GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Aofa'i epi mafiafia (micron) 0.6 ~ 2.5 po'o fa'apitoa mo Talosaga Maualuluga
Meatotino
Tele o le Wafer:
E maua i le 4-inisi ma le 6-inisi le lautele mo le faʻaogaina faʻapitoa i faiga faʻaogaina semiconductor eseese.
O avanoa fa'apitoa e maua mo le tele o le wafer, e fa'atatau i mana'oga o tagata fa'atau.
Epitaxial Layer Mafiafia:
Va'aiga: 0.6 µm i le 2.5 µm, fa'atasi ai ma filifiliga mo mafiafia fa'apitoa e fa'atatau i mana'oga fa'apitoa.
O le epitaxial layer ua mamanuina e faʻamautinoa ai le maualuga o le tuputupu aʻe o le tioata GaN, faʻatasi ai ma le mafiafia sili ona lelei e faapaleni ai le mana, tali faʻasolosolo, ma le puleaina o le vevela.
Amioga vevela:
O le lapisi taimane e maua ai le maualuga o le vevela e tusa ma le 2000-2200 W / m · K, faʻamautinoa le faʻamalo lelei o le vevela mai masini maualuga.
GaN Meatotino Meatotino:
Wide Bandgap: O le GaN layer e aoga mai le lautele o le bandgap (~ 3.4 eV), lea e mafai ai ona faʻaogaina i totonu o siosiomaga faigata, maualuga maualuga, ma tulaga maualuga-vevela.
Fe'avea'i Fa'aeletonika: Maualuluga fa'aeletonika fe'avea'i (pe tusa ma le 2000 cm²/V·s), e o'o atu ai i suiga vave ma maualuga atu le fa'agaioia o alalaupapa.
Malosi maualuga male malepelepe: Ole gau gau a GaN e sili atu le maualuga nai lo mea masani semiconductor, e talafeagai mo le malosi-malosi talosaga.
Galuega Fa'aeletise:
Malosi maualuga: GaN-on-Diamond wafers e mafai ai ona maua le malosi maualuga a'o fa'atumauina se fa'ailoga la'ititi, lelei mo fa'amalo eletise ma faiga RF.
Maualalo gau: O le tu'ufa'atasiga o le GaN ma le fa'afefeteina o le vevela o le taimane e ta'ita'ia ai le pa'u maualalo o le mana i le taimi o le ta'aloga.
Tulaga Tulaga:
Tulaga maualuga Epitaxial Growth: O le GaN layer o loʻo tupu aʻe i luga o le taimane substrate, faʻamautinoa le laʻititi o le vaʻaia, maualuga le maualuga o le tioata, ma le lelei o le faʻatinoga o masini.
Tulaga tutusa:
Mafiafia ma Tulaga Fa'atasi: O le GaN ma le taimane e fa'atumauina le tutusa lelei, e taua tele mo le fa'atinoina o masini ma le fa'amaoni.
Maumau o vaila'au:
O le GaN ma le taimane o loʻo ofoina atu le faʻamautuina o vailaʻau faʻapitoa, e faʻatagaina ai nei faʻamaʻi e faʻatino faʻalagolago i siʻosiʻomaga vailaʻau faigata.
Talosaga
RF Power Amplifiers:
GaN-on-Diamond wafers e lelei mo RF power amplifiers i fesoʻotaʻiga, radar system, ma satelite fesoʻotaʻiga, e ofoina atu uma le maualuga ma le faʻatuatuaina i laina maualuga (eg, 2 GHz i le 20 GHz ma tua atu).
Feso'ota'iga Microwave:
O nei wafers e sili atu i faiga fa'afeso'ota'i microwave, lea e maualuga ai le eletise ma fa'aitiitia le fa'aleagaina o fa'ailo e taua tele.
Tekinolosi Radar ma Sensing:
GaN-on-Diamond wafers o loʻo faʻaaogaina lautele i faiga o radar, e tuʻuina atu ai le malosi o le faʻatinoga i faʻaoga maualuga ma maualuga, aemaise lava i vaega o le militeri, taʻavale, ma le vateatea.
Faiga Satelite:
I faiga faʻafesoʻotaʻi satelite, o nei wafers e faʻamautinoa ai le tumau ma le maualuga o le faʻatinoina o le eletise eletise, e mafai ona faʻaogaina i tulaga ogaoga o le siosiomaga.
Mea Fa'aeletonika Malosi Maualuga:
Ole malosi ole pulega ole vevela ole GaN-on-Diamond e fetaui lelei mo mea fa'aeletonika maualuga, e pei o le fa'aliliuina o le eletise, fa'aliliu'esega, ma fa'amalo malo.
