SiC substrate Dia200mm 4H-N ma HPSI Silicon carbide

Fa'amatalaga Puupuu:

Silicon carbide substrate (SiC wafer) o se mea lautele-bandgap semiconductor mea faʻatasi ma mea faʻapitoa faʻapitoa ma vailaʻau, aemaise lava le tulaga ese i le maualuga o le vevela, maualuga-televave, maualuga-mana, ma le maualuga-radiation siosiomaga. 4H-V o se tasi o fausaga tioata o carbide silicon. E le gata i lea, o le SiC substrates e lelei le faʻaogaina o le vevela, o lona uiga e mafai ona latou faʻaumatia lelei le vevela e gaosia e masini i le taimi o le faʻagaioiga, faʻaleleia atili le faʻamaoni ma le ola o masini.

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Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

O le 4H-N ma le HPSI o se polytype o le silicon carbide (SiC), faʻatasi ai ma se fausaga lattice tioata e aofia ai iunite hexagonal e faia i le fa carbon ma le fa silicon atoms. O lenei fausaga e maua ai le meafaitino ma le lelei tele o le feʻaveaʻi eletise ma le malepelepe uiga voltage. I totonu o SiC polytypes uma, 4H-N ma HPSI o loʻo faʻaaogaina lautele i le fanua o le eletise eletise ona o le paleni eletise ma le pu ma le maualuga o le vevela.

O le faʻaalia o le 8inch SiC substrates o loʻo faʻaalia ai se alualu i luma taua mo le alamanuia semiconductor eletise. O mea masani e fa'atatau i semiconductor fa'avae silicon e maua ai se pa'u tele i le fa'atinoga i lalo o tulaga ogaoga e pei o le maualuga o le vevela ma le maualuga o voltage, ae o le SiC substrates e mafai ona fa'atumauina lelei a latou fa'atinoga. Pe a fa'atusatusa i mea laiti, 8inch SiC substrates e ofoina atu le tele o vaega e tasi e gaosi ai, lea e fa'aliliuina i le maualuga o le gaosiga o le gaosiga ma le tau maualalo, e taua tele mo le fa'auluina o le fa'atauga o le SiC tekinolosi.

Ole fa'atekonolosi tuputupu a'e mo 8inch silicon carbide (SiC) substrates e mana'omia tele le sa'o ma le mama. O le lelei o le substrate e a'afia sa'o ai le fa'atinoga o masini mulimuli ane, o lea e tatau ai i le au gaosi oloa ona fa'aogaina tekonolosi fa'apitoa e fa'amautinoa ai le atoatoa ma le maualalo o le fa'aletonu o mea'ai. E masani ona aofia ai fa'agaioiga fa'apipi'i ausa fa'ama'i lavelave (CVD) ma fa'atupu tioata sa'o ma metotia tipi. 4H-N ma le HPSI SiC substrates o loʻo faʻaaogaina faʻapitoa i le fanua o le eletise eletise, e pei o le maualuga o le faʻaogaina o le eletise, faʻaliliuga traction mo taavale eletise, ma faiga faʻafouina malosi.

E mafai ona matou tuʻuina atu le 4H-N 8inch SiC substrate, togi eseese o meaʻai faʻatau oloa. E mafai foi ona matou faʻatulagaina customization e tusa ai ma ou manaʻoga. Fa'afeiloa'i su'esu'ega!