Ipu fa'asusu seramika SiC, masini fa'apipi'i sa'o, fa'apitoa
Uiga o meafaitino:
1. Malō tele: o le malō Mohs o le silicon carbide e 9.2-9.5, lona lua i le taimane, ma le tete'e malosi i le ofuina.
2. Maualuga le fa'avevela: o le fa'avevela o le silicon carbide e maualuga e o'o atu i le 120-200 W/m·K, lea e mafai ona vave fa'amamago le vevela ma e talafeagai mo le siosiomaga maualuga le vevela.
3. Maualalo le fua fa'atatau o le fa'alauteleina o le vevela: e maualalo le fua fa'atatau o le fa'alauteleina o le vevela o le silicon carbide (4.0-4.5 × 10⁻⁶ / K), e mafai lava ona fa'atumauina le mautu o le fua i le vevela maualuga.
4. Mautu fa'akemikolo: tete'e atu i le silicon carbide acid ma le alkali e pala, talafeagai mo le fa'aogaina i siosiomaga fa'akemikolo e pala.
5. Malosiaga fa'amekanika maualuga: o le silicon carbide e maualuga lona malosi punou ma le malosi fa'apipi'i, ma e mafai ona tatalia le tele o fa'alavelave fa'amekanika.
Fa'amatalaga:
1. I totonu o le alamanuia semiconductor, e manaʻomia ona tuʻu ni wafer manifinifi tele i luga o se ipu miti e leai se ea, e faʻaaogaina le miti e leai se ea e faʻamau ai wafer, ma o le faagasologa o le faʻamama, faʻamama, faʻamama, faʻamamā ma tipi e faia i luga o wafer.
2. O le sucker silicon carbide e lelei le conductivity vevela, e mafai ona faapuupuu lelei le taimi e sae ai ma le saei ai, faaleleia atili ai le lelei o le gaosiga.
3. O le masini e fa'aaogaina ai le vacuum sucker e iai fo'i le tete'e lelei i le 'aisa ma le alkali.
4. Fa'atusatusa i le ipu masani o le corundum carrier, fa'apu'upu'u le taimi e fa'avevela ai ma fa'amamago ai, fa'aleleia atili ai le lelei o galuega; I le taimi lava e tasi, e mafai ona fa'aitiitia ai le ofuina i le va o ipu pito i luga ma lalo, tausia le sa'o lelei o le vaalele, ma fa'alauteleina le olaga tautua e tusa ma le 40%.
5. E laʻititi le vaega o meafaitino, e mama. E faigofie mo le aufaigaluega ona feaveaʻi pallets, ma faʻaitiitia ai le lamatiaga o faʻaleagaina e mafua mai i faigata o felauaiga e tusa ma le 20%.
6. Tele: lautele maualuga 640mm; Mafolafola: 3um pe itiiti ifo
Malae talosaga:
1. Gaosiga o masini eletise
●Fa'agasologa o le uamea:
Mo le fa'amauina o le wafer i le photolithography, etching, thin film deposition ma isi faiga, e fa'amautinoa ai le sa'o maualuga ma le tutusa o le faiga. O lona tete'e maualuga i le vevela ma le 'ele e fetaui lelei mo siosiomaga faigata o le gaosiga o semiconductor.
●Tuputupu a'e o le epitaxial:
I le tuputupu aʻe epitaxial SiC poʻo GaN, e fai ma avefeʻau e faʻavevela ma faʻapipiʻi ai wafers, ma faʻamautinoa ai le tutusa o le vevela ma le lelei o le tioata i le vevela maualuga, ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga o le masini.
2. Meafaigaluega fa'a-photoelectric
●Gaosiga o le LED:
E fa'aaogaina e fa'apipi'i ai le safaira po'o le SiC substrate, ma o se mea e fa'avevela ai i le fa'agasologa o le MOCVD, e fa'amautinoa ai le tutusa o le tuputupu a'e o le epitaxial, fa'aleleia atili ai le lelei ma le lelei o le malamalama o le LED.
