SiC substrate Dia200mm 4H-N ma le HPSI Silicon carbide

Fa'amatalaga Pupuu:

O le Silicon carbide substrate (SiC wafer) o se mea semiconductor e lautele le bandgap ma e iai ona uiga faaletino ma vailaʻau sili ona lelei, aemaise lava i siosiomaga e maualuga le vevela, maualuga le frequency, maualuga le malosi, ma maualuga le radiation. O le 4H-V o se tasi o fausaga crystalline o le silicon carbide. E le gata i lea, o le SiC substrates e iai le thermal conductivity lelei, o lona uiga e mafai ona latou faʻasalalauina lelei le vevela e gaosia e masini i le taimi o le faʻagaioiga, ma faʻaleleia atili ai le faʻatuatuaina ma le umi o le ola o masini.


Fa'aaliga

O le 4H-N ma le HPSI o se ituaiga tele o le silicon carbide (SiC), faatasi ai ma se fausaga crystal lattice e aofia ai iunite hexagonal e aofia ai le fa carbon ma le fa silicon atoms. O lenei fausaga e maua ai e le meafaitino ni uiga lelei o le electron mobility ma le breakdown voltage. I totonu o ituaiga uma o le SiC, o le 4H-N ma le HPSI e faaaogaina lautele i le matata o le power electronics ona o lona paleni o le electron ma le hole mobility ma le maualuga o le thermal conductivity.

O le tulaʻi mai o substrates SiC e 8 inisi o loʻo faʻatusalia ai se alualu i luma taua mo le alamanuia o semiconductor eletise. O mea masani o semiconductor e faʻavae i le silicon e oʻo i se paʻu tele i le faʻatinoga i lalo o tulaga ogaoga e pei o le vevela maualuga ma le maualuga o le voltage, ae o substrates SiC e mafai ona faatumauina a latou faʻatinoga sili ona lelei. Pe a faʻatusatusa i substrates laiti, o substrates SiC e 8 inisi e ofoina atu se vaega tele o le gaosiga e tasi le fasi, lea e faʻaliliuina i le maualuga o le lelei o le gaosiga ma tau maualalo, e taua tele mo le faʻatinoina o le faʻagasologa faʻapisinisi o tekinolosi SiC.

O le tekinolosi tuputupu aʻe mo substrates silicon carbide (SiC) e 8 inisi e manaʻomia ai le saʻo ma le mama tele. O le lelei o le substrate e aʻafia saʻo ai le faʻatinoga o masini o loʻo lumanaʻi, o lea e tatau ai i kamupani gaosi oloa ona faʻaaogaina tekinolosi faʻaonaponei e faʻamautinoa ai le atoatoa o le crystalline ma le maualalo o le mafiafia o mea sese o substrates. E masani ona aofia ai faiga faigata o le chemical vapor deposition (CVD) ma metotia saʻo o le tuputupu aʻe o le crystal ma le tipiina. O substrates 4H-N ma HPSI SiC e faʻaaogaina lautele i le matata o le eletise eletise, e pei o le maualuga o le lelei o le eletise, traction inverters mo taʻavale eletise, ma faiga faʻafouina o le malosiaga.

E mafai ona matou tuʻuina atu le 4H-N 8 inisi SiC substrate, ituaiga eseese o substrate stock wafers. E mafai foʻi ona matou faʻatulagaina ni faʻapitoa e tusa ai ma ou manaʻoga. Susū mai i se fesili!

Ata Auiliili

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