LT Lithium Tantalate (LiTaO3) Crystal 2inisi/3inisi/4inisi/6 inisi Orientaiton Y-42°/36°/108° Mafiafia 250-500um

Fa'amatalaga Pupuu:

O wafers LiTaO₃ o lo'o fa'atusalia ai se faiga taua o mea piezoelectric ma ferroelectric, e fa'aalia ai ni coefficients piezoelectric tulaga ese, mautu o le vevela, ma meatotino opitika, ma avea ai ma mea taua mo faamama o galu acoustic o luga (SAW), resonators o galu acoustic o le tele (BAW), modulators opitika, ma mea e iloa ai le infrared. E fa'apitoa le XKH i le Su'esu'ega ma le Fa'aleleia atili o le LiTaO₃ wafer ma le gaosiga, e fa'aaogaina ai le tuputupu a'e o le tioata Czochralski (CZ) ma faiga fa'apitoa o le epitaxy vaega vai (LPE) e fa'amautinoa ai le homogeneity sili atu o le tioata ma le mafiafia o mea sese <100/cm².

E tu'uina atu e le XKH ni wafers LiTaO₃ e 3-inisi, 4-inisi, ma le 6-inisi ma le tele o fa'atulagaga fa'akristalo (X-cut, Y-cut, Z-cut), e lagolagoina ai le fa'apipi'iina fa'apitoa (Mg, Zn) ma togafitiga poling e fa'afetaui ai mana'oga fa'apitoa. O le dielectric constant (ε~40-50), piezoelectric coefficient (d₃₃~8-10 pC/N), ma le Curie temperature (~600°C) ua fa'atuina ai le LiTaO₃ o le substrate e sili ona lelei mo faamama maualuga ma sensors sa'o.

O la matou gaosiga tu'ufa'atasia fa'atulagaina e aofia ai le tuputupu a'e o le tioata, fa'apipi'iina o le kesi, fa'apulusaina, ma le fa'apipi'iina o ata manifinifi, fa'atasi ai ma le gafatia gaosiga fa'alemasina e sili atu i le 3,000 kesi e tautua ai feso'ota'iga 5G, mea fa'aeletoronika a tagata fa'atau, photonics, ma alamanuia tau puipuiga. Matou te tu'uina atu fautuaga fa'apitoa atoatoa, fa'amatalaina o fa'ata'ita'iga, ma auaunaga fa'ata'ita'i maualalo e tu'uina atu ai fofo LiTaO₃ sili ona lelei.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Igoa	LiTaO3 vasega-optika	Tulaga o le laulau leo LiTaO3
Axial	Z tipi + / - 0.2 °	36 ° Y tipi / 42 ° Y tipi / X tipi(+ / - 0.2°)
Lapo'a	76.2mm + / - 0.3mm/100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Va'alele o le aso	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm32mm + /-2mm
Mafiafia	500um + /-5mm1000um + /-5mm	500um + /-20mm350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Vevela o le Curie	605 °C + / - 0.7 °C (metotia DTA)	605 °C + / -3 °C (metotia DTA
Tulaga lelei o le fogāeleele	Fa'apala'au itu lua	Fa'apala'au itu lua
Pito ua fa'api'opi'o	fa'ata'amilomilo o le pito	fa'ata'amilomilo o le pito

Uiga Autū

1. Fausaga o le Kilisitala ma le Faatinoga o le Eletise

· Mautu Fa'a-Kristalografika: 100% 4H-SiC polytype dominance, leai ni mea e aofia ai le tele o tioata (e pei o le 6H/15R), fa'atasi ai ma le XRD rocking curve atoa le lautele i le afa-maualuga (FWHM) ≤32.7 arcsec.
· Feavea'i Maualuga: Feavea'i eletise e 5,400 cm²/V·s (4H-SiC) ma le feavea'i pu e 380 cm²/V·s, e mafai ai ona mamanuina masini e maualuga le taimi e alu ai.
·Malō o le Fa'avevela: E tete'e atu i le 1 MeV o le fa'avevela o le neutron ma se tulaga fa'aleagaina e 1×10¹⁵ n/cm², e fetaui lelei mo galuega tau va'alele ma fa'aniukilia.

