6 inisi le SiC tioata e tasi e fa'afoeina i luga o le substrate polycrystalline SiC composite Diameter 150mm P ituaiga N ituaiga

6 inisi le SiC tioata e tasi e fa'afoeina i luga o le substrate polycrystalline SiC composite Diameter 150mm P ituaiga N Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 6-inisi le umi o le SiC monocrystalline e fa'a'ave'aveina i luga o le polycrystalline SiC composite substrate o lo'o fa'atusalia ai se fofo fou o mea silicon carbide (SiC) ua mamanuina mo masini eletise e maualuga le malosi, vevela maualuga, ma le tele o taimi. O lenei substrate o lo'o i ai se vaega malosi o le SiC e tasi le tioata ua fa'apipi'i i se fa'avae polycrystalline SiC e ala i ni faiga fa'apitoa, e tu'ufa'atasia ai meatotino eletise sili ona lelei o le monocrystalline SiC fa'atasi ai ma le taugofie o le polycrystalline SiC.
Pe a fa'atusatusa i mea masani e fa'aaogaina ai le SiC monocrystalline atoa, o le 6-inisi le umi e fa'aaogaina ai le monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate e fa'atumauina ai le maualuga o le fe'avea'i o le eletise ma le tete'e maualuga i le voltage a'o fa'aitiitia ai tau o gaosiga. O lona tele o le wafer e 6-inisi (150 mm) e fa'amautinoa ai le fetaui ma laina gaosiga o semiconductor o lo'o iai nei, ma mafai ai ona fa'ateleina le gaosiga. E le gata i lea, o le mamanu fa'aaogaina e mafai ai ona fa'aoga sa'o i le gaosiga o masini eletise (e pei o MOSFET, diodes), e ave'ese ai le mana'oga mo ni fa'agasologa fa'aopoopo o le doping ma fa'afaigofieina ai le fa'agasologa o gaosiga.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Tele:	6 inisi
Lapoa:	150 milimita
Mafiafia:	400-500 μm
Fa'asologa o Ata Tifaga Monocrystalline SiC
Polytype:	4H-SiC po'o le 6H-SiC
Fa'aputuga o le Fa'aaogaina o le Doping:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Mafiafia:	5-20 μm
Tete'e i le Pepa:	10-1000 Ω/sq
Fe'avea'i o Eletroni:	800-1200 cm²/Vs
Fe'avea'i i le Pu:	100-300 cm²/Vs
Fa'asologa o le Polycrystalline SiC Buffer Layer
Mafiafia:	50-300 μm
Fa'avevela o le Tafega:	150-300 W/m·K
Fa'asologa o le Monocrystalline SiC Substrate
Polytype:	4H-SiC po'o le 6H-SiC
Fa'aputuga o le Fa'aaogaina o le Doping:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Mafiafia:	300-500 μm
Tele o le saito:	> 1 milimita
Ma'ale'ale o le fogā'ele'ele:	< 0.3 mm RMS
Meatotino Fa'amekanika ma Eletise
Faigata:	9-10 Mohs
Malosiaga Fa'apipi'i:	3-4 GPa
Malosiaga o le Fetuuna'i:	0.3-0.5 GPa
Malosiaga o le Fanua Fa'aleagaina:	> 2 MV/cm
Onosa'i Atoa i Fua Fa'asaina:	> 10 Mrad
Tete'e i A'afiaga o le Mea na Tutupu Tasi:	> 100 MeV·cm²/mg
Fa'avevela o le Tafega:	150-380 W/m·K
Fa'asologa o le Vevela o le Fa'agaioiga:	-55 i le 600°C

Uiga Autū

O le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate e ofoina atu ai se paleni tulaga ese o le fausaga o meafaitino ma le faatinoga, ma avea ai ma mea talafeagai mo siosiomaga tau alamanuia faigata:

1. Tau aogā: O le fa'avae SiC polycrystalline e fa'aitiitia tele ai tau pe a fa'atusatusa i le SiC monocrystalline atoa, ae o le vaega galue o le SiC monocrystalline e fa'amautinoa ai le fa'atinoga e tutusa ma le tulaga o le masini, e fetaui lelei mo fa'aoga e taugofie.

2. Metotia Fa'aeletise Tulaga Ese: O le vaega monocrystalline SiC e fa'aalia ai le maualuga o le fe'avea'i (>500 cm²/V·s) ma le maualalo o le mafiafia o mea sese, e lagolagoina ai le fa'agaoioiga maualuga ma le malosi o le masini.

3. Mausali i le Vevela Maualuga: O le tete'e atu o le SiC i le vevela maualuga (>600°C) e fa'amautinoa ai o lo'o tumau pea le mautu o le mea fa'apipi'i i lalo o tulaga faigata, ma talafeagai ai mo ta'avale eletise ma fa'aoga afi fa'apisinisi.

Tele o le Wafer Fa'atulagaina e 4.6-inisi: Pe a fa'atusatusa i le 4-inisi SiC substrates masani, o le fa'atulagaga e 6-inisi e fa'ateleina ai le fua o le chip e silia ma le 30%, ma fa'aitiitia ai le tau o masini i le iunite ta'itasi.

