SiC siC chuck fata ipu sima suction ipu sa'o machining customized
uiga o meafaitino:
1.Maaa maualuga: o le maaa Mohs o le silicon carbide o le 9.2-9.5, lona lua na o taimane, ma le malosi o le ofuina o le teteʻe.
2. maualuga le vevela conductivity: o le conductivity vevela o le silicon carbide e maualuga e pei o le 120-200 W / m · K, lea e mafai ona faʻaumatia vave le vevela ma e talafeagai mo le siosiomaga vevela maualuga.
3. Fa'ateleina fa'amama maualalo: fa'aluma fa'alumaina fa'ameamea silicon carbide e maualalo (4.0-4.5 × 10⁻⁶ / K), e mafai lava ona fa'atumauina le mautu i le maualuga o le vevela.
4. Faʻamautu vailaʻau: silicon carbide acid ma alkali corrosion teteʻe, talafeagai mo le faʻaaogaina i vailaʻau corrosive siosiomaga.
5. Malosi fa'ainisinia maualuga: silicon carbide e maualuga le punou malosi ma le malosi fa'amalosi, ma e mafai ona tatalia le mamafa tele o masini.
Vaega:
1. I totonu o le semiconductor alamanuia, e manaʻomia ona tuʻu i luga o se ipu faʻafefete faʻamaʻi manifinifi, o le faʻaogaina o le vacuum e faʻaaogaina e faʻapipiʻi ai meaʻai, ma o le faagasologa o le gaogao, manifinifi, faʻafefe, faʻamamā ma tipiina e faia i luga o fafie.
2.Silicon carbide sucker ei ai conductivity vevela lelei, e mafai ona faapuupuuina lelei le waxing ma waxing taimi, faaleleia le gaosiga lelei.
3.Silicon carbide vacuum sucker maua foi acid lelei ma alkali tetee corrosion.
4. Faʻatusatusa i le pusa faʻaulu masani o le corundum, faʻapuʻupuʻu le utaina ma le laʻuina o le faʻavevela ma le faʻamafanafana taimi, faʻaleleia le lelei o galuega; I le taimi lava e tasi, e mafai ona faʻaitiitia ai le ofuina i le va o le pito i luga ma le pito i lalo o papatusi, tausia lelei le saʻo lelei o le vaalele, ma faʻalauteleina le ola tautua e tusa ma le 40%.
5.O meafaitino vaega e laʻititi, mama mama. E sili atu ona faigofie mo le au faʻatautaia le aveina o palleti, faʻaitiitia le lamatiaga o faʻalavelave faʻaleagaina e mafua mai i faigata tau felauaiga e tusa ma le 20%.
6.Size: maualuga maualuga 640mm; Mafolafola: 3um pe itiiti
Talosaga fanua:
1. Semiconductor gaosiga
●Wafer gaosi:
Mo le faʻapipiʻiina o wafer i photolithography, etching, faʻapipiʻi ata manifinifi ma isi faiga, faʻamautinoa le saʻo maualuga ma le faʻagasologa tutusa. O lona maualuga o le vevela ma le corrosion teteʻe e talafeagai mo siosiomaga gaosi semiconductor faigata.
●Epitaxial tuputupu aʻe:
I le SiC poʻo le GaN epitaxial tuputupu aʻe, e avea o se ave e vevela ma faʻapipiʻi wafers, faʻamautinoa le tutusa o le vevela ma le tulaga tioata i le maualuga o le vevela, faʻaleleia le faʻatinoga o masini.
2. Mea fa'akomepiuta
●LED gaosiga:
Faʻaaogaina e faʻapipiʻi ai le safaira poʻo le SiC substrate, ma o se faʻavevela faʻavevela i le faagasologa o le MOCVD, e faʻamautinoa ai le tutusa o le tuputupu aʻe o le epitaxial, faʻaleleia le lelei o le malamalama o le LED ma le lelei.
