Silicon Carbide (SiC) Fa'avae Kilisitala Tasi – 10×10mm Wafer

Ata Fa'apitoa o le Silicon Carbide (SiC) Single-Crystal Substrate – 10×10mm Wafer

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 10×10mm Silicon Carbide (SiC) single-crystal substrate wafer o se mea semiconductor maualuga le faatinoga ua mamanuina mo le isi tupulaga o eletise eletise ma optoelectronics. O lo'o i ai le fa'agasologa lelei o le vevela, lautele le bandgap, ma le mautu lelei o vaila'au, o substrates SiC e maua ai le fa'avae mo masini e fa'agaoioia lelei i lalo o le vevela maualuga, maualuga le televave, ma tulaga maualuga o le voltage. O nei substrates ua tipiina ma le sa'o i ni fasi sikuea 10×10mm, e fetaui lelei mo su'esu'ega, fa'ata'ita'iga, ma le gaosiga o masini.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Ata Auiliili o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer

Aotelega o le wafer substrate Silicon Carbide (SiC)

O le10×10mm Silicon Carbide (SiC) le fa'avaa fa'apipi'i tioata e tasio se mea semiconductor maualuga le fa'atinoga ua mamanuina mo le isi tupulaga o eletise eletise ma fa'aoga optoelectronic. O lo'o i ai le fa'agasologa sili ona lelei o le vevela, lautele le bandgap, ma le mautu lelei o vaila'au, o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer e maua ai le fa'avae mo masini e fa'agaoioia lelei i lalo o le vevela maualuga, maualuga le televave, ma tulaga maualuga o le voltage. O nei substrates ua tipiina ma le sa'o i totonuSipi faatafafa 10×10mm, lelei mo suʻesuʻega, faia o faʻataʻitaʻiga, ma le gaosiga o masini.

Mataupu Faavae o le Gaosiga o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer

O le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer e gaosia e ala i le Physical Vapor Transport (PVT) po'o metotia o le sublimation growth. E amata le faiga i le pauta SiC mama maualuga e utaina i totonu o se graphite crucible. I lalo o le vevela tele e sili atu i le 2,000°C ma se siosiomaga pulea, e liu suavai le pauta i le ausa ma toe fa'aputu i luga o se fatu tioata ua fa'atulagaina ma le fa'aeteete, ma fausia ai se ingot tioata tele e tasi e fa'aitiitia ai le fa'aletonu.

O le taimi lava e tupu ai le SiC boule, e ui i lea:

O le tipiina o le ingot: O ili uaea taimane sa'o e tipiina le ingot SiC i ni fasi falaoa po'o ni fasi falaoa.

Tosi ma olo: E fa'amafolafola mea e aveese ai maka o le ili ma maua ai se mafiafia tutusa.

Fa'apupulaina Fa'a-Kemikale (CMP): Ausia se fa'auma fa'ata e matua'i sauni mo le fa'ata ma e matua'i maualalo lava le ma'a'a o le laualuga.

Fa'aopoopo i ai le fa'aopoopoina o le nitrogen, alumini, po'o le boron e fa'afetaui ai meatotino eletise (n-type po'o le p-type).

Su'esu'ega lelei: O fua fa'atatau maualuluga e fa'amautinoa ai le lamolemole o le wafer, tutusa le mafiafia, ma le mafiafia o mea sese e ausia ai mana'oga faigata o le semiconductor grade.

O lenei faagasologa e tele laasaga e mafua ai ni fasi pepa malolosi e 10×10mm Silicon Carbide (SiC) ua sauni mo le tuputupu aʻe epitaxial poʻo le gaosiga saʻo o masini.

Uiga o Meafaitino o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer

O le wafer substrate Silicon Carbide (SiC) e masani ona faia i4H-SiC or 6H-SiCituaiga eseese:

4H-SiC:E maualuga lona fe'avea'i i le eletise, e fetaui lelei mo masini eletise e pei o MOSFET ma Schottky diodes.
6H-SiC:Ofoina atu meatotino tulaga ese mo RF ma vaega optoelectronic.

O meatotino faaletino autū o le wafer substrate Silicon Carbide (SiC):

Vaeluaga lautele o le fusi:~3.26 eV (4H-SiC) – e mafai ai ona maualuga le voltage breakdown ma maualalo le gau o le switching.
Fa'avevela o le eletise:3–4.9 W/cm·K – e fa'aitiitia lelei le vevela, ma fa'amautinoa ai le mautu i totonu o faiga e maualuga le malosi.
Faigata:~9.2 i le fua fa'atatau o le Mohs – e fa'amautinoa ai le tumau fa'amekanika i le taimi o le fa'agasologa ma le fa'agaoioiga o le masini.