Faiga Fa'atonu Fa'avevela:
Ona o le maualuga o le vevela o le taimane, e mafai ona faʻaogaina nei mea faʻapipiʻi i talosaga e manaʻomia ai le malosi o le faʻaogaina o le vevela, e pei o le eletise maualuga ma le laser.
Q&A mo GaN-on-Diamond Wafers
Q1: O le a le aoga o le faʻaaogaina o gaN-on-Diamond wafers i faʻaoga maualuga?
A1:GaN-on-Diamond wafers e tu'ufa'atasia ai le fe'avea'i eletonika maualuga ma le va tele o le GaN fa'atasi ai ma le mata'ina o le fe'avea'i o le taimane. O lenei mea e mafai ai ona faʻaogaina masini maualuga i luga o le eletise maualuga aʻo pulea lelei le vevela, faʻamautinoa le sili atu le lelei ma le faʻalagolago pe a faʻatusatusa i mea masani.
Q2: E mafai ona faʻapipiʻiina gaN-on-Diamond wafers mo manaʻoga faʻapitoa ma taimi manaʻomia?
A2:Ioe, GaN-on-Diamond wafers e ofoina atu filifiliga faʻapitoa, e aofia ai le mafiafia o le epitaxial layer (0.6 µm i le 2.5 µm), le tele o le wafer (4-inisi, 6-inisi), ma isi faʻamaufaʻailoga e faʻatatau i manaʻoga faʻapitoa, e maua ai le fetuutuunai mo le maualuga-mamana ma le maualuga-vave talosaga.
Q3: O a faʻamanuiaga autu o taimane e fai ma sui mo GaN?
A3:O le malosi o le vevela o le taimane (e oo atu i le 2200 W/m·K) e fesoasoani i le fa'amama lelei o le vevela e gaosia e masini GaN maualuga. Ole malosi ole pulega ole vevela e mafai ai ona fa'aogaina masini GaN-on-Diamond i le maualuga o le malosi ma alalaupapa, fa'amautinoa le fa'aleleia atili o le fa'atinoga o masini ma le umi ole ola.
Q4: E fetaui lelei gaN-on-Diamond wafers mo avanoa po'o le va'alele?
A4:Ioe, GaN-on-Diamond wafers e fetaui lelei mo avanoa avanoa ma aerospace ona o le maualuga o le faʻatuatuaina, faʻaogaina o le faʻaogaina o le vevela, ma le faʻatinoga i tulaga ogaoga, e pei o le maualuga o le vevela, fesuiaiga o le vevela, ma le faʻaogaina o le maualuga.
Q5: O le a le umi faʻamoemoeina o masini e faia mai GaN-on-Diamond wafers?
A5:O le tu'ufa'atasiga a le GaN o lo'o iai le tumau ma le fa'amama fa'ate'aina o le vevela e maua ai le umi o le ola o masini. O masini GaN-on-Diamond ua mamanuina e faʻaogaina i siosiomaga faigata ma tulaga maualuga-malosi ma sina faʻaleagaina i le taimi.
Q6: E fa'afefea ona a'afia le fa'atinoga o le gaN-on-Diamond wafers i le fa'avevela vevela o taimane?
A6:O le maualuga o le vevela o le taimane e taua tele le sao i le faʻaleleia o le faʻatinoga o gaN-on-Diamond wafers e ala i le faʻaleleia lelei o le vevela e gaosia i faʻaoga maualuga. O lenei mea e faʻamautinoa ai o loʻo faʻatumauina e masini GaN le faʻatinoga sili ona lelei, faʻaitiitia le vevela vevela, ma aloese mai le vevela, o se luʻitau masani i masini semiconductor masani.
Q7: O a faʻaoga masani e sili atu ai le gaN-on-Diamond wafers i isi mea semiconductor?
A7:GaN-on-Diamond wafers e sili atu i isi mea i talosaga e manaʻomia ai le faʻaogaina o le malosi maualuga, faʻagaioiga maualuga, ma le pulea lelei o le vevela. E aofia ai RF power amplifiers, radar systems, microwave communication, satellite communication, ma isi eletise eletise.
Fa'ai'uga
GaN-on-Diamond wafers e ofoina atu se fofo tulaga ese mo le maualuga-telefoni ma le malosi-maualuga talosaga, tuʻufaʻatasia le maualuga o le faatinoga o GaN faʻatasi ai ma mea faʻapitoa faʻafefe o taimane. Faʻatasi ai ma faʻataʻitaʻiga faʻapitoa, ua mamanuina e faʻafetaui ai manaʻoga o alamanuia e manaʻomia ai le tuʻuina atu o le eletise lelei, faʻaogaina o le vevela, ma le faʻaogaina o le maualuga, faʻamautinoa le faʻamaoni ma le umi o le ola i totonu o siosiomaga faigata.
Auiliili Ata
