SiC ipu sima/ fata mo le 4 inisi 6 inisi mea wafer u'u mo ICP

Fa'amatalaga Puupuu:

O le SiC ceramic plate o se vaega maualuga-faʻatinoga faʻainisinia mai le mama sili Silicon Carbide, fuafuaina mo le faʻaogaina i le vevela vevela, vailaʻau, ma siosiomaga masini. Ta'uta'ua mo lona ma'a'a ma'a'a fa'apitoa, fa'avevela fa'avevela, ma le fa'a'ele'ele, o le SiC plate e fa'aaogaina lautele e avea o se va'a, susceptor, po'o se vaega fa'avae i semiconductor, LED, photovoltaic, ma aerospace alamanuia.

Auina imeli ia matou

Vaega

SiC ipu sima Abstract

Faʻatasi ai ma le faʻamautuina o le vevela e oʻo atu i le 1600 ° C ma le sili atu ona teteʻe i kasa faʻafefe ma siosiomaga plasma, o le SiC plate e faʻamautinoa le faʻatinoina o gaioiga i le taimi o le maualuga o le vevela, faʻapipiʻiina, ma faʻasalalauga. O lona mafiafia, e le porous microstructure e fa'aitiitia ai le fa'atupuina o vaega, ma fa'amalieina mo fa'aoga mama-mama i totonu o le vacuum po'o le potu mama.

SiC ipu sima Talosaga

1. Semiconductor Gaosi

SiC ipu sima e masani ona faʻaaogaina e fai ma mea faʻapipiʻi, susceptors, ma ipu faʻamau i mea faʻapipiʻi semiconductor e pei ole CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), ma faiga faʻapipiʻi. O le lelei tele o le fa'auluina o le vevela ma le fa'alauteleina o le vevela e mafai ai ona latou fa'atumauina le tufatufaina atu o le vevela, lea e taua tele mo le fa'agaoioiga o le wafer maualuga. O le tetee a le SiC i kasa pala ma plasmas e mautinoa ai le tumau i siosiomaga faigata, fesoasoani e faʻaitiitia le faʻaleagaina ma le tausiga o meafaigaluega.

2. Alamanuia LED - ICP Etching

I le vaega o gaosiga o LED, o ipu SiC o vaega autu ia i le ICP (Inductively Coupled Plasma) etching system. O lo'o avea ma fa'au'u mama, latou te tu'uina atu se fa'avae mautu ma fa'amama e lagolago ai safaira po'o GaN wafers i le taimi o le gaosiga o le plasma. O le maualuga o le plasma tete'e, mafolafola luga, ma le mautu tulaga fesoasoani e fa'amautinoa le sa'o maualuga o le togitogiga ma le tutusa, e o'o atu ai i le fa'atuputeleina o fua ma le fa'atinoina o masini i meataalo LED.

3. Photovoltaics (PV) ma Malosiaga o le La

O lo'o fa'aogaina fo'i ipu sima SiC i le gaosiga o le la, ae maise lava i le taimi o le fa'amauina o le vevela ma le fa'afefe. O lo latou inertness i le maualuga o le vevela ma le gafatia e tetee atu ai le taua e mautinoa ai le faagasologa faifaipea o wafers silicon. E le gata i lea, e taua tele lo latou lamatiaga maualalo mo le faatumauina o le lelei o sela photovoltaic.

SiC ipu sima Meatotino

1. Malosi Fa'ainisinia Fa'apitoa ma Ma'a'a

SiC ceramic plates e faʻaalia ai le maualuga o le malosi faʻainisinia, faʻatasi ai ma le malosi faʻafefe masani e sili atu i le 400 MPa ma Vickers maʻaʻa e oʻo atu i le 2000 HV. O le mea lea e matua tete'e ai i la'ei fa'ainisinia, abrasion, ma le deformation, fa'amautinoaina le umi o le auaunaga e tusa lava pe i lalo o le uta maualuga po'o le fa'asolosolo o le uila vevela.

2. Amioga vevela maualuga

O le SiC e sili ona lelei le fa'auluina o le vevela (e masani lava 120-200 W/m·K), fa'ataga e fa'asoa tutusa le vevela i luga o lona luga. O lenei meatotino e taua tele i faiga e pei o le wafer etching, deposition, poʻo le sintering, lea e afaina tonu ai le fua o le vevela ma le lelei.

3. Maualuluga Fa'a mafanafana

Faʻatasi ai ma le maualuga o le liusuavai (2700 ° C) ma le maualalo o le faʻalauteleina o le vevela (4.0 × 10⁻⁶ / K), SiC ceramic plates o loʻo tausia le saʻo saʻo ma le faʻatulagaina o le faʻatulagaina i lalo o le vevela vave ma le malulu. O le mea lea e lelei ai mo faʻaoga i totonu o ogaumu vevela maualuga, potu gaogao, ma siosiomaga plasma.

Meatotino Faapitoa
Fa'asinomaga	Vaega	Taua
Igoa Mea		Tali Sili Sintered Silicon Carbide	Silikon Carbide fa'asa'o e leai ni fa'amalosi	Silicon Carbide ua toe fa'akristal
Tulaga		RBSiC	SSiC	R-SiC
Ole tele ole Density	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Malosi Fa'asusu	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Malosi fa'amalosi	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Malosi	Knoop	2700	2800	/
Soli le Lototele	MPa m1/2	4.5	4	/
Amioga vevela	W/mk	95	120	23
Coefficient o le fa'alauteleina o le vevela	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Avela faapitoa	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Max vevela i le ea	℃	1200	1500	1600
Elastic Modulus	Gpa	360	410	240

SiC ipu sima Q&A

Q: O a mea o loʻo i ai le ipu carbide silicon?

A: Silicon carbide (SiC) papatusi ua lauiloa mo lo latou malosi maualuga, maaa, ma le mautu o le vevela. Latou te ofoina atu le lelei o le vevela ma le faʻalauteleina o le vevela, faʻamautinoa le faʻatuatuaina o le faʻatinoga i lalo o le vevela vevela. O le SiC foi o loʻo faʻaogaina le kemisi, faʻasaʻo i vailaʻau, alkalis, ma siʻosiʻomaga plasma, faʻapena lelei mo le semiconductor ma le gaosiga o LED. O lona mafiafia, lamolemole luga e fa'aitiitia ai le fa'atupuina o vaega, fa'atumauina le fetaui lelei o potu mama. O ipu SiC e masani ona faʻaaogaina e avea ma mea e ave ai meaʻai, susceptors, ma vaega lagolago i siosiomaga maualuga-vevela ma pala i totonu ole semiconductor, photovoltaic, ma aerospace alamanuia.