Ipu/tray seramika SiC mo le ufi wafer 4 inisi 6 inisi mo le ICP

Fa'amatalaga Pupuu:

O le ipu seramika SiC o se vaega maualuga le faatinoga ua mamanuina mai le Silicon Carbide maualuga le mama, ua mamanuina mo le faaaogaina i siosiomaga vevela, vailaʻau, ma masini e sili ona ogaoga. Ua lauiloa i lona maaa tulaga ese, conductivity vevela, ma le teteʻe atu i le ele, o le ipu SiC e faaaogaina lautele o se mea e feaveai ai le wafer, susceptor, po o se vaega fausaga i semiconductor, LED, photovoltaic, ma alamanuia aerospace.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Ipu seramika SiC Abstract

Faatasi ai ma le mautu lelei o le vevela e oo atu i le 1600°C ma le tete'e lelei i kasa tali atu ma siosiomaga plasma, e faamautinoa ai e le SiC plate le faatinoga faifai pea i le taimi o le etching i le vevela maualuga, deposition, ma le diffusion processes. O lona mafiafia ma le le porous microstructure e faaitiitia ai le gaosiga o vaega, ma avea ai ma mea lelei mo galuega mama tele i totonu o le vacuum po o le cleanroom settings.

Fa'aaogāina o le ipu seramika SiC

1. Gaosiga o Semiconductor

E masani ona fa'aaogaina ipu seramika SiC o ni mea e feavea'i ai wafer, mea e fa'asusulu ai, ma ipu pedestal i masini gaosi semiconductor e pei o le CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), ma faiga etching. O lo latou fa'avevela lelei ma le fa'alauteleina maualalo o le vevela e mafai ai ona latou tausia le tufatufaina tutusa o le vevela, lea e taua tele mo le fa'agasologaina o le wafer maualuga. O le tete'e atu o le SiC i kasa 'ele'ele ma plasma e fa'amautinoa ai le tumau i siosiomaga faigata, e fesoasoani e fa'aitiitia ai le fa'aleagaina o vaega ma le tausiga o masini.

2. Alamanuia LED – ICP Vā'ei

I le vaega o gaosiga o le LED, o papatusi SiC o vaega autū ia i totonu o faiga e fa'a'ofu ai le ICP (Inductively Coupled Plasma). O le avea o ni mea e uu ai le wafer, latou te maua ai se tulaga mautu ma malosi i le vevela e lagolago ai wafer sapphire po'o GaN i le taimi o le fa'agasologaina o le plasma. O latou tete'e lelei i le plasma, lamolemole o le fogaeleele, ma le mautu o le fua e fesoasoani e fa'amautinoa ai le sa'o ma le tutusa o le etching, e o'o atu ai i le fa'ateleina o le fua ma le fa'atinoga o masini i totonu o chips LED.

3. Photovoltaics (PV) ma le Malosiaga o le La

E fa'aaogaina fo'i ipu seramika SiC i le gaosiga o sela o le la, aemaise lava i taimi o le sintering ma le annealing i le vevela maualuga. O lo latou le gaoioi i le vevela maualuga ma le gafatia e tete'e atu ai i le pi'o e fa'amautinoa ai le fa'agasologa tutusa o le silicon wafers. E le gata i lea, o lo latou lamatiaga maualalo o le fa'aleagaina e taua tele mo le fa'atumauina o le lelei o sela photovoltaic.

Meatotino o le ipu seramika SiC

1. Malosiaga Fa'amekanika ma le Ma'a'a Fa'apitoa

O papa seramika SiC e matuā maualuga lava le malosi fa'amekanika, fa'atasi ai ma le malosi masani e sili atu i le 400 MPa ma le malosi o Vickers e o'o atu i le >2000 HV. O lenei mea e matuā tete'e atu ai i le ofuina fa'amekanika, oloina, ma le fa'aleagaina, ma mautinoa ai le umi o le ola e tusa lava pe i lalo o le mamafa tele po'o le toe fa'asolosolo pea o le vevela.

2. Fa'avevela Maualuga

E lelei tele le fa'avevela o le SiC (e masani lava 120–200 W/m·K), ma e mafai ai ona tufatufa tutusa le vevela i luga o lona fogāeleele. E taua tele lenei uiga i faiga e pei o le fa'a'ofuina o le wafer, fa'aputuga, po'o le fa'a'ofuina, lea e a'afia ai le fua ma le lelei o le oloa ona o le tutusa o le vevela.

3. Tulaga Mausali Sili o le Vevela

Faatasi ai ma le maualuga o le tulaga e liusuavai ai (2700°C) ma le maualalo o le coefficient of thermal expansion (4.0 × 10⁻⁶/K), o ipu seramika SiC e faatumauina le sa'o o le fua ma le tulaga lelei o le fausaga i lalo o taamilosaga vave o le vevela ma le faamaluluina. O lenei mea e avea ai ma mea lelei mo le faaaogaina i ogaumu vevela maualuga, potu vacuum, ma siosiomaga plasma.

Meatotino Fa'atekinolosi
Fa'asino Upu	Iunite	Taua
Igoa o Meafaitino		Silicon Carbide Fa'asolosolo Fa'asolosolo	Silicon Carbide Sintered e aunoa ma le mamafa	Silicon Carbide ua toe fa'afouina
Fa'atulagaga		RBSiC	SSiC	R-SiC
Mafiafiaga o le Tele	kalama/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Malosiaga Fa'alava	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Malosiaga Fa'apipi'i	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Faigata	Knoop	2700	2800	/
Solia o le Finafinau	MPa m1/2	4.5	4	/
Fa'avevela o le Tafega	W/mk	95	120	23
Fa'atusatusaga o le Fa'alauteleina o le Vevela	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Vevela Fa'apitoa	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Vevela maualuga i le ea	℃	1200	1500	1600
Modulus Fa'alelei	GPA	360	410	240

Fesili ma Tali mo le ipu seramika SiC

F: O a meatotino o le ipu silicon carbide?

A： O papa silicon carbide (SiC) e lauiloa i lo latou malosi tele, ma'a'a, ma le mautu i le vevela. Latou te ofoina atu le lelei tele o le fa'avevela ma le fa'alauteleina maualalo o le vevela, ma fa'amautinoa ai le fa'atinoga fa'atuatuaina i lalo o le vevela tele. O le SiC e le gaoioi fo'i i vaila'au, tete'e atu i 'asi, alkalis, ma siosiomaga plasma, ma avea ai ma mea lelei mo le semiconductor ma le LED processing. O lona foliga mafiafia ma lamolemole e fa'aitiitia ai le gaosiga o vaega, ma tausia ai le fetaui lelei o potu mama. O papa SiC e fa'aaogaina lautele o ni ave wafer, susceptors, ma vaega lagolago i siosiomaga vevela maualuga ma siosiomaga 'ele'ele i totonu o semiconductor, photovoltaic, ma alamanuia aerospace.