Wafer Indium Antimonide (InSb) ituaiga N ituaiga P ituaiga Epi ua sauni e le'i fa'apipi'iina Te doped po'o Ge doped 2 inisi 3 inisi 4 inisi le mafiafia

Fa'amatalaga Pupuu:

O wafers Indium Antimonide (InSb) o se vaega autū i fa'aoga eletise ma optoelectronic e maualuga le fa'atinoga. O nei wafers e maua i ituaiga eseese, e aofia ai le ituaiga-N, ituaiga-P, ma le undoped, ma e mafai ona fa'aopoopo i ai elemene e pei o le Tellurium (Te) po'o le Germanium (Ge). O wafers InSb e fa'aaogaina lautele i le iloa o le infrared, transistors saoasaoa maualuga, masini quantum well, ma isi fa'aoga fa'apitoa ona o lo latou feoa'i lelei i le eletise ma le vaapiapi o le bandgap. O wafers e maua i lautele eseese e pei o le 2-inisi, 3-inisi, ma le 4-inisi, fa'atasi ai ma le pulea sa'o o le mafiafia ma luga fa'apupula/vevela maualuga.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Filifiliga o le Fa'aaogaina o le Doping:
1. Aveese le vaila'au fa'asaina:O nei wafers e sa'oloto mai ni vaila'au fa'aopoopo, ma avea ai ma mea lelei tele mo fa'aoga fa'apitoa e pei o le tuputupu a'e o le epitaxial.
2. Te Doped (Ituaiga-N):E masani ona faʻaaogaina le faʻaaogaina o le Tellurium (Te) e fatu ai ni wafers ituaiga-N, e fetaui lelei mo faʻaoga e pei o masini e iloa ai infrared ma mea faʻaeletoronika e saoasaoa tele.
3.Ge Doped (Ituaiga-P):O le fa'aogaina o le Germanium (Ge) e fa'aaogaina e fatu ai ni wafers ituaiga-P, e ofoina atu ai le maualuga o le fe'avea'i o pu mo fa'aoga fa'apitoa o semiconductor.

Filifiliga o le Tele:
1. E maua i le lautele e 2-inisi, 3-inisi, ma le 4-inisi. O nei wafers e fa'afetaui ai mana'oga fa'atekonolosi eseese, mai su'esu'ega ma atina'e e o'o atu i gaosiga tetele.
2. O le sa'o o le fa'apalepale o le lautele e fa'amautinoa ai le tutusa i vaega uma, fa'atasi ai ma lautele o le 50.8±0.3mm (mo wafers e 2-inisi) ma le 76.2±0.3mm (mo wafers e 3-inisi).

Puleaina o le Mafiafi:
1. O lo'o maua wafers i le mafiafia e 500±5μm mo le fa'atinoga sili ona lelei i fa'aoga eseese.
2. O isi fua fa'aopoopo e pei o le TTV (Total Thickness Variation), BOW, ma le Warp e pulea ma le fa'aeteete ina ia mautinoa le maualuga o le tutusa ma le lelei.

Tulaga Lelei o le Luga:
1. O wafers e sau ma se foliga fa'apupula/veiloilo mo le fa'aleleia atili o le fa'atinoga opitika ma le eletise.
2. O nei fogā'ele'ele e fetaui lelei mo le tuputupu a'e o le epitaxial, e ofoina atu ai se fa'avae lamolemole mo nisi fa'agasologa i masini e maualuga le fa'atinoga.

Sauni-Epi:
1. O wafers InSb ua saunia mo le epi, o lona uiga ua uma ona togafitia muamua mo faiga fa'aputuga epitaxial. O lenei mea e fetaui lelei mo fa'aoga i le gaosiga o semiconductor lea e mana'omia ai ona fa'atupuina ni vaega epitaxial i luga o le wafer.

Talosaga

1. Mea e iloa ai le infrared:E masani ona fa'aaogaina wafers InSb i le su'esu'eina o le infrared (IR), aemaise lava i le vaega o le mid-wavelength infrared (MWIR). O nei wafers e taua tele mo le va'ai i le po, ata fa'avevela, ma fa'aoga o le infrared spectroscopy.

