3inisi SiC substrate Production Dia76.2mm 4H-N

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 3-inisi Silicon Carbide 4H-N wafer o se mea semiconductor fa'aonaponei, ua mamanuina fa'apitoa mo fa'aoga eletise ma optoelectronic maualuga. Ua lauiloa i ona uiga fa'aletino ma eletise tulaga ese, o lenei wafer o se tasi o mea taua i le matata o le eletise eletise.


Fa'aaliga

O vaega autū o le 3 inisi silicon carbide mosfet wafers e fa'apea;

O le Silicon Carbide (SiC) o se mea semiconductor e lautele le bandgap, e iloga i le maualuga o le thermal conductivity, maualuga le electron mobility, ma le maualuga o le breakdown electric field stretch. O nei meatotino e tulaga ese ai SiC wafers i le maualuga o le malosiaga, maualuga le frequency, ma le maualuga o le vevela. Aemaise lava i le 4H-SiC polytype, o lona fausaga tioata e maua ai le faʻatinoga eletise sili ona lelei, ma avea ai ma mea e filifilia mo masini eletise eletise.

O le 3-inisi Silicon Carbide 4H-N wafer o se wafer ua fa'apipi'iina i le nitrogen ma le N-type conductivity. O lenei metotia o le fa'apipi'iina e maua ai e le wafer se maualuga maualuga o le electron concentration, ma fa'aleleia atili ai le fa'atinoga o le masini i le conductivity. O le tele o le wafer, i le 3 inisi (lautele o le 76.2 mm), o se fua masani e fa'aaogaina i le alamanuia semiconductor, e talafeagai mo le tele o faiga gaosiga.

O le 3-inisi Silicon Carbide 4H-N wafer e gaosia e faʻaaoga ai le metotia o le Physical Vapor Transport (PVT). O lenei faiga e aofia ai le liua o le pauta SiC i ni tioata taʻitasi i le vevela maualuga, ma faʻamautinoa ai le lelei o le tioata ma le tutusa o le wafer. E le gata i lea, o le mafiafia o le wafer e masani lava pe tusa ma le 0.35 mm, ma o lona luga e faʻapalapala i itu e lua ina ia maua ai se tulaga maualuga o le lamolemole ma le lamolemole, lea e taua tele mo faiga o gaosiga semiconductor mulimuli ane.

E lautele le fa'aogaina o le 3-inisi Silicon Carbide 4H-N wafer, e aofia ai masini eletise malolosi, masini e iloa ai le vevela maualuga, masini RF, ma masini optoelectronic. O lona fa'atinoga lelei ma le fa'atuatuaina e mafai ai e nei masini ona fa'agaoioia ma le mautu i lalo o tulaga faigata, ma fa'amalieina ai le mana'oga mo mea semiconductor malolosi i le alamanuia eletise fa'aonaponei.

E mafai ona matou tuʻuina atu le 4H-N 3 inisi SiC substrate, ituaiga eseese o substrate stock wafers. E mafai foʻi ona matou faʻatulagaina ni faʻapitoa e tusa ai ma ou manaʻoga. Susū mai i se fesili!

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