Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N ituaiga Dummy / tulaga muamua mafiafia mafai ba customized

Silikon Carbide SiC Ingot 6inch N ituaiga Dummy / vasega muamua mafiafia e mafai ona fa'avasegaina Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Puupuu:

Silicon Carbide (SiC) o se mea faʻapipiʻi semiconductor lautele-bandgap o loʻo maua le malosi tele i le tele o alamanuia ona o le maualuga o le eletise, vevela, ma mea faʻainisinia. O le SiC Ingot i le 6-inisi N-type Dummy/Prime grade ua faʻatulagaina faapitoa mo le gaosiga o masini semiconductor maualuga, e aofia ai le maualuga ma le maualuga o talosaga. Faʻatasi ai ma filifiliga mafiafia faʻapitoa ma faʻamatalaga saʻo, o lenei SiC ingot e maua ai se fofo lelei mo le atinaʻeina o masini e faʻaaogaina i taʻavale eletise, eletise eletise, fesoʻotaʻiga, ma isi vaega maualuga. O le malosi o le SiC i le maualuga-voltage, maualuga-vevela, ma tulaga maualuga e mautinoa ai le umi, lelei, ma le faʻatuatuaina o faʻatinoga i le tele o talosaga.
O loʻo maua le SiC Ingot i le 6-inisi le tele, faʻatasi ai ma le lautele o le 150.25mm ± 0.25mm ma le mafiafia e sili atu i le 10mm, e faʻalelei ai mo le tipiina. O lenei oloa o loʻo ofoina atu se faʻamatalaga faʻamalamalama lelei o le 4 ° agai i le <11-20> ± 0.2 °, faʻamautinoa le maualuga maualuga i le faʻaogaina o masini. E le gata i lea, o le ingot o loʻo faʻaalia ai se faʻataʻitaʻiga muamua o le <1-100> ± 5 °, e saofagā i le faʻaogaina o tioata sili ona lelei ma le gaioiga o gaioiga.
Faʻatasi ai ma le maualuga o le resistivity i le va o le 0.015-0.0285 Ω · cm, o le maualalo o le micropipe density o le <0.5, ma le lelei pito sili ona lelei, o lenei SiC Ingot e talafeagai mo le gaosiga o masini eletise e manaʻomia ai ni faaletonu laiti ma le maualuga o le faʻatinoga i lalo o tulaga ogaoga.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Meatotino

Vasega: Vasega Gaosia (Dummy/Prime)
Tele: 6-inisi le lautele
Diamita: 150.25mm ± 0.25mm
Mafiafia:> 10mm (E mafai ona fa'atulagaina mafiafia e maua i luga ole talosaga)
Fa'asagaga i luga ole laiga: 4 ° agai i le <11-20> ± 0.2 °, lea e mautinoa ai le maualuga o le tioata ma le fa'aogaina sa'o mo le gaosiga o masini.
Primary Flat Orientation: <1-100> ± 5°, o se vaega autu mo le tipiina lelei o le ingot i totonu o fafie ma mo le tuputupu ae tioata sili ona lelei.
Primary Flat Length: 47.5mm ± 1.5mm, fuafuaina mo le faigofie ona taulimaina ma le tipi saʻo.
Resistivity: 0.015-0.0285 Ω·cm, lelei mo faʻaoga i masini eletise maualuga.
Micropipe Density: <0.5, fa'amautinoa le la'ititi o fa'aletonu e ono a'afia ai le fa'atinoga o masini faufau.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, o se tau maualalo e faʻaalia ai le maualuga o le mama tioata ma le maualalo o le faaletonu.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, faʻamautinoaina le lelei atoatoa o meafaitino mo masini maualuga.
Avanoa Polytype: Leai - o le ingot e sa'oloto mai polytype fa'aletonu, e ofoina atu le tulaga maualuga o meafaitino mo talosaga maualuga.
Edge Indents: <3, fa'atasi ai ma le 1mm lautele ma le loloto, fa'amautinoa e la'ititi le fa'aleagaina o luga ma fa'atumauina le fa'amaoni o le ingot mo le lelei o le tipiina.
Ta'eta'e pito: 3, <1mm ta'itasi, fa'atasi ai ma le fa'aitiitia o le fa'aleagaina o le pito, fa'amautinoa le saogalemu o le fa'aogaina ma le fa'agasolo atili.
Fa'apipi'i: Fa'amea masi – o lo'o fa'apipi'i lelei le SiC ingot i totonu o se pusa masi ina ia mautinoa le saogalemu o felauaiga ma le tagofiaina.

Talosaga

Malosiaga Fa'aeletonika:O le 6-inisi SiC ingot o loʻo faʻaaogaina tele i le gaosiga o masini eletise eletise e pei o MOSFET, IGBT, ma diodes, o vaega taua ia i faiga faʻaliliuina eletise. O nei masini e masani ona faʻaaogaina i le eletise eletise (EV) inverters, afi afi faʻapisinisi, sapalai eletise, ma le faʻaogaina o le malosi. Ole malosi ole SiC e fa'agaoioi ile voluma maualuga, alaleo maualuga, ma le vevela tele e fa'amalieina ai mo fa'aoga o lo'o tauivi ai masini fa'asolo masani (Si) e fa'atino lelei.