●Diode laser:
I le avea ai o se mea e fa'apipi'i ai le sa'o maualuga, e fa'apipi'i ma fa'avevela ai mea e fa'amautinoa ai le mautu o le vevela o le fa'agasologa, fa'aleleia atili ai le mana o le gaosiga ma le fa'atuatuaina o le diode laser.
3. Fa'a'eletise sa'o
●Fa'agasologa o vaega opitika:
E faʻaaogaina mo le faʻapipiʻiina o vaega saʻo e pei o tioata opitika ma faamama e faʻamautinoa ai le maualuga o le saʻo ma le maualalo o le faʻaleagaina i le taimi o le faʻagasologaina, ma e talafeagai mo le faʻamasiniina malosi.
●Fa'agasologa o le seramika:
I le avea ai o se mea e maualuga le mautu, e talafeagai mo le fa'amasini sa'o o mea seramika e fa'amautinoa ai le sa'o ma le tutusa o le fa'amasini i lalo o le vevela maualuga ma le siosiomaga 'ele'elea.
4. Fa'ata'ita'iga fa'asaienisi
●Fa'ata'ita'iga o le vevela maualuga:
I le avea ai o se masini e fa'amautu ai fa'ata'ita'iga i siosiomaga vevela maualuga, e lagolagoina ai fa'ata'ita'iga i le vevela tele e sili atu i le 1600°C e fa'amautinoa ai le tutusa o le vevela ma le mautu o le fa'ata'ita'iga.
●Su'ega o le masini e fa'amama ai le ea:
I le avea ai o se fa'ata'ita'iga e fa'amautu ma fa'avevela ai fa'ata'ita'iga i se siosiomaga e leai se masini e fa'aogaina ai le ea, ina ia mautinoa le sa'o ma le toe faia o le fa'ata'ita'iga, e talafeagai mo le ufiufiina o le ea ma le togafitiga i le vevela.
Fa'amatalaga fa'apitoa：
| (Meatotino faaletino) | (Iunite) | (ssic) | |
| (Anotusi o le SiC) |
| (Mamafa)% | >99 |
| (Tele o le fua masani o le fatu) |
| maikono | 4-10 |
| (Mafiafia) |
| kg/dm3 | >3.14 |
| (Porosity foliga mai) |
| Vo1% | <0.5 |
| (Maaa o Vickers) | HV 0.5 | GPa | 28 |
| *(Malosiaga o le fa'agaoioi) | 20ºC | MPa | 450 |
| (Malosiaga o le fa'apipi'iina) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Elastic Modulus) | 20ºC | GPa | 420 |
| (Malosiaga o le gau) |
| MPa/m'% | 3.5 |
| (Fa'avevela o le eletise) | 20°ºC | W/(m*K) | 160 |
| (Tete'e) | 20°ºC | Ohm.cm | 106-108 |
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| a(RT**...80ºC) | K-1*10-6 | 4.3 |
|
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| oºC | 1700 |
Faatasi ai ma le tele o tausaga o le faʻaputuina o mea faʻatekinolosi ma le poto masani i pisinisi, ua mafai ai e le XKH ona faʻatulaga ni faʻatulagaga autu e pei o le tele, le auala e faʻavevela ai ma le mamanu o le vacuum adsorption o le chuck e tusa ai ma manaʻoga patino o le tagata faʻatau, ma ia mautinoa o loʻo fetaui lelei le oloa i le faiga a le tagata faʻatau. Ua avea chucks seramika SiC silicon carbide ma vaega taua i le faʻagasologa o le wafer, le tuputupu aʻe o epitaxial ma isi faiga autu ona o lo latou lelei tele o le faʻavevela, maualuga le mautu o le vevela ma le mautu o vailaʻau. Ae maise lava i le gaosiga o mea semiconductor o le tupulaga lona tolu e pei o le SiC ma le GaN, o loʻo faʻaauau pea ona faʻatupulaʻia le manaʻoga mo chucks seramika silicon carbide. I le lumanaʻi, faʻatasi ai ma le vave o le atinaʻeina o le 5G, taʻavale eletise, atamai faʻapitoa ma isi tekinolosi, o le a lautele atu ai faʻamoemoega o le faʻaaogaina o chucks seramika silicon carbide i le pisinisi semiconductor.
Ata Auiliili
