6 Inisi Conductive SiC Composite Substrate 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

Fa'amatalaga Puupuu:

O le tulituliloaina e le alamanuia semiconductor i le maualuga o le faatinoga ma le tau maualalo, ua alia'e mai le 6-inisi conductive SiC composite substrate. E ala i mea fou fa'atekonolosi tu'ufa'atasia, o lenei 6-inisi wafer e ausia ai le 85% o le fa'atinoga o fa'ata'ita'iga masani 8-inisi a'o tau na'o le 60% le tele. O masini eletise o lo'o fa'aogaina i aso uma e pei o nofoaga fou e ta'u ai le ta'avale malosi, 5G fa'avae eletise eletise, ma e o'o lava i ta'avale felafolafoa'i i mea tau fale e ono fa'aogaina ai mea fa'apitoa o lea ituaiga. O la matou pateni fa'atekonolosi epitaxial tuputupu a'e e mafai ai ona feso'ota'i fa'atasi mafolafola fa'atomu i luga o fa'avae SiC, fa'atasi ai ma le maualuga o le tulaga i lalo ole 1 × 10¹¹/cm²·eV - o se fa'amatalaga ua o'o atu i tulaga fa'avaomalo.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'agata fa'atekinisi

Aitema	Gaosigavasega	Faafoligavasega
Diamita	6-8 inisi	6-8 inisi
mafiafia	350/500±25.0 μm	350/500±25.0 μm
Polytype	4H	4H
Tete'e	0.015-0.025 ohm·cm	0.015-0.025 ohm·cm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
A'ai	≤35 μm	≤55 μm
Luma (Si-foliga) talatala	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)

Vaega Autu

1.Cost Advantage: O le matou 6-inisi conductive SiC composite substrate e fa'aaogaina ai le "graded buffer layer" tekinolosi e fa'amalieina ai le tu'ufa'atasiga o meafaitino e fa'aitiitia ai le tau o meafaitino e 38% a'o fa'atumauina lelei le fa'atinoina o le eletise. O fua fa'atatau o lo'o fa'aalia ai o masini 650V MOSFET o lo'o fa'aogaina lenei mea e maua ai le 42% fa'aitiitiga i le tau i le iunite fa'atusatusa i fofo masani, lea e taua tele mo le fa'alauiloaina o le fa'aogaina o masini SiC i mea tau fa'aeletonika.
2.Excellent Conductive Meatotino: E ala i le saʻo nitrogen doping faiga pulea, tatou 6-inisi conductive SiC composite substrate ausia ultra-maualalo resistivity o 0.012-0.022Ω·cm, ma fesuiaiga pulea i totonu ± 5%. Aemaise lava, matou te faatumauina le tutusa o le resistivity e oʻo lava i totonu o le 5mm pito pito i tua o le wafer, foia se faʻafitauli faʻafitauli umi i totonu o le alamanuia.
3.Thermal Performance: A 1200V / 50A module atiaʻe e faʻaaoga ai lo tatou substrate faʻaalia naʻo le 45 ℃ faʻapipiʻi vevela maualuga i luga aʻe o le ambient i le faʻaogaina o le uta atoa - 65 ℃ maualalo ifo nai lo masini faʻatusa faʻavae. E mafai lenei mea i le matou "3D thermal channel" fausaga tu'ufa'atasiga e fa'aleleia atili ai le fa'aogaina o le vevela i le 380W/m·K ma le fa'aulu i luga o le vevela i le 290W/m·K.
4.Process Fegalegaleai: Mo le fausaga tulaga ese o 6-inisi conductive SiC composite substrates, matou atiina ae se faiga stealth leisa dicing tutusa ausia 200mm / s tipi saoasaoa ao pulea mata chipping i lalo 0.3μm. E le gata i lea, matou te ofoina atu ni filifiliga mea'ai fa'apipi'i muamua e mafai ai ona fa'apipi'i sa'o, fa'asaoina tagata fa'atau e lua la'asaga.

