E mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le Silicon Carbide SiC Ingot 6 inisi N ituaiga Dummy/prime grade

E mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le Silicon Carbide SiC Ingot 6 inisi N type Dummy/prime grade Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le Silicon Carbide (SiC) o se mea semiconductor e lautele le va o le bandgap ma ua lauiloa tele i le tele o alamanuia ona o ona uiga eletise, vevela, ma le fa'ainisinia sili. O le SiC Ingot i le 6-inisi N-type Dummy/Prime grade ua mamanuina faapitoa mo le gaosiga o masini semiconductor fa'aonaponei, e aofia ai fa'aoga eletise ma fa'aoga maualuga. Faatasi ai ma filifiliga mafiafia e mafai ona fetu'una'i ma fa'amatalaga sa'o, o lenei SiC ingot e maua ai se fofo lelei mo le atina'eina o masini e fa'aaogaina i ta'avale eletise, faiga eletise fa'apisinisi, feso'ota'iga, ma isi vaega fa'atino maualuga. O le malosi o le SiC i tulaga maualuga-voltage, vevela maualuga, ma fa'aoga maualuga e fa'amautinoa ai le umi, lelei, ma le fa'atuatuaina o le fa'atinoga i le tele o fa'aoga.
O le SiC Ingot e maua i le lapo'a e 6-inisi, ma le lautele e 150.25mm ± 0.25mm ma le mafiafia e sili atu i le 10mm, ma avea ai ma mea lelei mo le tipiina o le wafer. O lenei oloa e ofoina atu se fa'atulagaga lelei o le luga e 4° agai atu i le <11-20> ± 0.2°, ma fa'amautinoa ai le sa'o lelei i le gaosiga o masini. E le gata i lea, o le ingot e iai se fa'atulagaga mafolafola muamua e <1-100> ± 5°, e fesoasoani i le fa'atulagaina lelei o le tioata ma le fa'atinoga o le fa'agasologa.
Faatasi ai ma le tete'e maualuga i le va o le 0.015–0.0285 Ω·cm, o le mafiafia maualalo o le micropipe e <0.5, ma le tulaga lelei o pito, o lenei SiC Ingot e talafeagai mo le gaosiga o masini eletise e mana'omia ai ni fa'aletonu laiti ma le fa'atinoga maualuga i lalo o tulaga faigata.

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Fa'aaliga

Meatotino

Vasega: Vasega Gaosiga (Dummy/Prime)
Tele: 6-inisi le lautele
Lapoa: 150.25mm ± 0.25mm
Mafiafia: >10mm (E mafai ona fetu'una'i le mafiafia pe a talosagaina)
Fa'asaga i le Luga: 4° agai atu i le <11-20> ± 0.2°, lea e fa'amautinoa ai le maualuga o le tulaga lelei o le tioata ma le sa'o o le fa'atulagaina mo le gaosiga o masini.
Fa'asinomaga Autū e Mafolafola: <1-100> ± 5°, o se vaega autū mo le tipiina lelei o le ingot i ni mafolafola ma mo le tuputupu a'e lelei o le tioata.
Umi Autu Mafolafola: 47.5mm ± 1.5mm, ua mamanuina mo le faigofie ona taulimaina ma le tipiina sa'o.
Tete'e: 0.015–0.0285 Ω·cm, e fetaui lelei mo fa'aoga i masini eletise e maualuga le lelei.
Matutu o le Micropipe: <0.5, ma fa'amautinoa ai le la'ititi o fa'aletonu e ono a'afia ai le fa'atinoga o masini ua gaosia.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, o se tau maualalo e faʻaalia ai le maualuga o le mama o le tioata ma le maualalo o le mafiafia o mea sese.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, ma fa'amautinoa ai le lelei o le tulaga o meafaitino mo masini e maualuga le fa'atinoga.
Vaega o le Polytype: Leai – e sa'oloto le ingot mai ni fa'aletonu o le polytype, e ofoina atu ai le tulaga lelei sili ona lelei o meafaitino mo fa'aoga maualuluga.
Fa'a'olo'olo o Pito: <3, fa'atasi ai ma le 1mm le lautele ma le loloto, e fa'amautinoa ai le fa'aitiitia o le fa'aleagaina o le luga ma fa'atumauina pea le sa'o o le ingot mo le tipiina lelei o le wafer.
Māvaevae i Pito: 3, <1mm i le māvaevae, ma e itiiti le fa'aleagaina o pito, ma mautinoa ai le saogalemu o le taulimaina ma le fa'agasologaina atili.
Afifiina: Pusa wafer – o le ingot SiC ua teuina ma le saogalemu i totonu o se pusa wafer e mautinoa ai le saogalemu o felauaiga ma le taulimaina.

Talosaga

Eletise Malosiaga:O le ingot SiC e 6-inisi e faʻaaogaina lautele i le gaosiga o masini eletise eletise e pei o MOSFET, IGBT, ma diodes, o vaega taua ia i faiga faʻaliliu eletise. O nei masini e faʻaaogaina lautele i inverters taʻavale eletise (EV), taʻavale afi faʻapisinisi, sapalai eletise, ma faiga teuina o le eletise. O le mafai e le SiC ona faʻagaoioia i voltage maualuga, maualuga le saoasaoa, ma le vevela tele e avea ai ma mea lelei mo faʻaoga e faigata ai i masini silicon (Si) masani ona faʻatino lelei.

