6 Inisi 4H SEMI Ituaiga SiC fa'apipi'i mafiafia 500μm TTV≤5μm MOS grade

6 Inisi 4H SEMI Ituaiga SiC fa'apipi'i mafiafia 500μm TTV≤5μm MOS vasega Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

Faatasi ai ma le vave alualu i luma o fesoʻotaʻiga 5G ma tekinolosi radar, o le 6-inisi semi-insulating SiC composite substrate ua avea ma mea autu mo le gaosiga o masini maualuga-frequency. Pe a faatusatusa i substrates GaAs masani, o lenei substrate e faatumauina le teteʻe maualuga (>10⁸ Ω·cm) aʻo faʻaleleia atili le conductivity thermal e sili atu i le 5x, ma foia lelei ai luitau o le faʻasaʻolotoina o le vevela i masini milimita-wave. O amplifiers power i totonu o masini masani e pei o telefonipoto 5G ma satelite communication terminals e foliga mai ua fausia i luga o lenei substrate. I le faʻaaogaina o la matou tekinolosi "buffer layer doping compensation", ua matou faʻaitiitia ai le mafiafia o le micropipe i lalo ifo o le 0.5/cm² ma ausia ai le maualalo tele o le microwave loss o le 0.05 dB/mm.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Meafaitino	Fa'amatalaga	Meafaitino	Fa'amatalaga
Lapo'a	150±0.2 mm	Ma'a'a o luma (Si-face)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Polytype	4H	Pito Malepe, Maosi, Māvaevae (siakiga vaaia)	Leai se tasi
Tete'e	≥1E8 Ω·cm	TTV	≤5 μm
Mafiafia o le vaega fesiita'i	≥0.4 μm	Fa'alava	≤35 μm
Avanoa (2mm>D>0.5mm)	≤5 le tasi/Vafer	Mafiafia	500±25 μm

Vaega Autū

1. Fa'atinoga Maualuga Fa'apitoa
O le 6-inisi semi-insulating SiC composite substrate e faʻaaogaina ai se mamanu dielectric layer graded, e faʻamautinoa ai le dielectric constant variation e <2% i le Ka-band (26.5-40 GHz) ma faʻaleleia atili ai le phase consistency e 40%. 15% faʻateleina le lelei ma le 20% faʻaitiitia le faʻaaogaina o le eletise i T/R modules e faʻaaogaina ai lenei substrate.

2. Pulega Fa'afouina o le Vevela
O se fausaga tulaga ese o le "thermal bridge" e mafai ai ona fa'atino le conductivity fa'alava o le vevela i le 400 W/m·K. I totonu o le 28 GHz 5G base station PA modules, e na'o le 28°C le si'itia o le vevela o le junction pe a uma le 24 itula o le fa'agaoioiga faifai pea—e 50°C le maualalo ifo nai lo fofo masani.

3. Tulaga Sili o le Wafer
E ala i le metotia ua fa'aleleia atili ai le Physical Vapor Transport (PVT), matou te ausia ai le dislocation density <500/cm² ma le Total Thickness Variation (TTV) <3 μm.
4. Fa'agasologa e Fa'alelei i le Gaosiga
O la matou faiga o le laser annealing na atia'e faapitoa mo le 6-inisi semi-insulating SiC composite substrate e fa'aitiitia ai le mafiafia o le tulaga o le fogaeleele i le lua fa'atonuga o le tele a'o le'i faia le epitaxy.

Talosaga Autu

1. Vaega Autū o le Nofoaga Autu o le 5G
I totonu o le tele o antenna MIMO, o masini GaN HEMT i luga o le 6-inisi semi-insulating SiC composite substrates e ausia ai le 200W output power ma le >65% le lelei. O su'ega i le fanua i le 3.5 GHz na fa'aalia ai le 30% o le fa'ateleina o le coverage radius.

2. Faiga Fesootaiga Satelite
O masini fa'asalalau satelite o le Low-Earth orbit (LEO) e fa'aaogaina lenei substrate e fa'aalia ai le 8 dB maualuga atu o le EIRP i le Q-band (40 GHz) a'o fa'aitiitia ai le mamafa i le 40%. Ua fa'aaogaina e le SpaceX Starlink terminals mo le gaosiga tele.

