6 Inisi Conductive SiC Composite Substrate 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

Fa'amatalaga Pupuu:

Ona o le tulituliloaina e le alamanuia semiconductor o le faʻatinoga maualuga ma le tau maualalo, ua aliaʻe mai ai le substrate SiC composite 6-inisi. E ala i tekinolosi fou o le composite material, o lenei wafer 6-inisi e ausia ai le 85% o le faʻatinoga o wafers masani e 8-inisi ae naʻo le 60% le tau. O masini eletise i faʻaoga masani e pei o nofoaga fou e faʻatumu ai taʻavale eletise, 5G base station power modules, ma e oʻo lava i le variable-frequency drives i masini eletise taugata i totonu o fale atonu ua uma ona faʻaaogaina substrates o lenei ituaiga. O la matou tekinolosi faʻapitoa mo le tuputupu aʻe o le epitaxial multi-layer e mafai ai ona faia ni atomatic-level flat composite interfaces i luga o SiC bases, faʻatasi ai ma le interface state density i lalo ifo o le 1×10¹¹/cm²·eV – o se faʻamatalaga ua oʻo atu i tulaga taʻutaʻua faavaomalo.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Meafaitino	Gaosigavasega	Fa'ata'ita'ivasega
Lapo'a	6-8 inisi	6-8 inisi
Mafiafia	350/500±25.0 μm	350/500±25.0 μm
Polytype	4H	4H
Tete'e	0.015-0.025 ohm·cm	0.015-0.025 ohm·cm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Fa'alava	≤35 μm	≤55 μm
Ma'a'a o luma (Si-face)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)

Vaega Autū

1. Tau Lelei: O la matou substrate SiC conductive 6-inisi e faʻaaogaina ai le tekinolosi faʻapitoa "graded buffer layer" e faʻaleleia atili ai le tuʻufaʻatasiga o meafaitino e faʻaitiitia ai tau o meafaitino mata e 38% aʻo faʻatumauina pea le faʻatinoga lelei o le eletise. O fua faʻatatau moni e faʻaalia ai o masini 650V MOSFET e faʻaaogaina lenei substrate ua ausia ai le 42% faʻaititia o tau i le iunite o le eria pe a faʻatusatusa i fofo masani, lea e taua tele mo le faʻalauiloaina o le faʻaaogaina o masini SiC i mea faʻaeletoronika a tagata faʻatau.
2. Uiga Sili Ona Lelei o le Fa'afoeina o le Eletise: E ala i faiga fa'atonutonu sa'o o le fa'asusuina o le nitrogen, o la matou substrate SiC fa'asu'i e 6-inisi le umi e ausia ai le tete'e maualalo tele o le 0.012-0.022Ω·cm, fa'atasi ai ma le fesuia'iga e pulea i totonu ole ±5%. E taua tele, matou te tausia le tutusa o le tete'e e tusa lava pe i totonu o le vaega pito e 5mm o le wafer, ma foia ai se fa'afitauli ua leva ona iai i le pisinisi.
3. Fa'atinoga Fa'avevela: O se module 1200V/50A na atia'e e fa'aaoga ai la matou substrate e na'o le 45℃ le si'itia o le vevela o le junction i luga a'e o le ambient i le fa'agaioiga atoa o le avega - e 65℃ le maualalo ifo nai lo masini fa'atusatusa e fa'avae i le silicon. E mafai ona fa'atinoina lenei mea e ala i la matou fausaga tu'ufa'atasi "3D thermal channel" lea e fa'aleleia atili ai le lateral thermal conductivity i le 380W/m·K ma le vertical thermal conductivity i le 290W/m·K.
4. Fegalegaleai o Faiga: Mo le fausaga tulaga ese o mea fa'apipi'i SiC e 6-inisi le umi, na matou atia'e ai se faiga fa'apipi'i laser e fetaui lelei ma le saoasaoa o le tipiina o le 200mm/s a'o pulea le tipiina o pito i lalo ifo o le 0.3μm. E le gata i lea, matou te ofoina atu filifiliga o mea fa'apipi'i ua uma ona fa'apipi'i i le nickel e mafai ai ona fa'apipi'i sa'o le die, ma sefe ai la'asaga e lua o faiga a tagata fa'atau.

