Wafers Epitaxial GaN-on-SiC Fa'apitoa (100mm, 150mm) – Filifiliga Tele o le SiC Substrate (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Fa'amatalaga Pupuu:

O a matou GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Fa'apitoa e ofoina atu le fa'atinoga sili ona lelei mo fa'aoga maualuga-malosiaga, maualuga-taimi e ala i le tu'ufa'atasia o meatotino tulaga ese o le Gallium Nitride (GaN) fa'atasi ai ma le malosi o le fa'avevela ma le malosi fa'ainisinia o leSilikoni Karbida (SiC). E maua i le lapopo'a o le 100mm ma le 150mm o le wafer, o nei wafer ua fausia i luga o le tele o filifiliga o le SiC substrate, e aofia ai le 4H-N, HPSI, ma le 4H/6H-P ituaiga, ua fa'atulagaina e fa'afetaui ai mana'oga fa'apitoa mo eletise eletise, RF amplifiers, ma isi masini semiconductor fa'aonaponei. Fa'atasi ai ma vaega epitaxial e mafai ona fetu'una'i ma substrates SiC tulaga ese, o a matou wafer ua mamanuina e fa'amautinoa ai le maualuga o le lelei, pulega o le vevela, ma le fa'atuatuaina mo fa'aoga faigata tau alamanuia.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

●Mafiafia o le Vaega Epitaxial: E mafai ona fetu'una'i mai1.0 µmi3.5 µm, fa'alelei mo le malosi maualuga ma le fa'atinoga o le televave.

●Filifiliga o le SiC SubstrateE maua faatasi ma le tele o mea fa'apipi'i SiC, e aofia ai:

4H-N4H-SiC ua fa'afefiloi i le Nitrogen ma le tulaga maualuga mo fa'aoga maualuga le saoasaoa, ma le malosi tele.
HPSISiC Semi-Insulating Mama Maualuga mo galuega e manaʻomia ai le vavaeʻeseina eletise.
4H/6H-P: Fa'afefiloi le 4H ma le 6H-SiC mo se paleni o le lelei maualuga ma le fa'atuatuaina.

●Tele o le Wafer: E maua i100mmma150mmlautele mo le fetu'una'iga i le fa'ateleina ma le tu'ufa'atasia o masini.

●Maualuga le Malosiaga o le EletiseO le tekinolosi GaN i luga o le SiC e maua ai le voltage maualuga o le breakdown, e mafai ai ona malosi le faʻatinoga i faʻaoga eletise maualuga.

●Maualuga le Fa'avevela: O le fa'avevela fa'alenatura o le SiC (pe tusa o le 490 W/m·K) e fa'amautinoa ai le lelei o le fa'asa'olotoina o le vevela mo galuega e tele ai le eletise.

Fa'amatalaga Fa'apitoa

Fa'atulagaga	Taua
Lapoa o le Wafer	100mm, 150mm
Mafiafia o le Vaega Epitaxial	1.0 µm – 3.5 µm (e mafai ona fetu'una'i)
Ituaiga o le SiC Substrate	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Fa'atinoina o le vevela o le SiC	490 W/m·K
Tete'e SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Fa'amamago Fa'alava,4H/6H-PFefiloi 4H/6H
Matotoru o le Vaega GaN	1.0 µm – 2.0 µm
Fa'aputuga o le GaN Carrier	10^18 cm^-3 i le 10^19 cm^-3 (e mafai ona fetu'una'i)
Tulaga Lelei o le Laupapa Wafer	RMS Ma'a'a: < 1 nm
Mafiafia o le Sese	< 1 x 10^6 cm^-2
Aufana Wafer	< 50 µm
Mafolafola o le Wafer	< 5 µm
Vevela Maualuga o le Fa'agaioiga	400°C (masani mo masini GaN-on-SiC)

Talosaga

●Elektronika Malosiaga:E maua mai i wafers GaN-on-SiC le lelei maualuga ma le fa'asalalauina o le vevela, ma avea ai ma mea lelei tele mo amplifiers eletise, masini e liua ai le eletise, ma matagaluega power-inverter e fa'aaogaina i ta'avale eletise, faiga fa'afouina o le malosiaga, ma masini fa'apisinisi.
●Fa'amalosi Malosiaga RF:O le tu'ufa'atasiga o le GaN ma le SiC e atoatoa mo fa'aoga RF maualuga-fa'atele, maualuga le malosi e pei o feso'ota'iga, feso'ota'iga satelite, ma faiga radar.
●Vaalele ma le Puipuiga:O nei wafers e talafeagai mo tekinolosi tau va'alele ma le puipuiga e mana'omia ai le eletise eletise maualuga ma faiga feso'ota'iga e mafai ona fa'agaoioia i tulaga faigata.
●Fa'aoga mo Ta'avale:E fetaui lelei mo faiga eletise maualuluga i totonu o taavale eletise (EV), taavale hybrid (HEV), ma nofoaga e fa'atumu ai le eletise, e mafai ai ona fa'aliliuina ma pulea lelei le eletise.
●Faiga Fa'amiliteli ma Radar:E faʻaaogaina wafers GaN-on-SiC i faiga radar ona o lo latou lelei tele, gafatia e taulimaina ai le eletise, ma le faʻatinoga o le vevela i siosiomaga faigata.
●Fa'aoga i le Microwave ma le Milimita-Galu:Mo faiga feso'ota'iga o le isi tupulaga, e aofia ai le 5G, o le GaN-on-SiC e maua ai le fa'atinoga sili ona lelei i le malosi maualuga o le microwave ma le millimeter-wave.

