HPSI SiC wafer dia:3inisi mafiafia:350um± 25 µm mo Malosiaga Fa'aeletonika

Fa'amatalaga Puupuu:

O le HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC wafer ma le lautele o le 3 inisi ma le mafiafia o le 350 µm ± 25 µm ua mamanuina faapitoa mo talosaga eletise eletise e manaʻomia ai mea e maualuga le faatinoga. O lenei SiC wafer e ofoina atu le maualuga o le vevela, maualuga le gau, ma le lelei i le maualuga o le vevela, ma avea ai ma filifiliga lelei mo le faʻatupulaia o le manaʻoga mo masini eletise eletise malosi ma malosi. SiC wafers e sili ona fetaui lelei mo le maualuga-voltage, maualuga-o loʻo i ai nei, ma le maualuga-televave talosaga, lea e le mafai ai e le silicon substrates masani ona faʻamalieina manaʻoga.
O la matou HPSI SiC wafer, faʻapipiʻiina i le faʻaaogaina o auala aupito sili ona lata mai i alamanuia, o loʻo avanoa i le tele o togi, taʻitasi ua mamanuina e faʻafetaui manaoga faʻapitoa o gaosiga. O le wafer o loʻo faʻaalia ai le tulaga faʻapitoa o le faʻatulagaga, mea eletise, ma le tulaga lelei, faʻamautinoa e mafai ona tuʻuina atu le faʻatuatuaina o faʻatinoga i talosaga manaʻomia, e aofia ai le eletise eletise, taʻavale eletise (EVs), faʻafouina malosiaga faʻafouina, ma le suiga o fale gaosi oloa.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'atatauga

HPSI SiC wafers o loʻo faʻaaogaina i le tele o faʻaoga eletise eletise, e aofia ai:

Malosiaga Semiconductors:SiC wafers e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga o diodes eletise, transistors (MOSFETs, IGBTs), ma thyristors. O nei semiconductors o loʻo faʻaaogaina lautele i le faʻaogaina o le eletise e manaʻomia ai le maualuga ma le faʻamaoni, e pei o masini afi faʻapisinisi, sapalai eletise, ma faʻaliliuga mo faiga faʻafouina.
Ta'avale eletise (EVs):I ta'avale eletise eletise, o masini eletise fa'avae SiC e maua ai le televave o suiga, maualuga le malosi o le malosi, ma fa'aitiitia ai le vevela. O vaega o le SiC e lelei mo faʻaoga i faiga faʻaogaina o maa (BMS), faʻapipiʻiina o mea tetele, ma luga ole laupapa (OBCs), lea e taua tele ai le faʻaitiitia o le mamafa ma le faʻateleina o le malosi o le liua.

Malosiaga Fa'afouina:SiC wafers o loʻo faʻateleina le faʻaaogaina i le la, afi afi afi, ma faiga e teu ai le malosi, lea e manaʻomia ai le maualuga ma le malosi. O vaega fa'avae SiC e mafai ai ona maualuga le malosi o le malosi ma fa'aleleia le fa'atinoga i nei talosaga, fa'aleleia atili le fa'aliliuga o le malosi atoa.

Alamanuia Malosi Faaeletonika:I faʻaoga faʻapitoa faʻapisinisi, e pei o taʻavale afi, robotics, ma le tele o sapalai eletise, o le faʻaogaina o le SiC wafers e mafai ai ona faʻaleleia le faʻatinoga i tulaga o le lelei, faʻamaoni, ma le faʻaogaina o le vevela. O masini SiC e mafai ona faʻatautaia le maualuga o le fesuiaiga o alalaupapa ma le maualuga o le vevela, ma faʻafaigofie ai mo siosiomaga faigata.

