Va'a Wafer Silicon Carbide (SiC)

Fa'amatalaga Pupuu:

O le va'a wafer Silicon Carbide (SiC) o se va'a e feavea'i ai masini semiconductor e faia i mea SiC e maualuga le mama, ua mamanuina e taofi ma feavea'i ai masini i taimi o faiga taua i le vevela maualuga e pei o le epitaxy, oxidation, diffusion, ma le annealing.

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Fa'aaliga

Ata Auiliili

Aotelega o le Tioata Kuata

Faatasi ai ma le vave o le atinaʻeina o semiconductors eletise ma masini lautele le bandgap, o vaa quartz masani e feagai ma ni tapulaa e pei o le faʻaleagaina i le vevela maualuga, ogaoga o le faʻaleagaina o vaega, ma le puʻupuʻu o le ola tautua. O vaa SiC wafer, e sili atu le mautu o le vevela, maualalo le faʻaleagaina, ma umi le ola, ua faʻateleina ona suitulaga i vaa quartz ma ua avea ma filifiliga sili ona lelei i le gaosiga o masini SiC.

Vaega Autū

1. Fa'amanuiaga Fa'aletino

Gaosia mai le SiC mama maualuga mamaualuga le ma'a'a ma le malosi.
O le tulaga e liusuavai ai i luga atu o le 2700°C, e maualuga atu nai lo le kuata, ma mautinoa ai le mautu mo se taimi umi i siosiomaga faigata.

2. Meatotino Fa'avevela

Maualuga le fa'avevela mo le vave ma le tutusa o le fesiitaiga o le vevela, ma fa'aitiitia ai le mamafa o le wafer.
E fetaui lelei le Coefficient of thermal expansion (CTE) ma le SiC substrates, ma fa'aitiitia ai le gau o le wafer ma le māvaevae.

3. Mausali o le Fa'akemikolo

E mautu i le vevela maualuga ma le tele o siosiomaga eseese (H₂, N₂, Ar, NH₃, ma isi).
E sili ona tete'e atu i le fa'aleagaina o le 'ele'ele, e puipuia ai le pala ma le fa'atupuina o ni vaega laiti.

4. Faatinoga o le Faiga

O se fogā'ele'ele lamolemole ma mafiafia e fa'aitiitia ai le fa'ama'ape'aina o mea laiti ma le pisia.
E faatumauina le mautu o le fua ma le gafatia e amo ai le avega pe a umi se taimi e faʻaaoga ai.

5. Tau Lelei

E 3–5 taimi le umi e fa'aaoga ai nai lo va'a kuata.
Fa'aitiitia le tele o galuega tausiga, fa'aitiitia ai le taimi e le fa'agaoioia ai ma tau o le suiina.

Talosaga

SiC EpitaxyLagolagoina o mea fa'avae SiC e 4-inisi, 6-inisi, ma le 8-inisi i le taimi o le tuputupu a'e o le epitaxial i le vevela maualuga.
Fa'agaioiga o Masini MalosiE fetaui lelei mo SiC MOSFETs, Schottky Barrier Diodes (SBDs), IGBTs, ma isi masini.
Togafitiga Fa'avevelaFa'agasologa o le fa'a'aisa, fa'a'aisa, ma le fa'akarboni.
Oksida ma Fa'asalalauina: Tulaga lagolago mautu o le wafer mo le fa'ama'aina ma le fa'asalalauina i le vevela maualuga.

