Silicon carbide tete'e ogaumu tioata umi tuputupu 6/8/12 inisi SiC ingot tioata PVT auala.

Fa'amatalaga Puupuu:

Silicon carbide tetee tuputupu aʻe ogaumu (PVT auala, auala fesiitaiga ausa faaletino) o se meafaigaluega autu mo le tuputupu ae o le silicon carbide (SiC) tioata tasi e maualuga le vevela sublimation-recrystallization mataupu faavae. O le tekinolosi e faʻaogaina ai le faʻamafanafanaina (graphite faʻavevela tino) e faʻapipiʻi ai le mea mataʻutia o le SiC i le maualuga o le vevela o le 2000 ~ 2500 ℃, ma toe faʻaleleia i le vaega maualalo o le vevela (seed crystal) e fausia ai se tioata maualuga SiC (4H / 6H-SiC). O le auala PVT o le faiga masani mo le tele o gaosiga o SiC substrates o 6 inisi ma lalo, lea e masani ona faʻaaogaina i le substrate sauniuniga o eletise eletise (e pei o MOSFETs, SBD) ma masini leitio (GaN-on-SiC).

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'avae galue:

1. utaina mea mata: maualuga mama SiC pauta (po o poloka) tuu i le pito i lalo o le graphite crucible (sone vevela maualuga).

2. Vacuum/inert si'osi'omaga: vacuum le ogaumu potu (<10⁻³ mbar) po'o le pasi inert kasa (Ar).

3. Sulimation vevela maualuga: tetee vevela i 2000 ~ 2500 ℃, decomposition SiC i Si, Si₂C, SiC₂ ma isi vaega vaega kasa.

4. Fa'asalalauga vaega o kesi: o le fa'alili ole vevela e fa'aosoina ai le fa'asalalauina ole vaega ole kasa ile vaega maualalo ole vevela (fa'ai'uga fatu).

5. Fa'atupu tioata: O le vaega o le kesi e toe fa'asalaina i luga o le mata o le Seed Crystal ma tupu i se itu fa'atonu i luga o le C-axis po'o le A-axis.

Fa'ailoga autu:

1. Faʻasaʻo vevela: 20 ~ 50 ℃ / cm (pulea le tuputupu aʻe ma le tele o le faaletonu).

2. Faʻasalaga: 1 ~ 100mbar (maualalo le mamafa e faʻaitiitia ai le faʻaogaina o le le mama).

3.Growth fua faatatau: 0.1 ~ 1mm / h (aʻafia ai le tulaga tioata ma le gaosiga lelei).

Vaega autu:

(1) Uiga tioata
Fa'aletonu maualalo: le tele o le microtubule <1 cm⁻², le mamafa o le ma'i 10³~10⁴ cm⁻² (e ala i le fa'avasegaina o fatu ma le fa'atonutonuina o gaioiga).

Pulea ituaiga Polycrystalline: e mafai ona tuputupu ae 4H-SiC (mainstream), 6H-SiC, 4H-SiC vaega> 90% (manaomia le pulea saʻo le vevela gradient ma kesi vaega stoichiometric ratio).

(2) Fa'atinoga o meafaigaluega
Maualuluga o le vevela mautu: graphite fa'avevelaina le vevela o le tino> 2500 ℃, o le ogaumu o le tino e fa'aaogaina le fa'aogaina o le fa'aogaina o le tele o mea (e pei o le graphite lagona + vai-cooled jacket).

Pulea tutusa: Axial / radial vevela fesuiaiga o ± 5 ° C faamautinoa le tutusa tioata lautele (6-inisi substrate mafiafia deviation <5%).

Tulaga o le masini: Faʻapipiʻiina le PLC faʻatonuga, mataʻituina taimi moni o le vevela, mamafa ma le tuputupu aʻe.

(3) Tulaga fa'atekonolosi
Faʻaaogaina meafaitino maualuga: fua faʻaliliuina mea mata> 70% (sili atu nai lo le auala CVD).

Fesoʻotaʻiga tele: 6-inisi le tele o gaosiga ua ausia, 8-inisi o loʻo i le atinaʻe.

(4) Fa'aaogāina malosi ma tau
O le faʻaaogaina o le malosi o se ogaumu e tasi o le 300 ~ 800kW · h, faʻamaumauga mo le 40% ~ 60% o le tau o le gaosiga o le substrate SiC.

O le fa'afaigaluegaina o meafaigaluega e maualuga (1.5M 3M i le iunite), ae o le tau o le substrate e maualalo ifo nai lo le auala CVD.

Talosaga autu:

1. Malosiaga faaeletonika: SiC MOSFET substrate mo taavale eletise inverter ma photovoltaic inverter.

2. Rf masini: 5G nofoaga faavae GaN-on-SiC epitaxial substrate (tele 4H-SiC).

3. Masini si'osi'omaga mata'utia: vevela maualuga ma le maualuga maualuga masini mo le aerospace ma masini faaniukilia.

Fa'atonuga fa'apitoa:

Fa'amatalaga	Fa'amatalaga
Fua (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm poʻo faʻapitoa
Ta'ele'ele'ele'ele	900 mm
Omiga Mūmau Sili	6 × 10⁻⁴ Pa (ina ua uma le 1.5h o le masini)
Leakage fua	≤5 Pa/12h (fa'ato'a)
Taamilomilo Fuafu	50 mm
Saosaoa Taamilomilo	0.5-5 rpm
Metotia Faavevela	Fa'avevela fa'asao eletise
Tempera o le ogaumu aupito maualuga	2500°C
Malosi Faavevela	40 kW × 2 × 20 kW
Fuaina o le vevela	Pirometer infrared lua lanu
Va'aiga vevela	900–3000°C
Sa'o o le vevela	±1°C
O'omiga Va'aiga	1–700 mbar
Sa'o le Pulea o Omiga	1–10 mbar: ±0.5% FS; 10–100 mbar: ±0.5% FS; 100–700 mbar: ± 0.5% FS
Ituaiga Galuega	uta pito i lalo, tusi lesona/autometi filifiliga saogalemu
Fa'ailoga Fa'atonu	Fuaina lua vevela, tele sone faamafanafana

Au'aunaga XKH:

XKH o loʻo tuʻuina atu le auaunaga atoa o le SiC PVT ogaumu, e aofia ai le faʻaogaina o meafaigaluega (faʻasologa o le fanua vevela, faʻatonuina otometi), atinaʻe faʻagasologa (faʻatonuina foliga tioata, faʻafitauli faʻaletonu), aʻoaʻoga faʻapitoa (faʻagaioiga ma le tausiga) ma le maeʻa ona faʻatau atu lagolago (faʻasologa o vaega graphite, faʻaogaina o le vevela) e fesoasoani ai i tagata faʻatau e ausia le maualuga o le gaosiga o le tioata sic. Matou te tuʻuina atu foʻi auaunaga faʻaleleia faʻagasologa e faʻaauau pea ona faʻaleleia le gaosiga o tioata ma le faʻatupulaia o le faʻaleleia, faʻatasi ai ma se taimi masani o le 3-6 masina.