Feso'ota'iga ma Nofoaga Autu:O lo'o fa'aogaina le SiC i sapalai eletise mo mea tau feso'ota'iga ma nofoaga autu o fa'amaumauga, lea e taua tele ai le fa'atuatuaina ma le fa'aleleia lelei o le eletise. O masini eletise e faʻavae i le SiC e mafai ai ona sili atu le lelei i laʻititi laʻititi, lea e faʻaliliuina i le faʻaitiitia o le eletise ma sili atu le lelei o le malulu i totonu o atinaʻe tetele.

O le maualuga o le gau, maualalo i luga o le tetee, ma le lelei o le vevela o le SiC wafers e avea ai i latou ma mea e sili ona lelei mo nei faʻaoga faʻapitoa, e mafai ai ona atinaʻe le isi augatupulaga eletise eletise malosi.

Meatotino

Meatotino

Taua

Fuafu lapoa 3 inisi (76.2 mm)
Mafiafia Wafer 350 µm ± 25 µm
Fa'asinomaga ole Wafer <0001> luga-a'i ± 0.5°
Malosi'i paipa (MPD) ≤ 1 cm⁻²
Tete'e eletise ≥ 1E7 Ω·cm
Fa'amama Fa'asalaina
Primary Flat Orientation {11-20} ± 5.0°
Primary Flat Umi 32.5 mm ± 3.0 mm
Lua Mafolafola Umi 18.0 mm ± 2.0 mm
Tulaga Lua mafolafola Si fa'asaga i luga: 90° CW mai le mafolafola muamua ± 5.0°
Tuusaunoaga Tupito 3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Fa'asaa o luga C-foliga: Faila, Si-foliga: CMP
Ta'eta'e (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai
Papatusi Hex (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai
Polytype Areas (asia ile malamalama maualuga) Vaega fa'aopoopo 5%
Manu'ese (su'esu'eina e le malamalama maualuga) ≤ 5 maosiosi, fa'aputu umi ≤ 150 mm
Tu'u pito Leai se fa'atagaina ≥ 0.5 mm le lautele ma le loloto
Fa'aleaga i luga o le Laueleele (su'esu'eina e le malamalama maualuga) Leai

Faamanuiaga Autu

Amioga vevela maualuga:SiC wafers ua lauiloa ona o lo latou tomai faʻapitoa e faʻamalo ai le vevela, lea e mafai ai e masini eletise ona faʻagaoioia i le maualuga maualuga ma taulima maualuga atu e aunoa ma le vevela. O lenei vaega e taua tele i le eletise eletise lea o le puleaina o le vevela o se luʻitau taua.
Malosi maualuga malepe:O le lautele o le fusi o le SiC e mafai ai e masini ona faʻafeiloaʻi le maualuga o le voltage, ma faʻaogaina lelei mo le maualuga-voltage talosaga e pei o laina eletise, taʻavale eletise, ma masini fale gaosi oloa.
Lelei maualuga:O le tuʻufaʻatasia o alalaupapa fesuiaʻi maualuga ma le maualalo i luga o le tetee e maua ai masini e maualalo le malosi o le malosi, faʻaleleia le lelei atoa o le liua o le mana ma faʻaitiitia ai le manaʻomia mo faiga faʻamafanafana lavelave.
Fa'atuatuaina i Siosiomaga Saua:SiC e mafai ona galue i le maualuga o le vevela (e oʻo atu i le 600°C), lea e talafeagai ai mo le faʻaogaina i siosiomaga e ono faʻaleagaina ai masini faʻavae masani.
Malosiaga Fa'asao:O masini eletise SiC e faʻaleleia ai le faʻaleleia o le malosi, lea e taua tele i le faʻaitiitia o le faʻaaogaina o le eletise, aemaise lava i faiga tetele e pei o fale gaosi eletise, taavale eletise, ma atinaʻe malosi faʻafouina.

Auiliili Ata

3 INSI HPSI SIC WAFER 04
3Inisi HPSI SIC WAFER 10
3 INSI HPSI SIC WAFER 08
3Inisi HPSI SIC WAFER 09

  • Muamua:
  • Sosoo ai:

  • Tusi lau savali iinei ma lafo mai ia i matou