Metotia CVD mo le gaosia o mea mata SiC mama maualuga i totonu o le ogaumu fa'aputu silicon carbide i le 1600 ℃

Fa'amatalaga Pupuu:

O se ogaumu fa'aputuga Silicon carbide (SiC) (CVD). E fa'aaogaina ai le tekinolosi Chemical Vapor Deposition (CVD) e fa'amama ai puna'oa kasa o le silicon (e pei o le SiH₄, SiCl₄) i se siosiomaga vevela maualuga lea latou te tali atu ai i puna'oa kaponi (e pei o le C₃H₈, CH₄). O se masini autu mo le totoina o tioata silicon carbide mama maualuga i luga o se substrate (graphite po'o fatu SiC). O le tekinolosi e fa'aaogaina tele mo le sauniaina o le substrate tioata SiC e tasi (4H/6H-SiC), o le meafaigaluega autu lea mo le gaosiga o semiconductors eletise (e pei o le MOSFET, SBD).

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Mataupu faavae o le galue:

1. Sapalai o le mea e muamua atu i ai. O kasa o le puna o le silicon (e pei o le SiH₄) ma le kasa o le puna o le kaponi (e pei o le C₃H₈) e palu faatasi i se fua faatatau ma fafaga i totonu o le potu tali.

2. Pala i le vevela maualuga: I le vevela maualuga o le 1500~2300℃, o le pala o le kasa e faʻatupuina ai ni atoma malolosi o le Si ma le C.

3. Tali atu i luga: O atoma Si ma C e fa'aputuina i luga o le fogāeleele e fausia ai se vaega tioata SiC.

4. Tuputupu aʻe o le tioata: E ala i le puleaina o le fesuiaʻiga o le vevela, tafe o le kesi ma le mamafa, ina ia ausia ai le tuputupu aʻe faʻasino i luga o le c axis poʻo le a axis.

Fa'asologa autū:

· Vevela: 1600~2200℃ (>2000℃ mo le 4H-SiC)

· Mamafa: 50~200mbar (mamafa maualalo e faʻaitiitia ai le faʻaputuina o le kesi)

· Fua fa'atatau o le kasa: Si/C≈1.0~1.2 (e 'alofia ai fa'aletonu o le fa'amauoa o le Si po'o le C)

Vaega autū:

(1) Tulaga lelei o le tioata
Maualalo le mafiafia o fa'aletonu: mafiafia o microtubule < 0.5cm⁻², mafiafia o le se'e o le vaega <10⁴ cm⁻².

Puleaina o le ituaiga Polycrystalline: e mafai ona tupu le 4H-SiC (autu), 6H-SiC, 3C-SiC ma isi ituaiga tioata.

(2) Fa'atinoga o masini
Mausali i le vevela maualuga: fa'avevela fa'aoso graphite po'o le fa'avevela tete'e, vevela >2300℃.

Puleaina o le tutusa: suiga o le vevela ±5 ℃, fua faatatau o le tuputupu aʻe 10 ~ 50μm/h.

Faiga kesi: Mita tafe mamafa maualuga ma le sa'o (MFC), mama o le kesi ≥99.999%.

(3) Fa'amanuiaga fa'atekonolosi
Mama maualuga: O le tele o mea leaga i tua atu <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, ma isi).

Tele le lapo'a: Lagolago le tuputupu a'e o le substrate SiC e 6 "/8".

(4) Fa'aaogaina o le malosi ma le tau
Fa'aaogāina maualuga o le malosi (200~500kW·h i le ogaumu e tasi), e aofia ai le 30%~50% o le tau o le gaosiga o le SiC substrate.

Fa'aoga autū:

1. Mea e fa'aogaina ai le semiconductor eletise: SiC MOSFET mo le gaosiga o ta'avale eletise ma inverters photovoltaic.

2. Masini Rf: 5G nofoaga autu GaN-on-SiC epitaxial substrate.

3. Meafaigaluega mo le siosiomaga ogaoga: masini e iloa ai le vevela maualuga mo le ea ma la'au eletise faaniukilia.

Fa'amatalaga fa'apitoa:

Fa'amatalaga	Fa'amatalaga auiliili
Fua (L × W × H)	4000 x 3400 x 4300 mm pe fa'apitoa
Lapoa o le potu ogaumu	1100mm
Malosiaga e utaina ai	50kg
O le tikeri o le gaogao tapula'a	10-2Pa (2 itula talu ona amata le pamu molecular)
Si'itia o le mamafa o le potu	≤10Pa/h (pe a uma ona fa'apala)
Siitia o le ufi pito i lalo o le ogaumu	1500mm
Auala e fa'avevela ai	Fa'avevela fa'aoso
Le vevela maualuga i totonu o le ogaumu	2400°C
Sapalai eletise fa'avevela	2X40kW
Fuaina o le vevela	Fuaina o le vevela o le infrared lanu e lua
Va'aiga o le vevela	900~3000℃
Sa'o le puleaina o le vevela	±1°C
Va'aiga o le mamafa o le pulea	1~700mbar
Sa'o le Puleaina o le Mamafa	1~5mbar ±0.1mbar; 5~100mbar ±0.2mbar; 100~700mbar ±0.5mbar
Auala e uta ai	Uta maualalo;
Fa'atulagaga fa'aopoopo	Nofoaga e fua ai le vevela faalua, e la'u ai le forklift.

Auaunaga a le XKH:

E tuʻuina atu e le XKH auaunaga atoa mo ogaumu CVD silicon carbide, e aofia ai le faʻapitoaina o masini (fuafuaga o le vevela o le sone, faʻatulagaina o le faiga o le kesi), atinaʻeina o faiga (pulea o le tioata, faʻaleleia o mea sese), aʻoaʻoga faʻapitoa (faʻagaioiga ma tausiga) ma le lagolago pe a maeʻa le faʻatau atu (sapalai o vaega faʻasao o vaega autu, suʻesuʻega mamao) e fesoasoani ai i tagata faʻatau e ausia le gaosiga tele o le SiC substrate maualuga. Ma tuʻuina atu auaunaga faʻaleleia atili o faiga e faʻaleleia atili ai le fua o le tioata ma le lelei o le tuputupu aʻe.