3. Faiga o Radar a le Militeli
O vaega o le T/R radar fa'asolosolo i luga o lenei substrate e ausia ai le bandwidth e 6-18 GHz ma le pisa e maualalo e pei o le 1.2 dB, ma fa'alauteleina ai le mamao e iloa ai e o'o atu i le 50 km i faiga o radar lapata'i vave.

4. Radar Milimita-Galu mo Ta'avale
O puipui radar ta'avale 79 GHz e fa'aaogaina ai lenei mea e fa'aleleia atili ai le iugafono tulimanu i le 0.5°, ma fa'amalieina ai mana'oga o le aveta'avale tuto'atasi a le L4.

Matou te ofoina atu se fofo atoatoa mo auaunaga fa'apitoa mo mea fa'apipi'i SiC semi-insulating e 6-inisi. I le tulaga o le fa'apitoaina o fa'asologa o meafaitino, matou te lagolagoina le fa'atonutonuina sa'o o le resistivity i totonu o le va o le 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Aemaise lava mo fa'aoga fa'amiliteli, e mafai ona matou ofoina atu se filifiliga tete'e maualuga tele e >10⁹ Ω·cm. E ofoina atu ni fa'amatalaga mafiafia se tolu o le 200μm, 350μm ma le 500μm i le taimi e tasi, fa'atasi ai ma le fa'apalepale e pulea lelei i totonu ole ±10μm, e fa'afetaui ai mana'oga eseese mai masini fa'atelevave i fa'aoga fa'atekinolosi maualuga.

I tulaga o faiga togafitiga o luga, matou te ofoina atu ni fofo fa'apolofesa se lua: E mafai e le Chemical Mechanical Polishing (CMP) ona ausia le lamolemole o luga i le tulaga atomika ma le Ra<0.15nm, e fa'afetaui ai mana'oga sili ona faigata o le tuputupu a'e o le epitaxial; O le tekinolosi togafitiga o luga ua sauni epitaxial mo mana'oga vave o le gaosiga e mafai ona maua ai ni luga e sili ona lamolemole ma le Sq<0.3nm ma le mafiafia o le oxide e totoe <1nm, e fa'afaigofieina ai le faiga o togafitiga muamua i le pito o le tagata fa'atau.

E tu'uina atu e le XKH ni fofo atoatoa fa'apitoa mo mea fa'apipi'i SiC semi-insulating e 6-inisi

1. Fa'atulagaina o le Fa'asologa o Meafaitino
Matou te ofoina atu le fetu'una'iga sa'o o le tete'e i totonu o le va o le 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, fa'atasi ai ma filifiliga fa'apitoa e matua maualuga lava le tete'e >10⁹ Ω·cm e maua mo fa'aoga fa'amiliteli/va'alele.

2. Fa'amatalaga o le mafiafia
Tolu filifiliga mafiafia fa'atulagaina:

· 200μm (fa'alelei mo masini e fa'aogaina le tele o taimi)

· 350μm (fa'amatalaga masani)

· 500μm (fuafuaina mo faʻaoga malolosi)
· O ituaiga uma e tausia le fa'apalepale lelei o le mafiafia o le ±10μm.

3. Tekinolosi o Togafitiga o Luga

Fa'apupulaina Fa'amekanika Kemikolo (CMP): Ausia le lamolemole o le fogaeleele e tutusa ma le tulaga fa'a-atomika ma le Ra<0.15nm, e fa'amalieina ai mana'oga faigata o le tuputupu a'e o le epitaxial mo masini RF ma le eletise.

4. Fa'agasologa o le Luga ua Sauni mo Epi

· E tu'uina atu ni fogā'ele'ele lamolemole tele ma le Sq<0.3nm roughness

· Pulea le mafiafia o le oxide masani i le <1nm

· Ave'esea ai le oo atu i le 3 la'asaga o le fa'agasologa muamua i nofoaga o tagata fa'atau