Fa'amatalaga Fa'apitoa

Mea	Fa'amatalaga
Meafaitino	Silicon Carbide (SiC) mama maualuga
Tele o le Wafer	4-inisi / 6-inisi / 8-inisi (e mafai ona fetu'una'i)
Vevela Maualuga o le Fa'agaioiga.	≤ 1800°C
Fa'alauteleina o le Vevela CTE	4.2 × 10⁻⁶ /K (e latalata i le SiC substrate)
Fa'avevela o le Tafega	120–200 W/m·K
Ma'ale'ale o le fogā'ele'ele	Ra < 0.2 μm
Fa'atusatusaga	±0.1 mm
Olaga Auaunaga	≥ 3× umi atu nai lo va'a kuata

Fa'atusatusaga: Va'a Quartz vs. Va'a SiC

Fua	Va'a Kuata	Va'a SiC
Tete'e i le Vevela	≤ 1200°C, e mafai ona fesuia'i foliga i le vevela maualuga.	≤ 1800°C, mautu i le vevela
Fa'afetaui CTE ma le SiC	Tele le le fetaui, lamatiaga o le atuatuvale o le wafer	Tau tutusa lelei, fa'aitiitia ai le māvaevae o le apa
Fa'aleagaina o Mea Fa'apala	Maualuga, e fa'atupuina ai mea leaga	Foliga maualalo, lamolemole ma mafiafia
Olaga Auaunaga	Suiga pu'upu'u, soo	Umi, 3–5× umi atu le umi
Faiga Talafeagai	Epitaxy Si masani	Fa'alelei mo masini epitaxy ma le eletise SiC

Fesili Masani – Va'a Wafer Silicon Carbide (SiC)

1. O le ā le va'a SiC wafer?

O le va'a wafer SiC o se mea e feavea'i ai le semiconductor e faia i le silicon carbide mama maualuga. E fa'aaogaina e uu ma feavea'i ai wafers i taimi o faiga vevela maualuga e pei o le epitaxy, oxidation, diffusion, ma le annealing. Pe a fa'atusatusa i va'a quartz masani, o va'a wafer SiC e ofoina atu le mautu sili atu i le vevela, maualalo le fa'aleagaina, ma umi le ola tautua.

2. Aiseā e filifili ai va'a SiC wafer nai lo va'a quartz?

Tete'e atu i le vevela maualuga: Mausali e oo atu i le 1800°C pe a faatusatusa i le kuata (≤1200°C).
Fa'atusatusaga sili atu o le CTE: Latalata i mea fa'apipi'i SiC, fa'aitiitia ai le atuatuvale o le wafer ma le māvaevae.
Fa'atupuina o vaega laiti: O le fogāeleele lamolemole ma mafiafia e fa'aitiitia ai le fa'aleagaina.
Olaga umi atu: 3–5 taimi e umi atu ai nai lo va'a kuata, ma fa'aitiitia ai le tau o le umiaina.

3. O a lapopo'a o le wafer e mafai e va'a wafer SiC ona lagolagoina?

Matou te tuʻuina atu mamanu masani mo4-inisi, 6-inisi, ma le 8-inisiwafers, faatasi ai ma avanoa atoa e fetuutuunai ai e fetaui ma manaoga o tagata faatau.

4. O a faiga e masani ona faʻaaogaina ai vaʻa SiC wafer?

Tuputupu a'e epitaxial SiC
Gaosiga o masini semiconductor eletise (SiC MOSFETs, SBDs, IGBTs)
Fa'amafanafana i le vevela maualuga, fa'ama'alili, ma le fa'akarboni
Faiga o le fa'a'okesaita ma le fa'asalalauina

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E fa'apitoa le XKH i le atina'eina o tekinolosi maualuluga, gaosiga, ma le fa'atauina atu o tioata opitika fa'apitoa ma mea fou fa'akristali. O a matou oloa e tautua i mea fa'aeletoronika opitika, mea fa'aeletoronika fa'atau, ma le militeri. Matou te ofoina atu vaega opitika Sapphire, ufi tioata telefoni feavea'i, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ma semiconductor crystal wafers. Fa'atasi ai ma le tomai fa'apitoa ma meafaigaluega fa'aonaponei, matou te matua'i lelei i le fa'agasologaina o oloa e le masani ai, ma le fa'amoemoe e avea ma se pisinisi fa'atekonolosi maualuga e ta'imua i meafaitino optoelectronic.