●Diode laser:
I le avea ai o se mea faʻapipiʻi maualuga, faʻapipiʻi ma faʻamafanafanaina mea e faʻamautinoa ai le faʻamautuina o le vevela, faʻaleleia le malosi o le gaosiga ma le faʻamaoni o le laser diode.
3. Masini sa'o
●Optical vaega faiga:
E faʻaaogaina mo le faʻapipiʻiina o vaega saʻo e pei o tioata mata ma filiga e faʻamautinoa ai le maualuga ma le maualalo o le filogia i le taimi o gaioiga, ma e talafeagai mo le faʻaogaina o masini.
●Uiga sima:
I le avea ai o se faʻamautu maualuga, e talafeagai mo le faʻaogaina saʻo o mea sima e faʻamautinoa ai le saʻo ma le tumau i lalo ole vevela maualuga ma le siosiomaga pala.
4. Fa'ata'ita'iga fa'asaienisi
●Su'ega vevela maualuga:
I le avea ai o se masini faʻapipiʻi faʻataʻitaʻiga i siosiomaga vevela maualuga, e lagolagoina suʻesuʻega vevela vevela i luga aʻe o le 1600 ° C e faʻamautinoa ai le tutusa o le vevela ma le faʻataʻitaʻiga mautu.
●Su'e su'ega:
I le avea ai o se faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi ma faʻavevelaina i totonu o le vacuum environment, e faʻamautinoa ai le saʻo ma le toe faʻaaogaina o le faʻataʻitaʻiga, e talafeagai mo le faʻaogaina o le gaogao ma le vevela.
Fa'amatalaga fa'apitoa:
| (meafaitino) | (Iunite) | (ssic) | |
| (SiC anotusi) |
| (Wt)% | >99 |
| (Lapo'a fua saito) |
| micron | 4-10 |
| (Density) |
| kilokalama/dm3 | >3.14 |
| (Fai mai le porosity) |
| Vo1% | <0.5 |
| (Vickers faigata) | HV 0.5 | GPa | 28 |
| *( Malosi fa'afoliga) | 20ºC | MPa | 450 |
| (Malosi fa'amalosi) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Elastic Modulus) | 20ºC | GPa | 420 |
| (Maaa gau) |
| MPa/m'% | 3.5 |
| (Fa'avevela vevela) | 20°ºC | W/(m*K) | 160 |
| (Tetee) | 20°ºC | Ohm.cm | 106-108 |
|
| a(RT**...80ºC) | K-1*10-6 | 4.3 |
|
|
| oºC | 1700 |
Faatasi ai ma le tele o tausaga o le faʻaputuina faʻapitoa ma le poto masani faʻapisinisi, e mafai e XKH ona faʻaogaina faʻamaufaʻailoga autu e pei o le lapopoa, auala faʻavevela ma le vacuum adsorption design o le chuck e tusa ai ma manaoga faʻapitoa o le tagata faʻatau, faʻamautinoaina o le oloa e fetaui lelei ma le faʻagasologa o le tagata faʻatau. SiC silicon carbide ceramic chucks ua avea ma vaega taua i le gaosiga o le wafer, le tuputupu aʻe o le epitaxial ma isi faiga autu ona o lo latou lelei tele o le vevela, maualuga le maualuga o le vevela ma le mautu o vailaʻau. Aemaise lava i le gaosiga o mea faʻapipiʻi semiconductor lona tolu e pei o SiC ma GaN, o loʻo faʻaauau pea ona faʻatupulaia le manaʻoga mo le silicon carbide ceramic chucks. I le lumanaʻi, faʻatasi ai ma le televave o le atinaʻeina o le 5G, taʻavale eletise, atamai faʻapitoa ma isi tekinolosi, o le faʻamoemoega o le faʻaogaina o le silicon carbide ceramic chucks i le semiconductor industry o le a lautele.
Auiliili Ata