2. Mea Fa'aeletoronika Saosaoa Maualuga:Ona o le maualuga o lo latou fealua'i i le eletise, o lo'o fa'aaogaina ai wafers InSb i masini eletise e maualuga le saoasaoa e pei o transistors maualuga-fa'atele, masini quantum well, ma transistors maualuga-electron mobility (HEMTs).

3.Meafaigaluega mo le Vaieli Kuantum:O le vaapiapi o le bandgap ma le lelei tele o le fealua'i o eletise e avea ai wafers InSb ma mea e talafeagai mo le fa'aaogaina i masini quantum well. O nei masini o vaega autu ia i lasers, detectors, ma isi faiga optoelectronic.

4. Masini Spintronic:O loʻo suʻesuʻeina foʻi le InSb i faʻaoga spintronic, lea e faʻaaogaina ai le electron spin mo le faʻagasologaina o faʻamatalaga. O le low spin-orbit coupling o le meafaitino e fetaui lelei mo nei masini e maualuga le faʻatinoga.

5. Fa'aaogāga o le Radiation Terahertz (THz):E fa'aaogaina masini fa'avae i le InSb i fa'aoga fa'asaienisi o le radiation THz, e aofia ai su'esu'ega fa'asaienisi, ata, ma fa'amatalaga o meafaitino. E mafai ai ona fa'aogaina tekinolosi fa'aonaponei e pei o le THz spectroscopy ma faiga fa'ata'ita'i THz.

6. Masini Fa'avevela:O uiga tulaga ese o le InSb ua avea ai ma mea manaia mo faʻaoga thermoelectric, lea e mafai ona faʻaaogaina e liua ai le vevela i le eletise ma le lelei, aemaise lava i faʻaoga faʻapitoa e pei o tekinolosi i le vateatea poʻo le gaosiga o le eletise i siosiomaga faigata.

Fa'asologa o Oloa

Fa'atulagaga	2-inisi	3-inisi	4-inisi
Lapoa	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm	-
Mafiafia	500±5μm	650±5μm	-
Luga	Fa'apupula/Vaina	Fa'apupula/Vaina	Fa'apupula/Vaina
Ituaiga o le Fa'aaogaina o Mea Fa'aola	Le'i fa'aaogaina, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Le'i fa'aaogaina, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Le'i fa'aaogaina, Te-doped (N), Ge-doped (P)
Fa'asinomaga	(100)	(100)	(100)
Afifi	Tasi	Tasi	Tasi
Sauni-Epi	Ioe	Ioe	Ioe

Fa'asologa Eletise mo le Te Doped (N-Type):

Fe'avea'i: 2000-5000 cm²/V·s
Tete'e: (1-1000) Ω·cm
EPD (Mamafa o le Fa'aletonu): ≤2000 faaletonu/cm²

Fa'asologa Eletise mo le Ge Doped (P-Type):

Fe'avea'i: 4000-8000 cm²/V·s
Tete'e: (0.5-5) Ω·cm
EPD (Mamafa o le Fa'aletonu): ≤2000 faaletonu/cm²

Faaiuga

O wafers Indium Antimonide (InSb) o se mea taua mo le tele o faʻaoga maualuga i vaega o mea eletise, optoelectronics, ma tekinolosi infrared. Faatasi ai ma lo latou feoaʻi lelei i eletise, le fesoʻotaʻiga maualalo o le spin-orbit, ma le tele o filifiliga doping (Te mo le ituaiga-N, Ge mo le ituaiga-P), o wafers InSb e fetaui lelei mo le faʻaaogaina i masini e pei o masini e iloa ai infrared, transistors saoasaoa maualuga, masini quantum well, ma masini spintronic.

O lo'o maua nei wafers i le tele o lapopo'a (2-inisi, 3-inisi, ma le 4-inisi), fa'atasi ai ma le pulea sa'o o le mafiafia ma foliga e sauni mo epi-ready, ma fa'amautinoa ai latou te fa'ataunu'uina mana'oga faigata o le gaosiga o semiconductor fa'aonaponei. O nei wafers e atoatoa mo fa'aoga i matā'upu e pei o le iloa o le IR, eletise saoasaoa maualuga, ma le THz radiation, ma mafai ai ona fa'atekonolosi fa'aonaponei i su'esu'ega, alamanuia, ma le puipuiga.