Fa'aoga o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer

O le fetuutuuna'i o le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer e taua ai i le tele o alamanuia:

Eletise Malosiaga: Fa'avae mo MOSFET, IGBT, ma Schottky diodes e fa'aaogaina i ta'avale eletise (EV), sapalai eletise fa'apisinisi, ma inverters o le malosiaga fa'afouina.

Masini RF ma Maikoloveve: Lagolagoina transistors, amplifiers, ma vaega o le radar mo le 5G, satelite, ma talosaga tau puipuiga.

Optoelectronics: E fa'aaogaina i UV LEDs, photodetectors, ma laser diodes lea e taua tele ai le maualuga o le manino ma le mautu o le UV.

Vaalele ma le Puipuiga: O se mea fa'atuatuaina mo mea fa'aeletoronika e fa'ama'a'aina i le vevela maualuga.

Fa'alapotopotoga Su'esu'e ma Iunivesite: E fetaui lelei mo su'esu'ega fa'asaienisi o meafaitino, atina'eina o masini fa'ata'ita'i, ma le fa'ata'ita'iina o faiga fou epitaxial.

Fa'amatalaga mo le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer Chips

Meatotino	Taua
Tele	10mm × 10mm faatafafā
Mafiafia	330–500 μm (e mafai ona fetu'una'i)
Polytype	4H-SiC po'o le 6H-SiC
Fa'asinomaga	C-plane, e ese mai le axis (0°/4°)
Fa'auma o le Laupapa	Ua fa'apupula i le itu e tasi pe itu e lua; ua saunia mo epi-ready
Filifiliga o le Fa'aaogaina o le Doping	Ituaiga-N po'o le Ituaiga-P
Vasega	Vasega suʻesuʻe poʻo le vasega o masini

Fesili Masani e Masani Ona Fesiligia e uiga i le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer

Q1: O le ā le mea e sili atu ai le Silicon Carbide (SiC) substrate wafer nai lo silicon wafers masani?
E ofoina atu e le SiC le 10× maualuga atu o le malosi o le fanua e malepe ai, tete'e sili atu i le vevela, ma le maualalo o le gau o fesuia'iga, ma avea ai ma mea lelei tele mo masini e maualuga le lelei, ma le malosi e le mafai e le silicon ona lagolagoina.

Q2: E mafai ona tu'uina atu i le 10×10mm Silicon Carbide (SiC) substrate wafer ni vaega epitaxial?
Ioe. Matou te tuʻuina atu mea e saunia mo epi ma e mafai ona matou tuʻuina atu ni wafers ma ni vaega epitaxial faʻapitoa e faʻafetaui ai manaʻoga faʻapitoa o le gaosiga o masini eletise poʻo le LED.

Q3: E maua ni lapopo'a fa'apitoa ma ni tulaga fa'aopoopo o le doping?
Ioe lava. E ui o le 10×10mm chips o ni mea masani mo suʻesuʻega ma faʻataʻitaʻiga o masini, ae o fua faʻapitoa, mafiafia, ma faʻamatalaga o le doping e maua pe a talosagaina.

Q4: E fa'apefea le tumau o nei wafers i siosiomaga faigata?
E tausia e le SiC le tulaga lelei o le fausaga ma le fa'atinoga eletise i luga atu o le 600°C ma i lalo o le maualuga o le fa'avevela, ma avea ai ma mea lelei tele mo va'alele ma mea fa'aeletoronika mo le militeli.

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E fa'apitoa le XKH i le atina'eina o tekinolosi maualuluga, gaosiga, ma le fa'atauina atu o tioata opitika fa'apitoa ma mea fou fa'akristali. O a matou oloa e tautua i mea fa'aeletoronika opitika, mea fa'aeletoronika fa'atau, ma le militeri. Matou te ofoina atu vaega opitika Sapphire, ufi tioata telefoni feavea'i, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ma semiconductor crystal wafers. Fa'atasi ai ma le tomai fa'apitoa ma meafaigaluega fa'aonaponei, matou te matua'i lelei i le fa'agasologaina o oloa e le masani ai, ma le fa'amoemoe e avea ma se pisinisi fa'atekonolosi maualuga e ta'imua i meafaitino optoelectronic.