Fesili ma Tali

Q1: O a ni aogā o le faʻaaogaina o le SiC e fai ma mea e faʻavae ai le GaN?

A1:E ofoina atu e le Silicon Carbide (SiC) le sili atu ona lelei o le fa'avevela, maualuga le voltage o le fa'aleagaina, ma le malosi fa'amekanika pe a fa'atusatusa i mea masani e pei o le silicon. O lenei mea e avea ai GaN-on-SiC wafers ma mea e sili ona lelei mo fa'aoga e maualuga le malosi, maualuga le fa'avevela, ma maualuga le vevela. E fesoasoani le SiC substrate e fa'aitiitia le vevela e gaosia e masini GaN, ma fa'aleleia atili ai le fa'atuatuaina ma le fa'atinoga.

Q2: E mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le vaega epitaxial mo ni fa'aoga fa'apitoa?

A2:Ioe, e mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le vaega epitaxial i totonu o le tele o1.0 µm i le 3.5 µm, e fuafua i le mana ma le tele o manaʻoga o lau talosaga. E mafai ona matou faʻatulagaina le mafiafia o le vaega GaN e faʻaleleia atili ai le faʻatinoga mo masini faʻapitoa e pei o faʻamalosi eletise, faiga RF, poʻo matagaluega maualuga-tele.

Q3: O le a le eseesega i le va o le 4H-N, HPSI, ma le 4H/6H-P SiC substrates?

A3:

4H-NO le 4H-SiC ua fa'afefiloi i le nitrogen e masani ona fa'aaogaina mo fa'aoga maualuga e mana'omia ai le maualuga o le fa'atinoga fa'aeletoronika.
HPSIO le High-Purity Semi-Insulating SiC e maua ai le vavae'eseina mai le eletise, e fetaui lelei mo galuega e mana'omia ai le la'ititi o le fa'avevela.
4H/6H-PO se fa'afefiloi o le 4H ma le 6H-SiC e paleni ai le fa'atinoga, e ofoina atu ai se tu'ufa'atasiga o le maualuga o le lelei ma le malosi, e talafeagai mo le tele o fa'aoga fa'aeletoronika eletise.

Q4: E talafeagai ea nei wafers GaN-on-SiC mo faʻaoga eletise maualuluga e pei o taʻavale eletise ma le malosiaga faʻafouina?

A4:Ioe, o wafers GaN-on-SiC e fetaui lelei mo faʻaoga eletise maualuluga e pei o taʻavale eletise, malosiaga faʻafouina, ma faiga faʻapisinisi. O le maualuga o le voltage breakdown, maualuga le thermal conductivity, ma le gafatia o le taulimaina o le eletise o masini GaN-on-SiC e mafai ai ona latou faʻatino lelei i matagaluega faigata o le liua o le eletise ma le pulea.

Q5: O le a le mafiafia masani o le dislocation mo nei wafers?

A5:O le mafiafia o le dislocation o nei GaN-on-SiC wafers e masani lava< 1 x 10^6 cm^-2, lea e mautinoa ai le tuputupu aʻe maualuga o le epitaxial, faʻaitiitia ai faʻaletonu ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga ma le faʻatuatuaina o le masini.

Q6: E mafai ona ou talosaga mo se tele faapitoa o le wafer po o le ituaiga o le SiC substrate?

A6:Ioe, matou te ofoina atu ni lapopo'a fa'apitoa o le wafer (100mm ma le 150mm) ma ituaiga o substrate SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) e fa'afetaui ai mana'oga fa'apitoa o lau talosaga. Fa'amolemole fa'afeso'ota'i matou mo nisi filifiliga fa'apitoa ma talanoaina ou mana'oga.

Q7: E fa'apefea ona fa'atino galuega a wafers GaN-on-SiC i siosiomaga faigata?

A7:E fetaui lelei wafers GaN-on-SiC mo siosiomaga faigata ona o lo latou mautu maualuga i le vevela, taulimaina lelei o le malosi, ma le lelei tele o le fa'asa'olotoina o le vevela. E lelei le fa'atinoina o nei wafers i tulaga vevela maualuga, malosi tele, ma tulaga fa'atelevave e masani ona fetaia'i i le va'alele, puipuiga, ma fa'aoga tau alamanuia.

Faaiuga

O a matou GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Fa'apitoa e tu'ufa'atasia ai meatotino fa'apitoa o le GaN ma le SiC e tu'uina atu ai le fa'atinoga sili ona lelei i fa'aoga maualuga le malosi ma le tele o taimi. Faatasi ai ma le tele o filifiliga o le SiC substrate ma vaega epitaxial e mafai ona fetu'una'i, o nei wafers e fetaui lelei mo alamanuia e mana'omia ai le maualuga o le lelei, pulega o le vevela, ma le fa'atuatuaina. Pe mo le eletise eletise, faiga RF, po'o fa'aoga puipuiga, o a matou GaN-on-SiC wafers e ofoina atu le fa'atinoga ma le fetu'una'i e te mana'omia.