2. Meatotino Fa'avevela ma Fa'amekanika

· Faiga Fa'avevela Mata'ina: 4.9 W/cm·K (4H-SiC), e fa'atoluina le silicon, e lagolagoina ai le fa'agaoioiga i luga atu o le 200°C.
· Fa'asologa Maualalo o le Fa'alauteleina o le Vevela: CTE o le 4.0×10⁻⁶/K (25–1000°C), ma fa'amautinoa ai le fetaui ma afifiina e fa'avae i le silicon ma fa'aitiitia ai le fa'alavelave fa'avevela.

3. Puleaina o Fa'aletonu ma le Sa'o o le Fa'agasologa
'
· Mafiafia o le Micropipe: <0.3 cm⁻² (8-inisi wafers), mafiafia o le dislocation <1,000 cm⁻² (fa'amaonia e ala i le KOH etching).
· Tulaga Lelei o le Luga: Fa'apupula CMP i le Ra <0.2 nm, e ausia ai mana'oga o le lamolemole o le EUV lithography-grade.

Fa'aoga Autu

Domain	Faʻataʻitaʻiga o Talosaga	Fa'amanuiaga Fa'atekinolosi
Fesootaiga Va'ai	100G/400G lasers, silicon photonics hybrid modules	E mafai e mea e fai i fatu InP ona fa'aogaina le vaeluaga tuusa'o o le fusipa'u (1.34 eV) ma le heteroepitaxy e fa'avae i le Si, ma fa'aitiitia ai le leiloa o le fa'apipi'i opitika.
Ta'avale Malosi Fou	800V inverters maualuga-voltage, chargers onboard (OBC)	E mafai e le 4H-SiC substrates ona tatalia le >1,200 V, ma faʻaitiitia ai le gau o le faʻaosofiaga e le 50% ma le voluma o le masini e le 40%.
Fesootaiga 5G	Masini RF o galu milimita (PA/LNA), fa'amalosi eletise o le nofoaga autu	O mea fa'apipi'i SiC e fa'amamago (resistivity >10⁵ Ω·cm) e mafai ai ona fa'aogaina le feso'ota'iga fa'a-vasega maualuga (60 GHz+).
Meafaigaluega Fa'apisinisi	Sensors o le vevela maualuga, transformers o le eletise, monitors o le reactor faaniukilia	O mea e fai i fatu InSb (0.17 eV bandgap) e avatu ai le lagona maneta e oo atu i le 300%@10 T.

LiTaO₃ Wafers - Uiga Autū

1. Fa'atinoga Piezoelectric Sili

· O fua fa'atatau piezoelectric maualuga (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0.5%) e mafai ai ona fa'aogaina masini SAW/BAW e maualuga le taimi e fa'aaoga ai ma le gau o le fa'aofiina <1.5dB mo faamama RF 5G

· O le feso'ota'iga eletise lelei e lagolagoina ai mamanu faamama lautele-bandwidth (≥5%) mo fa'aoga i lalo ifo o le 6GHz ma le mmWave

2. Meatotino Va'ai

· Fa'asalalauina o le Broadband (>70% o le fesiitaiga mai le 400-5000nm) mo modulators electro-optic e ausia le bandwidth >40GHz

· Malosiaga malosi o le susū fa'a-optika e le laina (χ⁽²⁾~30pm/V) e fa'afaigofie ai le gaosiga lelei o le harmonic lona lua (SHG) i totonu o faiga laser

3. Mausali o le Siosiomaga

· O le vevela maualuga o le Curie (600°C) e faatumauina ai le tali piezoelectric i siosiomaga e faʻaaogaina mo taʻavale (-40°C i le 150°C)

