Metotia CVD mo le gaosia maualuga mama SiC mea mata'utia i totonu o le ogaumu faʻapipiʻi carbide silicon i le 1600 ℃
Fa'avae galue:
1. Sapalai muamua. O kasa fa'apogai (eg SiH₄) ma le kasa (eg C₃H₈) e fa'afefiloi fa'atasi ma fafaga i totonu o le potu tali.
2. Fa'aleagaina le maualuga o le vevela: I le maualuga o le vevela o le 1500 ~ 2300 ℃, o le fa'aleagaina o le kesi e fa'atupuina ai Si ma C atoma malosi.
3. Fa'asagaga i luga ole laiga: Si ma C atoms o lo'o teuina i luga o le mea'ai e fai ai se siC tioata tioata.
4. Fa'atupula'ia tioata: E ala i le fa'atonutonuina o le fa'alili o le vevela, tafega o le kesi ma le mamafa, e ausia ai le tuputupu a'e fa'atonu i luga o le c axis po'o le a axis.
Fa'ailoga autu:
· Vevela: 1600~2200℃ (>2000℃ mo 4H-SiC)
· Omiga: 50 ~ 200mbar (maualalo le mamafa e faʻaitiitia ai le faʻaogaina o kesi)
· Fuafuaga kasa: Si / C≈1.0~1.2 (ia aloese mai le faʻaleagaina o le Si poʻo C)
Vaega autu:
(1) Uiga tioata
Fa'aletonu maualalo: le tele o le microtubule <0.5cm ⁻², va'ava'a fa'aletonu <10⁴ cm⁻².
Pulea ituaiga Polycrystalline: e mafai ona tupu 4H-SiC (mainstream), 6H-SiC, 3C-SiC ma isi ituaiga tioata.
(2) Fa'atinoga o meafaigaluega
Maualuluga o le vevela: faʻavevela faʻamalama poʻo le faʻafefeteina, vevela> 2300 ℃.
Fa'atonuga tutusa: fesuiaiga o le vevela ± 5 ℃, fua faatatau tuputupu aʻe 10 ~ 50μm / h.
Faiga kasa: maualuga sa'o le flowmeter masini (MFC), mama kasa ≥99.999%.
(3) Tulaga fa'atekonolosi
Mamaa maualuga: Fa'asa'o le mama i tua <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, ma isi).
Tele tetele: Lagolago 6 "/8" SiC substrate tuputupu ae.
(4) Fa'aaogāina malosi ma tau
Ole maualuga ole malosi ole taumafa (200 ~ 500kW · h i le ogaumu), faʻamaumauga mo le 30% ~ 50% o le tau o le gaosiga o le substrate SiC.
Talosaga autu:
1. Mana semiconductor substrate: SiC MOSFETs mo le gaosiga o taavale eletise ma photovoltaic inverters.
2. Rf masini: 5G nofoaga autu GaN-on-SiC epitaxial substrate.
3.Masini si'osi'omaga Extreme: maualuga vevela sensors mo aerospace ma malosiaga faaniukilia.
Fa'amatalaga fa'apitoa:
| Fa'amatalaga | Fa'amatalaga |
| Fua (L × W × H) | 4000 x 3400 x 4300 mm pe fa'avasega |
| O le lautele o le ogaumu | 1100mm |
| Gafatia uta | 50kg |
| Le tapulaa vacuum tikeri | 10-2Pa(2h ina ua uma ona amata le pamu mole) |
| Fa'atupuina o le mamafa o potu | ≤10Pa/h(ina ua uma calcination) |
| Ufiufi pito i lalo o le ogaumu si'isi'i | 1500mm |
| Auala fa'avevela | Fa'avevela fa'atosina |
| Le maualuga o le vevela i totonu o le ogaumu | 2400°C |
| Fa'avevela le eletise | 2X40kW |
| Fuaina o le vevela | Lua-lanu fua o le vevela infrared |
| Va'aiga vevela | 900~3000 ℃ |
| Sa'o le pulea o le vevela | ±1°C |
| Puleaina le tele o le mamafa | 1~700mbar |
| Sa'o le Pulea o Omiga | 1~5mbar ±0.1mbar; 5 ~ 100mbar ± 0.2mbar; 100~700mbar ± 0.5mbar |
| Metotia uta | Faʻalaloina uta; |
| Fa'atulaga filifiliga | Fa'aluaina le fuaina o le vevela, la'u ese le uta. |
Au'aunaga XKH:
XKH o loʻo tuʻuina atu auaunaga faʻataʻamilosaga atoa mo ogaumu CVD silicon carbide, e aofia ai le faʻaogaina o meafaigaluega (faʻatulagaina o le vevela, faʻaogaina o le kesi), atinaʻe faʻagasologa (pulea tioata, faʻaletonu optimization), aʻoaʻoga faʻapitoa (gaioiina ma le tausiga) ma le maeʻa ona faʻatau atu lagolago (faʻatau vaega tuʻuina atu o vaega autu, suʻesuʻega mamao) e fesoasoani ai i tagata faʻatau e ausia tulaga maualuga SiC substrate gaosiga tele. Ma tu'uina atu auaunaga fa'aleleia fa'agasologa e fa'aauau ai le fa'aleleia atili o le gaosiga o tioata ma le fa'atupuina lelei.
Auiliili Ata
