SiC Epitaxial Wafer mo Masini Malosiaga - 4H-SiC, N-ituaiga, Maualalo le Defect Density
Auiliili Ata


Folasaga
O le SiC Epitaxial Wafer o loʻo i totonu o le faʻaogaina o masini semiconductor faʻaonaponei faʻaonaponei, aemaise lava i latou na fuafuaina mo le maualuga o le malosi, maualuga-televave, ma le maualuga o le vevela. Puupuu mo le Silicon Carbide Epitaxial Wafer, o le SiC Epitaxial Wafer e aofia ai se pito sili ona lelei, manifinifi SiC epitaxial layer ua tupu i luga o se mea tele SiC substrate. O le fa'aogaina o le SiC Epitaxial Wafer tekinolosi ua fa'avavevave ona fa'alauteleina i ta'avale eletise, smart grids, fa'afouina malosiaga fa'afouina, ma aerospace ona o le maualuga o mea fa'aletino ma mea fa'aeletoroni pe a fa'atusatusa i fa'amau fa'amau fa'amau.
Faiga Faavae o le SiC Epitaxial Wafer
O le fausiaina o se SiC Epitaxial Wafer e mana'omia ai le fa'atonuina o le fa'aogaina o ausa (CVD). O le epitaxial layer e masani ona tupu i luga o se monocrystalline SiC substrate e faʻaaoga ai kasa e pei o le silane (SiH₄), propane (C₃H₈), ma le hydrogen (H₂) i le vevela e sili atu i le 1500°C. O lenei tuputupu aʻe o le epitaxial maualuga maualuga e faʻamautinoa ai le faʻaogaina o tioata sili ona lelei ma faʻaletonu laiti i le va o le epitaxial layer ma le mea faʻapipiʻi.
O le faagasologa e aofia ai ni vaega taua:
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Sauniuniga o le palapala: Ua fa'amamāina ma fa'aiila le fa'ameamea SiC i le fa'alelei atomika.
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CVD Tuputupu ae: I totonu o se fa'amama maualuga, e tali atu kasa e teu ai se fa'a tioata SiC e tasi i luga o le mea'ai.
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Puleaina o Doping: N-ituaiga po'o le P-ituaiga doping e fa'afeiloa'i i le taimi epitaxy e maua ai mea eletise mana'omia.
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Asiasiga ma Metrology: E fa'aogaina le fa'avasegaina o mata, AFM, ma le X-ray e fa'amaonia ai le mafiafia o le vaega, le fa'aogaina o le doping, ma le tele o faaletonu.
O SiC Epitaxial Wafer ta'itasi e mata'ituina ma le fa'aeteete ina ia fa'atumauina fa'apalepale i le mafiafia tutusa, mafolafola luga, ma le tetee. O le mafai ona fa'alelei lelei nei ta'iala e mana'omia mo MOSFET maualuga, Schottky diodes, ma isi masini eletise.
Fa'amatalaga
Parameter | Fa'amatalaga |
Vaega | Mea Fa'asaienisi, Fa'apalapala tioata Tasi |
Polytype | 4H |
Doping | N Ituaiga |
Diamita | 101 mm |
Fa'apalepale Diamita | ± 5% |
mafiafia | 0.35 mm |
Onosa'i mafiafia | ± 5% |
Primary Flat Umi | 22 mm (± 10%) |
TTV (Vaega Mafiafia Aofa'i) | ≤10 µm |
A'ai | ≤25 µm |
FWHM | ≤30 Arc-sec |
Fa'ai'uga | Rq ≤0.35 nm |
Fa'aoga ole SiC Epitaxial Wafer
SiC Epitaxial Wafer oloa e taua tele i le tele o vaega:
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Ta'avale eletise (EVs): SiC Epitaxial Wafer-faʻavae masini faʻateleina le malosi o le powertrain ma faʻaitiitia le mamafa.
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Malosiaga Fa'afouina: Fa'aaogaina i fa'aliliuga mo faiga fa'aola ma le matagi.
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Sapalai Malosiaga Alamanuia: Fa'afeso'ota'i fa'avevesi maualuga, vevela maualuga ma fa'aletonu maualalo.
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Aerospace ma Puipuiga: Lelei mo siosiomaga faigata e manaʻomia semiconductors malosi.
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5G Base Station: O vaega o le SiC Epitaxial Wafer e lagolagoina le maualuga o le malosi mo talosaga RF.
O le SiC Epitaxial Wafer e mafai ai ona fa'ata'ita'i fa'ata'ita'iga, fa'avave le suiga, ma maualuga atu le fa'aliliuina o le malosi pe a fa'atusatusa i fa'ama'i sikoni.
Tulaga lelei o le SiC Epitaxial Wafer
SiC Epitaxial Wafer tekonolosi e ofoina atu faʻamanuiaga taua:
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Malosi maualuga malepe: Talia voltage e oo atu i le 10 taimi maualuga atu nai lo Si wafers.
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Amioga vevela: SiC Epitaxial Wafer fa'amama fa'avave le vevela, fa'ataga ai masini e fa'amama ma fa'alagolago.
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Saosaoa Suiga Maualuga: Fa'aitiitia suiga gau e mafai ai ona sili atu le lelei ma le fa'aitiitiga.
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Avanoa Lautele: Faʻamautinoa le mautu i voltage maualuga ma le vevela.
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Malosi o meafaitino: SiC e fa'ainisinia ma malosi fa'ainisinia, lelei mo fa'aoga mana'omia.
O nei tulaga lelei e avea ai le SiC Epitaxial Wafer ma mea e filifilia mo le isi augatupulaga o semiconductor.
FAQ: SiC Epitaxial Wafer
Q1: O le a le eseesega i le va o le SiC wafer ma le SiC Epitaxial Wafer?
O le SiC wafer e fa'atatau i le tele o mea'ai, a'o le SiC Epitaxial Wafer e aofia ai se fa'apipi'i fa'atupu fa'apitoa e fa'aaogaina i le gaosiga o masini.
Q2: O a mafiafia o loʻo avanoa mo SiC Epitaxial Wafer layers?
Epitaxial layers e masani lava e amata mai i nai micrometers i luga ole 100 μm, faʻalagolago i manaʻoga faʻaoga.
Q3: E talafeagai le SiC Epitaxial Wafer mo siosiomaga maualuga-vevela?
Ioe, SiC Epitaxial Wafer e mafai ona galue i tulaga i luga aʻe o le 600 ° C, sili atu le silikoni.
Q4: Aisea e taua ai le tele o faaletonu ile SiC Epitaxial Wafer?
O le maualalo o le fa'aletonu e fa'aleleia atili ai le fa'atinoga o masini ma fua mai, aemaise lava mo fa'aoga maualuga-voltage.
Q5: O lo'o avanoa uma le N-type ma le P-type SiC Epitaxial Wafers?
Ioe, o ituaiga uma e lua o loʻo gaosia e faʻaaoga tonu le dopant gas control i le taimi o le epitaxial process.
Q6: O le a le tele o fafie e masani mo SiC Epitaxial Wafer?
O lautele lautele e aofia ai le 2-inisi, 4-inisi, 6-inisi, ma le faʻateleina o le 8-inisi mo le gaosiga maualuga.
Q7: E fa'afefea ona a'afia le tau ma le lelei o le SiC Epitaxial Wafer?
E ui o le taimi muamua e sili atu le taugata nai lo le silicon, SiC Epitaxial Wafer e faʻaitiitia ai le tele o le tino ma le paʻu eletise, faʻaleleia le aofaʻi o tau i le taimi umi.