Talosaga Autu

Meafaigaluega Taua o le Smart Grid:

I totonu o faiga fa'asalalau eletise e maualuga tele le voltage (UHVDC) o lo'o fa'agaoioia i le ±800kV, o masini IGCT e fa'aogaina a matou substrates SiC conductive 6-inisi e fa'aalia ai le fa'aleleia atili o le fa'atinoga. O nei masini e ausia le 55% le fa'aitiitia o le gau o le fesuia'iga i le taimi o fa'agasologa o le fesuia'iga, a'o fa'ateleina le lelei atoa o le faiga e sili atu i le 99.2%. O le sili atu o le conductivity thermal o substrates (380W/m·K) e mafai ai ona mamanuina ni converter laiti e fa'aitiitia ai le tulagavae o le substation e 25% pe a fa'atusatusa i fofo masani e fa'avae i le silicon.

Fa'aputuga Malosiaga o Ta'avale Malosi Fou:

O le faiga fa'aeletise e aofia ai a matou substrates SiC fa'aeletise e 6-inisi le lautele ua ausia ai le malosi o le inverter e le'i fa'atusalia o le 45kW/L - o se fa'aleleia atili e 60% nai lo le mamanu muamua e fa'avae i luga o le silicon 400V. O le mea e sili ona mata'ina, o le faiga e fa'atumauina le 98% o le lelei i le vevela atoa o le fa'agaioiga mai le -40℃ i le +175℃, e foia ai lu'itau o le fa'atinoga i le tau malulu lea ua fa'alavelaveina ai le fa'aaogaina o EV i tau i matu. O su'ega moni i le lalolagi ua fa'aalia ai le 7.5% o le fa'aopoopoga i le taumalulu mo ta'avale ua fa'apipi'iina i lenei tekinolosi.

Ta'avale Fa'afesuia'i Fa'apisinisi:

O le faʻaaogaina o a matou substrates i totonu o intelligent power modules (IPMs) mo faiga servo faʻapisinisi o loʻo suia ai le faʻaogaina o masini gaosi. I totonu o nofoaga autu o masini CNC, o nei modules e tuʻuina atu ai le 40% vave o le tali atu o le afi (faʻaitiitia ai le taimi faʻavavevave mai le 50ms i le 30ms) aʻo faʻaitiitia ai le pisa eletise e 15dB i le 65dB(A).

Mea Fa'aeletoronika a Tagata Fa'atau:

O loʻo faʻaauau pea le suiga tele o mea faʻaeletoronika a tagata faʻatau i a matou substrates e mafai ai ona faʻafouina le isi tupulaga o le 65W GaN fast chargers. O nei mea faʻapipiʻi eletise laiti e ausia ai le 30% faʻaitiitia o le voluma (e oʻo atu i le 45cm³) aʻo faʻatumauina pea le malosi atoa, faʻafetai i uiga sili ona lelei o le fesuiaʻiga o mamanu faʻavae i luga o le SiC. O le ata vevela e faʻaalia ai le maualuga o le vevela o le pusa e naʻo le 68°C i le taimi o le faʻagaioiga faifai pea - 22°C e malulu atu nai lo mamanu masani - e faʻaleleia atili ai le umi o le ola ma le saogalemu o oloa.

Auaunaga Fa'apitoa a le XKH

E tuʻuina atu e le XKH le lagolago atoatoa mo le faʻatulagaina mo mea faʻapipiʻi SiC conductive e 6-inisi:

Fa'atulagaina o le Mafiafia: Filifiliga e aofia ai fa'amatalaga o le 200μm, 300μm, ma le 350μm
2. Pulea o le Tete'e: Fa'afetaui lelei le fa'aputuga o le fa'asusuina o le ituaiga-n mai le 1×10¹⁸ i le 5×10¹⁸ cm⁻³

3. Fa'asinomaga o le Kilisitala: Lagolago mo le tele o fa'asinomaga e aofia ai le (0001) i fafo atu o le 4° po'o le 8°

4. Auaunaga Su'ega: Lipoti atoa o su'ega o le tulaga o le wafer

O le taimi e manaʻomia ai i le taimi nei, mai le faʻataʻitaʻiga o le gaosiga tele e mafai ona puʻupuʻu e pei o le 8 vaiaso. Mo tagata faʻatau faʻapitoa, matou te ofoina atu auaunaga faʻapitoa mo le atinaʻeina o le faagasologa e faʻamautinoa ai le fetaui lelei ma manaʻoga o masini.