Ta'avale Eletise (EV):I ta'avale eletise, e taua tele vaega e fa'avae i le SiC mo le atina'eina o vaega eletise i totonu o inverters, DC-DC converters, ma chargers i luga o le va'a. O le maualuga o le fa'avevela o le SiC e mafai ai ona fa'aitiitia le gaosiga o le vevela ma sili atu le lelei i le liua o le eletise, lea e taua tele mo le fa'aleleia atili o le fa'atinoga ma le mamao e alu i ai ta'avale eletise. E le gata i lea, o masini SiC e mafai ai ona fa'aogaina vaega laiti, mama, ma sili atu ona fa'atuatuaina, e fesoasoani i le fa'atinoga atoa o masini EV.

Faiga o Malosiaga Fa'afouina:O le SiC ingots o se mea taua tele i le atinaʻeina o masini e liua ai le eletise e faʻaaogaina i faiga faʻafouina o le malosiaga, e aofia ai inverters o le la, turbines matagi, ma fofo e teu ai le malosiaga. O le maualuga o le gafatia o le SiC i le taulimaina o le malosiaga ma le pulega lelei o le vevela e mafai ai ona maualuga le lelei o le liua o le malosiaga ma faʻaleleia atili le faʻatuatuaina i nei faiga. O lona faʻaaogaina i le malosiaga faʻafouina e fesoasoani e faʻatino ai taumafaiga a le lalolagi atoa agai i le faʻasaoina o le malosiaga.

Fesootaiga:E talafeagai fo'i le ingot SiC e 6-inisi mo le gaosia o vaega e fa'aaogaina i fa'aoga RF (radio frequency) maualuga le malosi. E aofia ai amplifiers, oscillators, ma filters e fa'aaogaina i feso'ota'iga ma faiga feso'ota'iga satelite. O le gafatia o le SiC e taulimaina ai le maualuga o le saoasaoa ma le malosi maualuga e avea ai ma mea sili ona lelei mo masini feso'ota'iga e mana'omia ai le fa'atinoga malosi ma le itiiti o le leiloa o fa'ailo.

Vaalele ma le Puipuiga:O le maualuga o le voltage breakdown o le SiC ma le tete'e atu i le vevela maualuga e avea ai ma mea lelei mo galuega tau vaalele ma puipuiga. O vaega e faia mai i le SiC ingots e fa'aaogaina i faiga radar, feso'ota'iga satelite, ma eletise eletise mo vaalele ma va'alele. O mea e fa'avae i luga o le SiC e mafai ai e faiga tau vaalele ona fa'atino galuega i lalo o tulaga faigata e fetaia'i ma siosiomaga i le vateatea ma nofoaga maualuluga.

Fa'aautomatika Fa'apisinisi:I le fa'aogaina o masini fa'apisinisi, e fa'aaogaina vaega o le SiC i masini fa'alogo, fa'agaoioiga, ma faiga fa'atonutonu e mana'omia ona fa'agaoioia i siosiomaga faigata. O masini fa'avae i le SiC e fa'aaogaina i masini e mana'omia ai vaega lelei ma tumau e mafai ona tatalia le vevela maualuga ma fa'alavelave eletise.

Fa'amatalaga o le Oloa

Meatotino	Fa'amatalaga
Vasega	Gaosiga (Fa'ata'ita'i/Fa'apitoa)
Tele	6-inisi
Lapoa	150.25mm ± 0.25mm
Mafiafia	>10mm (E mafai ona fetu'una'i)
Fa'atulagaga o le fogaeleele	4° agai atu i le <11-20> ± 0.2°
Fa'asinomaga Laulau Muamua	<1-100> ± 5°
Umi Mafolafola Autū	47.5mm ± 1.5mm
Tete'e	0.015–0.0285 Ω·cm
Mafiafia o le Micropipe	<0.5
Fa'ama'a'a o le Boron Pitting (BPD)	<2000
Fa'asolosolo o le Fa'asolosolo o Sikulima (TSD)	<500
Vaega o le Polytype	Leai se tasi
Fa'asolo i Pito	<3, 1mm le lautele ma le loloto
Mavaevae o le Pito	3, <1mm/tasi
afifiina	Pusa fa'apala

Faaiuga

O le 6-inisi SiC Ingot – N-type Dummy/Prime grade o se mea sili ona lelei e ausia ai manaʻoga faigata o le pisinisi semiconductor. O lona maualuga o le conductivity o le vevela, teteʻe ese, ma le maualalo o le mafiafia o mea sese e avea ai ma filifiliga sili ona lelei mo le gaosiga o masini eletise eletise faʻaonaponei, vaega o taʻavale, faiga fesoʻotaʻiga, ma faiga faʻafouina o le malosiaga. O le mafiafia e mafai ona fetuʻunaʻi ma faʻamatalaga saʻo e faʻamautinoa ai e mafai ona faʻatulagaina lenei SiC ingot mo le tele o faʻaoga, ma faʻamautinoa ai le maualuga o le faʻatinoga ma le faʻatuatuaina i siosiomaga faigata. Mo nisi faʻamatalaga pe e te tuʻuina atu se oka, faʻamolemole faʻafesoʻotaʻi la matou 'au faʻatau.