Semi-Insulating SiC Composite Substrates Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
Aitema | Fa'amatalaga | Aitema | Fa'amatalaga |
Diamita | 150±0.2mm | Luma (Si-foliga) talatala | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
Polytype | 4H | Tipi Tipi, Malosi, Ta'e (su'esu'ega va'aia) | Leai |
Tete'e | ≥1E8ohm·cm | TTV | ≤5μm |
Fa'afesuia'i vaega Mafiafia | ≥0.4μm | A'ai | ≤35μm |
Gaogao | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | mafiafia | 500±25μm |
Tulaga lelei o mea fa'apipi'i SiC semi-insulating e aofia ai:
Tete'e maualuga: semi-insulating mea SiC e maualuga le tete'e, e mafai ai ona latou poloka le tafe o le taimi nei ma talafeagai mo ituaiga faapitoa o masini faaeletonika.
Faʻatinoga o le vevela maualuga: O mea SiC e mafai ona faʻaogaina i siosiomaga vevela maualuga, e faʻaogaina ai mo le maualuga ma le maualuga o le eletise eletise.
Voltage Malosi Maualuga: O mea a le SiC e maualuga le malepelepe ma e mafai ona tatalia eletise eletise maualuga e aunoa ma le malepelepe eletise.
Tete'e Vailaau ma Siosiomaga: SiC e tete'e i vaila'au pala ma e mafai ona tatalia tulaga faigata o le siosiomaga mo talosaga faigata.
Faʻaitiitia le paʻu eletise: SiC substrates e mafai ai ona sili atu le lelei o le liua o le mana ma faʻaitiitia le paʻu eletise i mea tau eletise pe a faʻatusatusa i mea masani e faʻavae i luga o le silicon.
I le aotelega, semi-insulating SiC composite substrates e ofoina atu tulaga lelei tele i le atinaʻeina o mea tau eletise maualuga, aemaise lava i talosaga e manaʻomia ai le maualuga o le vevela, maualuga le malosi ma le lelei o le liua o le mana.
Fa'atauga & Auaunaga Fa'atau
Fa'atauga o Mea
O le matagaluega fa'atau mea e nafa ma le aoina uma o meafaitino e mana'omia e gaosia ai lau oloa. E maua i taimi uma le su'esu'eina atoatoa o oloa uma ma meafaitino, e aofia ai vaila'au ma su'esu'ega fa'aletino.
Tulaga lelei
I le taimi ma le maeʻa o le gaosiga poʻo le faʻaogaina o au oloa, o loʻo aʻafia le matagaluega o le lelei i le faʻamautinoaina o mea uma ma faʻapalepale e fetaui pe sili atu i lau faʻamatalaga.
Auaunaga
Matou te faʻamaualuga i matou i le i ai o le aufaigaluega faʻainisinia faʻatau ma sili atu i le 5 tausaga le poto masani i le pisinisi semiconductor. Ua a'oa'oina i latou e tali fesili fa'apitoa fa'apea fo'i ma le tu'uina atu o upusii talafeagai mo ou mana'oga.
matou i ou tafatafa i soʻo se taimi pe a iai sau faʻafitauli, ma foia i le 10hours.