luga ole axis: <0001> ± 0.5° I luga ole axis: <0001> ± 2.0° I luga ole axis: <0001> ± 2.0°
Malosi'i ole paipa mo le 95% ole Wafers (MPD) ≤ 1 cm⁻² ≤ 5 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Tete'e eletise ≥ 1E7 Ω·cm ≥ 1E6 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
Fa'amama Fa'asalaina Fa'asalaina Fa'asalaina
Primary Flat Orientation {11-20} ± 5.0° {11-20} ± 5.0° {11-20} ± 5.0°
Primary Flat Umi 32.5 mm ± 3.0 mm 32.5 mm ± 3.0 mm 32.5 mm ± 3.0 mm
Lua Mafolafola Umi 18.0 mm ± 2.0 mm 18.0 mm ± 2.0 mm 18.0 mm ± 2.0 mm
Tulaga Lua mafolafola Si fa'asaga i luga: 90° CW mai le mafolafola muamua ± 5.0° Si fa'asaga i luga: 90° CW mai le mafolafola muamua ± 5.0° Si fa'asaga i luga: 90° CW mai le mafolafola muamua ± 5.0°
Tuusaunoaga Tupito 3 mm 3 mm 3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Fa'asaa o luga C-foliga: Faila, Si-foliga: CMP C-foliga: Faila, Si-foliga: CMP C-foliga: Faila, Si-foliga: CMP
Ta'eta'e (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai Leai Leai
Papatusi Hex (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai Leai Vaega fa'aopoopo 10%
Polytype Areas (asia ile malamalama maualuga) Vaega fa'aopoopo 5% Vaega fa'aopoopo 5% Vaega fa'aopoopo 10%
Manu'ese (su'esu'eina e le malamalama maualuga) ≤ 5 maosiosi, fa'aputu umi ≤ 150 mm ≤ 10 maosiosi, fa'aputu umi ≤ 200 mm ≤ 10 maosiosi, fa'aputu umi ≤ 200 mm
Tu'u pito Leai se fa'atagaina ≥ 0.5 mm le lautele ma le loloto 2 faatagaina, ≤ 1 mm lautele ma loloto 5 fa'atagaina, ≤ 5 mm le lautele ma le loloto
Fa'aleaga i luga o le Laueleele (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai Leai Leai

 

Tulaga Autu

Fa'atinoga Fa'aavela Sili: O le maualuga o le fa'auluina o le vevela o le SiC e fa'amautinoa ai le fa'amama lelei o le vevela i masini eletise, fa'ataga ai latou e fa'agaioi i tulaga maualuga ma laina eletise e aunoa ma le vevela. E fa'aliliuina i faiga la'ititi, sili atu ona lelei ma umi le fa'atinoga o le ola.

Voltage Malosi Maualuga: Faatasi ai ma se vaeluaga lautele pe a faatusatusa i le silicon, SiC wafers lagolago talosaga maualuga-voltage, ma avea ai ma mea lelei mo vaega eletise eletise e manaʻomia ona faʻafefeteina maualuga eletise malepe, e pei o taavale eletise, faʻaogaina eletise eletise, ma malosiaga faʻafouina.

Fa'aitiitiga Malosiaga leiloa: O le maualalo i luga o le tetee ma le televave o suiga o masini SiC e mafua ai le faʻaitiitia o le malosi i le taimi o le taotoga. E le gata ina fa'aleleia atili ai le lelei ae fa'apena fo'i le fa'asaoina o le malosi atoa o faiga o lo'o fa'aogaina ai.
Faʻaleleia le Faʻatuatuaina i Siosiomaga Saua: O mea faʻapitoa a le SiC e mafai ai ona faʻatinoina i tulaga ogaoga, e pei o le maualuga o le vevela (e oʻo atu i le 600 ° C), maualuga voltages, ma laina maualuga. O le mea lea e talafeagai ai le SiC wafers mo le mana'omia o fale gaosi oloa, ta'avale, ma le malosi.

Malosiaga Malosiaga: O masini SiC e ofoina atu le maualuga maualuga o le malosi nai lo masini faʻavae masani masani, faʻaititia le tele ma le mamafa o le eletise eletise aʻo faʻaleleia atili le lelei atoatoa. Ole mea lea e mafua ai le fa'asaoina o tau ma le la'ititi la'ititi o tulagavae o le si'osi'omaga i talosaga e pei ole malosi fa'afouina ma ta'avale eletise.

Scalability: O le 3-inisi le lautele ma le sa'o gaosiga fa'apalepale o le HPSI SiC wafer fa'amautinoa e mafai ona fa'aogaina mo le tele o gaosiga, fa'afetaui uma su'esu'ega ma fa'atauga fa'apisinisi mana'omia.

Fa'ai'uga

O le HPSI SiC wafer, ma lona 3-inisi le lautele ma le 350 µm ± 25 µm mafiafia, o le mea sili ona lelei mo le isi augatupulaga o masini eletise eletise maualuga. O lona tu'ufa'atasiga tulaga ese o le fa'avevelaina o le vevela, maualuga le malepelepe voltage, maualalo le malosi o le gau, ma le fa'amaoni i lalo o tulaga ogaoga ua avea ai ma vaega taua mo fa'aoga eseese i le suiga o le eletise, malosi fa'afouina, ta'avale eletise, faiga fa'apisinisi, ma feso'ota'iga.

O lenei SiC wafer e fetaui lelei mo pisinisi o loʻo taumafai e ausia le maualuga maualuga, sili atu le faʻasaoina o le malosi, ma faʻaleleia le faʻalagolago i le faiga. A'o fa'aauau pea le fa'aleleia o tekonolosi fa'aeletonika, o le HPSI SiC wafer e tu'uina atu ai le fa'avae mo le atina'eina o isi augatupulaga, fa'ato'a fa'aleleia le malosi, fa'aola le suiga i se lumana'i sili atu ona gafataulimaina, maualalo-carbon.

Auiliili Ata

3 INSI HPSI SIC WAFER 01
3 INSI HPSI SIC WAFER 03
3INISI HPSI SIC WAFER 02
3 INSI HPSI SIC WAFER 04

  • Muamua:
  • Sosoo ai:

  • Tusi lau savali iinei ma lafo mai ia i matou