Ogaumu tioata umi e tete'e atu i le silicon carbide e tuputupu a'e ai le 6/8/12 inisi inisi SiC ingot crystal PVT method

Fa'amatalaga Pupuu:

O le ogaumu tuputupu aʻe e teteʻe atu i le silicone carbide (metotia PVT, metotia faʻaliliuina o le ausa faaletino) o se meafaigaluega autu mo le tuputupu aʻe o le silicon carbide (SiC) tioata e tasi e ala i le mataupu faavae o le sublimation-recrystallization i le vevela maualuga. O lenei tekinolosi e faʻaaogaina le faʻavevela teteʻe (tino faʻavevela graphite) e faʻasusu ai le mea mata SiC i le vevela maualuga o le 2000 ~ 2500 ℃, ma toe faʻasusu i le vaega maualalo o le vevela (kristal fatu) e fausia ai se tioata SiC e tasi e maualuga le lelei (4H/6H-SiC). O le metotia PVT o le faiga autu mo le gaosiga tele o substrates SiC e 6 inisi ma lalo ifo, lea e faʻaaogaina lautele i le sauniuniga o substrate o semiconductors eletise (e pei o MOSFETs, SBD) ma masini leitio (GaN-on-SiC).

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Mataupu faavae o le galue:

1. Utaina o mea mata: pauta SiC mama maualuga (po'o poloka) ua tu'u i le pito i lalo o le ogaumu graphite (sone vevela maualuga).

2. Fa'amamā le ogaumu/si'osi'omaga e lē gaoioi: fa'amamā le potu ogaumu (<10⁻³ mbar) pe fa'asolo atu le kasa e lē gaoioi (Ar).

3. Fa'asusu i le vevela maualuga: tete'e atu i le fa'avevela i le 2000 ~ 2500 ℃, fa'apala le SiC i Si, Si₂C, SiC₂ ma isi vaega o le kesi.

4. Fesiitaiga o le vaega kesi: o le fesuia'iga o le vevela e fa'atupuina ai le sosolo o le mea o le vaega kesi i le vaega maualalo o le vevela (pito o fatu).

5. Tuputupu aʻe o le tioata: O le vaega kasa e toe faʻakilitika i luga o le tioata fatu ma tuputupu aʻe i se itu faʻasino i luga o le C-axis poʻo le A-axis.

Fa'asologa autū:

1. Fa'asolosolo o le vevela: 20~50℃/cm (pulea le fua fa'atatau o le tuputupu a'e ma le mafiafia o mea sese).

2. Mamafa: 1~100mbar (mamafa maualalo e faʻaitiitia ai le tuʻufaʻatasia o mea leaga).

3. Saosaoa o le tuputupu aʻe: 0.1~1mm/h (e aʻafia ai le lelei o le tioata ma le lelei o le gaosiga).

Vaega autū:

(1) Tulaga lelei o le tioata
Maualalo le mafiafia o mea sese: mafiafia o microtubule <1 cm⁻², mafiafia o le see ese o le eleele 10³~10⁴ cm⁻² (e ala i le fa'aleleia atili o fatu ma le puleaina o le fa'agasologa).

Pulea o le ituaiga Polycrystalline: e mafai ona tupu le 4H-SiC (autu), 6H-SiC, 4H-SiC fua faatatau >90% (e manaʻomia ona pulea saʻo le gradient o le vevela ma le fua faatatau o le stoichiometric o le vaega kesi).

(2) Fa'atinoga o masini
Maualuga le mautu o le vevela: vevela o le tino fa'avevela o le karapite >2500℃, e fa'aaogaina e le tino o le ogaumu le mamanu fa'amafanafana e tele vaega (e pei o le ie felanulanua'i karapite + peleue fa'amālūlūina i le vai).

Puleaina o le tutusa: O le fesuia'iga o le vevela axial/radial o le ±5 ° C e fa'amautinoa ai le tutusa o le lautele o le tioata (6-inisi le mafiafia o le substrate <5%).

Tulaga o le otometi: Faiga fa'atonutonu PLC tu'ufa'atasia, mata'ituina moni o le vevela, mamafa ma le fua fa'atatau o le tuputupu a'e.

(3) Fa'amanuiaga fa'atekonolosi
Fa'aaogāina maualuga o meafaitino: fua faatatau o le liua o meafaitino mata >70% (sili atu nai lo le metotia CVD).

Fetaui i le tele o lapopo'a: ua ausia le gaosiga tele o le 6-inisi, o le 8-inisi o lo'o i le tulaga o le atina'eina.

(4) Fa'aaogaina o le malosi ma le tau
O le malosi e faʻaaogaina e le ogaumu e tasi e 300~800kW·h, e 40%~60% o le tau o le gaosiga o le SiC substrate.

E maualuga le tupe teufaafaigaluega mo meafaigaluega (1.5M 3M i le iunite), ae e maualalo le tau o le substrate o le iunite nai lo le metotia CVD.

Fa'aoga autū:

1. Mea fa'aeletoronika eletise: SiC MOSFET substrate mo le inverter o ta'avale eletise ma le inverter photovoltaic.

2. Masini Rf: 5G base station GaN-on-SiC epitaxial substrate (e masani lava 4H-SiC).

3. Meafaigaluega mo le siosiomaga ogaoga: masini e iloa ai le vevela maualuga ma le mamafa maualuga mo masini ea ma meafaigaluega mo le malosiaga faaniukilia.

Fa'atulagaga fa'apitoa:

Fa'amatalaga	Fa'amatalaga auiliili
Fua (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm pe fa'apitoa
Lapoa o le ulo fa'apala	900 milimita
Mamafa Sili o le Vacuum	6 × 10⁻⁴ Pa (pe a uma le 1.5 itula o le vacuum)
Fuainumera o le Tafe	≤5 Pa/12h (tao i fafo)
Lapoa o le Autū Fa'ata'amilosaga	50 milimita
Saosaoa o le Liliu	0.5–5 rpm
Metotia Fa'avevela	Fa'avevela tete'e eletise
Vevela Maualuga o le Ogaumu	2500°C
Malosiaga Fa'avevela	40 kW × 2 × 20 kW
Fuaina o le Vevela	Pyrometer infrared lanu e lua
Fa'asologa o le Vevela	900–3000°C
Sa'o o le Vevela	±1°C
Fa'asologa o le Mamafa	1–700 mbar
Sa'o le Puleaina o le Mamafa	1–10 mbar: ±0.5% FS; 10–100 mbar: ±0.5% FS; 100–700 mbar: ±0.5% FS
Ituaiga o Galuega	Utaina i lalo, filifiliga saogalemu lima/otometi
Vaega Filifilia	Fuaina o le vevela faalua, tele sone fa'avevela

Auaunaga a le XKH:

E tuʻuina atu e le XKH le auaunaga atoa o le faʻagasologa o le ogaumu SiC PVT, e aofia ai le faʻapitoaina o masini (fuafuaga o le fanua vevela, pulea otometi), atinaʻeina o faʻagasologa (puleaina o foliga o le tioata, faʻaleleia atili o mea sese), aʻoaʻoga faʻapitoa (faʻagaioiga ma tausiga) ma le lagolago pe a maeʻa le faʻatau atu (suia o vaega o le graphite, faʻatulagaina o le fanua vevela) e fesoasoani ai i tagata faʻatau e ausia le gaosiga tele o le tioata sic maualuga. Matou te tuʻuina atu foʻi auaunaga faʻaleleia atili o le faʻagasologa e faʻaleleia atili ai le fua o le tioata ma le lelei o le tuputupu aʻe, faʻatasi ai ma se taimi masani e 3-6 masina.