5. Fuafuaga Fa'aeletise: O vaega o le ituaiga-N po'o le ituaiga-P ua uma ona fa'apipi'i e fa'aitiitia ai la'asaga o le fa'apipi'iina o le ion i le gaosiga o masini, fa'aleleia atili ai le lelei o le gaosiga ma le fua.

6. Puleaina Sili o le Vevela: O le fa'avevela o le polycrystalline SiC base (~120 W/m·K) e tutusa ma le monocrystalline SiC, ma e foia lelei ai lu'itau o le fa'aumatia o le vevela i masini e maualuga le malosi.

O nei uiga ua faʻatulaga ai le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate o se fofo tauva mo alamanuia e pei o le malosiaga faʻafouina, felauaiga i luga o le nofoaafi, ma le ea.

Talosaga Autū

O le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate ua faʻaaogaina ma le manuia i le tele o vaega e manaʻomia tele:
1. Masini Fa'aeletise mo Ta'avale: Fa'aaogaina i SiC MOSFET ma diodes e maualuga le voltage e fa'aleleia atili ai le lelei o le inverter ma fa'alauteleina le mamao e mafai ona fa'aaogaina e le maa (e pei o Tesla, fa'ata'ita'iga BYD).

2. Avetaavale o Afi Fa'apisinisi: E mafai ai ona fa'agaoioia vaega eletise e maualuga le vevela ma le fesuia'iga o le saoasaoa, ma fa'aitiitia ai le fa'aaogaina o le malosi i masini mamafa ma turbine matagi.

3. Photovoltaic Inverters: E fa'aleleia atili e masini SiC le lelei o le liua o le la (>99%), ae o le substrate tu'ufa'atasi e fa'aitiitia atili ai tau o le masini.

4. Felauaiga i luga o le Nofoaafi: Fa'aaogaina i masini fa'aliliu mo nofoaafi saoasaoa maualuga ma auala i lalo o le eleele, e ofoina atu le tete'e maualuga i le voltage (>1700V) ma foliga fa'apipi'i.

5. Vateatea: E fetaui lelei mo faiga eletise a satelite ma matagaluega e pulea ai afi o vaalele, e mafai ona tatalia le vevela tele ma le fa'avevela.

I le fa'atinoina o galuega fa'atino, o le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate e matua fetaui lelei lava ma faiga masani a le masini SiC (e pei o le lithography, etching), e le mana'omia ai se tupe fa'afaigaluega fa'aopoopo.

Auaunaga a le XKH

E tuʻuina atu e le XKH le lagolago atoatoa mo le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate, e aofia ai R&D i le gaosiga tele:

1. Fa'apitoa: Mafiafia o le vaega monocrystalline e mafai ona fetu'una'i (5–100 μm), le fa'aputuga o le doping (1e15–1e19 cm⁻³), ma le fa'atulagaina o le crystal (4H/6H-SiC) e fa'afetaui ai mana'oga eseese o masini.

2. Fa'agasologa o le Wafer: Sapalai tele o mea fa'apipi'i e 6-inisi fa'atasi ai ma auaunaga fa'amamago o le itu i tua ma le fa'ametalaina mo le fa'aogaina fa'apipi'i ma le fa'aogaina.

3. Fa'amaoniga Fa'apitoa: E aofia ai le au'ili'iliga o le XRD crystallinity, su'ega o le Hall effect, ma le fuaina o le tete'e atu i le vevela e fa'avavevave ai le fa'amaonia o meafaitino.

4. Fa'ata'ita'iga Vave: Fa'ata'ita'iga e 2 i le 4-inisi (fa'agasologa lava e tasi) mo fa'alapotopotoga su'esu'e e fa'avavevave ai ta'amilosaga o atina'e.

5. Su'esu'ega o le Lē Lelei ma le Fa'aleleia: Fofo i tulaga o meafaitino mo lu'itau o le fa'agasologa (e pei o fa'aletonu o le vaega epitaxial).

O la matou misiona o le faʻatuina lea o le 6-inisi conductive monocrystalline SiC i luga o le polycrystalline SiC composite substrate e fai ma fofo taugofie e sili ona lelei mo le SiC power electronics, e ofoina atu le lagolago mai le amataga i le faaiuga mai le faʻataʻitaʻiga i le gaosiga tele.

Faaiuga

O le 6-inisi monocrystalline SiC fa'aeletise i luga o le polycrystalline SiC composite substrate ua ausia ai se paleni mata'ina i le va o le fa'atinoga ma le tau e ala i lona fausaga fou mono/polycrystalline hybrid. A'o fa'ateleina ta'avale eletise ma fa'asolo i luma le Industry 4.0, o lenei substrate e maua ai se fa'avae fa'atuatuaina mo le isi tupulaga o eletise eletise. E talia e le XKH le galulue fa'atasi e su'esu'e atili ai le gafatia o tekinolosi SiC.