SiC Ituaiga-N i luga o le Si Composite Substrates Dia6inch

等级Vasega

U 级

P级

D级

Vasega BPD Maualalo

Vasega o le Gaosiga

Vasega Fa'ata'ita'i

直径Lapoa

150.0 mm±0.25mm

厚度Mafiafia

500 μm±25μm

晶片方向Fa'asinomaga o le Wafer

Ese le itu: 4.0° agai i le < 11-20 > ±0.5° mo le 4H-N I luga o le itu: <0001>±0.5° mo le 4H-SI

主定位边方向Fale Mafolafola Muamua

{10-10}±5.0°

主定位边长度Umi Mafolafola Autū

47.5 mm±2.5 mm

边缘Fa'ate'aina o pito

3 milimita

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Tete'e

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Fa'alavelave

Polani Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Leai se tasi

Umi fa'aputu ≤10mm, umi e tasi ≤2mm

Māvaevae ona o le malamalama malosi

六方空洞（强光灯观测）*

Eria fa'aputu ≤1%

Eria fa'aputu ≤5%

Papa Hex e ala i le malamalama malosi

多型(强光灯观测)*

Leai se tasi

Eria fa'aputu ≤5%

Vaega Polytype e ala i le malamalama malosi

划痕(强光灯观测)*&

3 valu i le 1 × lautele o le wafer

5 valu i le 1 × lautele o le wafer

Maosi i le malamalama malosi

umi fa'aputu

umi fa'aputu

崩边# Sipi pito

Leai se tasi

5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi

表面污染物（强光灯观测）

Leai se tasi

Fa'aleagaina e le malamalama malosi