Dia150mm 4H-N 6inch SiC substrate Gaosiga ma le vasega fa'ata'ita'i

O vaega autū o le 6 inisi silicon carbide mosfet wafers e faʻapea;.

Tete'e atu i le maualuga o le voltage: O le silicone carbide e maualuga lona malosi e fa'aleagaina ai le eletise, o lea la, o le 6 inisi o le silicon carbide mosfet wafers e iai le malosi e tete'e atu ai i le maualuga o le voltage, e talafeagai mo fa'aoga maualuga o le voltage.

Maualuga le mafiafia o le tafe: O le silicon carbide e tele lona gaoioi i le eletise, ma o le 6-inisi le umi o le silicon carbide mosfet wafers e sili atu lona mafiafia o le tafe e tete'e atu ai i le tele o le tafe.

Maualuga le tele o taimi e fa'agaoioia ai: O le silicon carbide e maualalo le saoasaoa o le feavea'i, ma o le 6-inisi silicon carbide mosfet wafers e maualuga le tele o taimi e fa'agaoioia ai, e talafeagai mo fa'ata'ita'iga fa'aoga maualuga.

Lelei le mautu o le vevela: O le silicone carbide e maualuga lona conductivity thermal, ma o le 6-inisi silicon carbide mosfet wafers e lelei pea le faatinoga i siosiomaga maualuga le vevela.

O le 6 inisi silicon carbide mosfet wafers e faʻaaogaina lautele i vaega nei: eletise eletise, e aofia ai transformers, rectifiers, inverters, power amplifiers, ma isi mea, e pei o le solar inverters, faʻatumuina o taʻavale malosi fou, felauaiga i luga o le nofoaafi, high-speed air compressor i totonu o le fuel cell, DC-DC converter (DCDC), eletise taʻavale afi ma aga masani numera i le fanua o nofoaga autu o faʻamaumauga ma isi vaega e tele a latou faʻaoga.

E mafai ona matou tuʻuina atu le 4H-N 6 inisi SiC substrate, ituaiga eseese o substrate stock wafers. E mafai foʻi ona matou faʻatulagaina ni faʻapitoa e tusa ai ma ou manaʻoga. Susū mai i le fesili!