· O le le gaoioi o vailaʻau e faasaga i acids/alkalies (pH1-13) e faʻamautinoa ai le faʻatuatuaina i faʻaoga faʻapisinisi o sensor

4. Agavaa Fa'apitoa

· Inisinia fa'asino: X-cut (51°), Y-cut (0°), Z-cut (36°) mo tali piezoelectric fa'apitoa

· Filifiliga fa'aopoopo: Mg-doped (tete'e atu i fa'aleagaina opitika), Zn-doped (fa'aleleia atili le d₃₃)

· Fa'auma o luga: Fa'apalapala ua sauni mo le epitaxial (Ra<0.5nm), fa'ametalaina ITO/Au

LiTaO₃ Wafers - Fa'aoga Autū

1. RF Modules i luma

· 5G NR SAW filters (Band n77/n79) fa'atasi ai ma le coefficient o le vevela o le frequency (TCF) <|-15ppm/°C|

· Ultra-wideband BAW resonators mo le WiFi 6E/7 (5.925-7.125GHz)

2. Photonics Tuufaatasi

· Fa'atonutonu Mach-Zehnder saoasaoa maualuga (>100Gbps) mo feso'ota'iga va'ai fa'atasi

· O masini su'esu'e infrared QWIP ma galu e tipi ese e mafai ona fetu'una'i mai le 3-14μm

3. Mea Fa'aeletoronika Ta'avale

· Sensor paka ultrasonic ma le tele o taimi e fa'agaoioia ai >200kHz

· O lo'o ola pea masini fa'aliliu piezoelectric TPMS i le -40°C i le 125°C o le ta'amilosaga vevela

4. Faiga Puipuiga

· Fa'amama EW receiver ma le >60dB tete'ega i fafo atu o le fusi

· Fa'amalama IR o le masini saili misaila e fa'asalalauina le 3-5μm MWIR radiation

5. Tekonolosi Fou

· Optomechanical quantum transducers mo le liua o le microwave-i-optical

· Fa'asologa o PMUT mo ata fa'afoma'i o le ultrasound (>20MHz resolution)

LiTaO₃ Wafers - Auaunaga XKH

1. Pulega o le Sapalai o Sapalai

· Fa'agasologa o le Boule-i-le-wafer ma le 4-vaiaso le taimi e fa'atino ai fa'amatalaga masani

· Gaosiga e fa'aleleia ai le tau ma maua ai le 10-15% le lelei o le tau nai lo isi tauva

2. Fofo Fa'apitoa

· Fa'atulagaina fa'apitoa mo le fa'atulagaga: 36°±0.5° tipi-Y mo le fa'atinoga sili ona lelei o le SAW

· Fa'afefiloi fa'atasi: Fa'afefiloi MgO (5mol%) mo fa'aoga va'ai

Auaunaga fa'ametala: Fa'ata'ita'iga o le eletise Cr/Au (100/1000Å)

3. Lagolago Fa'apitoa

· Fa'amatalaga o meafaitino: XRD pi'o lūlū (FWHM<0.01°), au'ili'iliga o le fogā'ele'ele AFM

· Fa'ata'ita'iga o masini: Fa'ata'ita'iga FEM mo le fa'aleleia atili o le mamanu o le SAW filter

Faaiuga

O loʻo faʻaauau pea ona faʻafaigofieina e wafers LiTaO₃ le alualu i luma faʻatekonolosi i fesoʻotaʻiga RF, photonics tuʻufaʻatasia, ma sensors e faʻaaogaina ai le siosiomaga faigata. O le tomai faʻapitoa o le XKH i meafaitino, le saʻo o le gaosiga, ma le lagolago faʻainisinia faʻaoga e fesoasoani i tagata faʻatau e faʻatoʻilalo ai luʻitau o le mamanu i faiga faʻaeletoronika o le isi tupulaga.