Ta'avale eletise (EVs):I ta'avale eletise, o vaega fa'avae SiC e taua tele mo le atina'eina o masini eletise i inverters, DC-DC converters, ma luga ole laiga. O le maualuga o le vevela o le SiC e mafai ai ona faʻaitiitia le vevela ma sili atu le lelei i le liua o le eletise, lea e taua tele mo le faʻaleleia o le faʻatinoga ma le taʻavaleina o taʻavale eletise. E le gata i lea, o masini SiC e mafai ai ona laʻititi, mama, ma sili atu ona faʻatuatuaina vaega, e saofagā i le faʻatinoga atoa o faiga EV.

Malosiaga Fa'afouina:SiC ingots o se mea taua i le atinaʻeina o masini faʻaliliuina o loʻo faʻaaogaina i faiga faʻafouina malosi, e aofia ai suiga ole la, uila afi, ma fofo e teu ai le malosi. Ole malosi maualuga ole fa'aogaina ole malosi ole SiC ma le fa'aogaina lelei o le fa'amama e mafai ai ona fa'aleleia atili le fa'aliliuga malosi ma fa'aleleia atili le fa'atuatuaina i nei faiga. O lona fa'aogaina i malosiaga fa'afouina e fesoasoani e una'ia taumafaiga a le lalolagi i le fa'aauauina o le malosi.

Feso'ota'iga:O le 6-inisi SiC ingot e talafeagai foi mo le gaosia o vaega o loʻo faʻaaogaina i faʻaoga maualuga RF (leo leitio). O nei mea e aofia ai amplifiers, oscillators, ma faamama o loʻo faʻaaogaina i fesoʻotaʻiga ma satelite fesoʻotaʻiga. O le malosi o le SiC e faʻatautaia ai laina maualuga ma le malosi maualuga e avea ai ma mea sili ona lelei mo masini fesoʻotaʻiga e manaʻomia ai le malosi o le faʻatinoga ma le faʻaitiitia o faailoilo.

Aerospace ma Puipuiga:Ole maualuga ole malepelepe ole eletise ole SiC ma le tetee ile vevela maualuga e fetaui lelei mo le vaalele ma le puipuiga. O vaega e faia mai SiC ingots o loʻo faʻaaogaina i le radar system, satelite fesoʻotaʻiga, ma eletise eletise mo vaalele ma vaʻalele. O mea e fa'atatau i le SiC e mafai ai ona fa'atino faiga fa'a-aerospace i lalo o tulaga ogaoga e feagai ma le vateatea ma si'osi'omaga maualuga.

Otometi Alamanuia:I totonu o fale gaosi oloa, o vaega SiC o loʻo faʻaaogaina i masini, faʻamalosi, ma faiga faʻatonutonu e manaʻomia ona faʻaogaina i siosiomaga faigata. O masini fa'avae SiC o lo'o fa'afaigaluegaina i masini e mana'omia ai vaega lelei ma tumau e mafai ona tatalia le maualuga o le vevela ma le mamafa o le eletise.

Laulau Fa'amatalaga o Mea

Meatotino	Fa'amatalaga
Vasega	Gaosiga (Dummy/Prime)
Tele	6-inisi
Diamita	150.25mm ± 0.25mm
mafiafia	>10mm (Fesuia'i)
Fa'asagaga i luga	4° agai i le <11-20> ± 0.2°
Primary Flat Orientation	<1-100> ± 5°
Primary Flat Umi	47.5mm ± 1.5mm
Tete'e	0.015–0.0285 Ω·cm
Micropipe Density	<0.5
Boron Pitting Density (BPD)	<2000
Fa'atosina o le fa'a'ese'e o le si'u filo (TSD)	<500
Polytype Areas	Leai
Fa'ailoga pito	<3, 1mm le lautele ma le loloto
Ta'eta'e pito	3, <1mm/ea
afifiina	Pusa wafer

Fa'ai'uga

O le 6-inisi SiC Ingot - N-type Dummy / Prime grade o se mea faʻapitoa e fetaui ma manaʻoga faigata o le semiconductor industry. O le maualuga o le vevela, le faʻalavelave faʻafuaseʻi, ma le maualalo o le faʻalavelave faʻaleagaina e avea o se filifiliga sili ona lelei mo le gaosiga o masini eletise eletise, vaega taʻavale, faiga o fesoʻotaʻiga, ma faiga faʻafouina malosi. O le mafiafia faʻapitoa ma faʻamatalaga saʻo e faʻamautinoa ai o lenei SiC ingot e mafai ona faʻafetaui i le tele o faʻaoga, faʻamautinoa le maualuga o le faʻatinoga ma le faʻamaoni i siosiomaga faigata. Mo nisi fa'amatalaga pe tu'u se oka, fa'amolemole fa'afeso'ota'i la matou 'au fa'atau.