Talosaga Autu

Meafaigaluega Mata'utia Smart Grid:

I le ultra-high voltage direct current (UHVDC) transmission systems o loʻo faʻaogaina i le ± 800kV, IGCT masini faʻaaogaina a tatou 6-inisi conductive SiC composite substrates e faʻaalia ai le faʻaleleia atili o galuega. O nei masini e ausia le 55% faʻaitiitiga i le fesuiaiga o gau i le taimi o felaʻuaʻiga, aʻo faʻateleina le faʻaogaina o le tino e sili atu i le 99.2%. O mea'ai 'ele'ele fa'avevela (380W/m·K) e mafai ai ona fa'ata'ita'iina mamanu fa'amautu e fa'aitiitia ai tulagavae o le substation i le 25% pe a fa'atusatusa i vaifofo masani fa'avae.

Malosiaga Fou Ta'avale Powertrains:

O le faiga o le ta'avale o lo'o tu'ufa'atasia ai le 6-inisi SiC composite substrates e maua ai le malosi fa'aliliuina e le'i tupu muamua i le 45kW/L - o se fa'aleleia atili e 60% i lo latou mamanu fa'avae 400V muamua. O le mea e sili ona mata'ina, o lo'o fa'atumauina e le faiga le 98% le lelei i le va'aiga atoa o le vevela fa'agaoioiga mai le -40 ℃ i le +175 ℃, fo'ia ai lu'itau fa'atinoga o le tau malulu na afaina ai le fa'aaogaina o le EV i le tau i matu. O fa'ata'ita'iga moni i le lalolagi o lo'o fa'aalia ai le si'itia o le 7.5% i le tau malulu mo ta'avale fa'apipi'iina i lenei tekonolosi.

Alamanuia Fesuia'iga Ta'avale Auala:

O le fa'aaogaina o a tatou mea e fa'aogaina i masini fa'apitoa (IPMs) mo fa'alapotopotoga servo fa'apisinisi o lo'o suia ai le fa'aogaina o masini. I totonu ole CNC machining cents, o nei modules e tuʻuina atu le 40% vave tali afi (faʻaitiitia le taimi faʻavave mai le 50ms i le 30ms) aʻo tipiina le pisa eletise e 15dB i le 65dB (A).

Consumer Electronics:

O lo'o fa'aauau pea le suiga o mea fa'akomepiuta fa'atau ma a tatou mea fa'apipi'i e mafai ai e isi augatupulaga 65W GaN fa'atau vave. O nei mea fa'apipi'i eletise e maua ai le 30% fa'aitiitiga o le voluma (i lalo i le 45cm³) a'o fa'atumauina le malosi atoatoa, fa'afetai i uiga sili atu o suiga o mamanu fa'avae SiC. O ata vevela o loʻo faʻaalia ai le maualuga o le vevela o le 68°C i le taimi o le faʻaauau pea o galuega - 22°C sili atu le malulu nai lo mamanu masani - faʻaleleia atili le ola ma le saogalemu o oloa.

XKH Au'aunaga Fa'apitoa

XKH o lo'o tu'uina atu le lagolago fa'apitoa mo le 6-inisi fa'atonu SiC fa'apipi'i substrates:

Mafiafia Customization: Filifiliga e aofia ai 200μm, 300μm, ma 350μm faʻamatalaga
2. Pulea le Resistivity: Fa'asa'o le fa'aogaina o le doping ituaiga n mai le 1×10¹⁸ i le 5×10¹⁸ cm⁻³

3. Crystal Orientation: Lagolago mo le tele o faʻasalalauga e aofia ai (0001) off-axis 4 ° poʻo le 8 °

4. Au'aunaga Fa'ata'ita'i: Fa'atumu uma lipoti o su'ega fa'ata'ita'i fa'ata'oto

O le matou taimi fa'ata'ita'i nei mai le fa'ata'ita'iga i le tele o gaosiga e mafai ona pu'upu'u i le 8 vaiaso. Mo fa'atauga fa'atau, matou te ofoina atu auaunaga fa'apitoa mo le atina'eina o fa'agasologa ina ia mautinoa le fetaui lelei ma mana'oga masini.