2 inisi Silicon Carbide Wafers 6H poʻo le 4H N-ituaiga poʻo Semi-Insulating SiC Substrates
Oloa Fautuaina
4H SiC wafer N-ituaiga
Lautele: 2 inisi 50.8mm | 4 inisi 100mm | 6 inisi 150mm
Fa'atonuga: ese le axis 4.0˚ agai i le <1120> ± 0.5˚
Tete'e: <0.1 ohm.cm
Gagana: Si-foliga CMP Ra <0.5nm, C-foliga fa'apolokalame mata Ra <1 nm
4H SiC wafer Semi-insulating
Lautele: 2 inisi 50.8mm | 4 inisi 100mm | 6 inisi 150mm
Fa'asinomaga: i luga {0001} ± 0.25˚
Tete'e: >1E5 ohm.cm
Gagana: Si-foliga CMP Ra <0.5nm, C-foliga fa'apolokalame mata Ra <1 nm
1. 5G atina'e -- feso'ota'iga eletise
Feso'ota'iga paoa eletise o le fa'avae malosi mo feso'ota'iga 'au'aunaga ma nofoaga fa'avae. E maua ai le malosi eletise mo masini felauaiga eseese e faʻamautinoa ai le faʻaogaina masani o faiga fesoʻotaʻiga.
2. Fa'ato'a fa'aputuga o ta'avale malosi fou -- fa'aputu eletise o fa'aputuga
O le maualuga ma le maualuga o le mana o le faʻaogaina o le eletise eletise e mafai ona iloa e ala i le faʻaaogaina o le carbide silicon i le faʻapipiʻiina o le eletise eletise, ina ia faʻaleleia ai le saoasaoa o le faʻatonuina ma faʻaitiitia le tau o le tau.
3. Tele fa'amaumauga autu, Initoneti Alamanuia -- sapalai eletise server
O le sapalai o le eletise o le faletusi o le malosi o le server. E tu'uina atu e le 'au'aunaga le mana e fa'amautinoa ai le fa'agaioiga masani o le faiga o le server. O le faʻaaogaina o vaega eletise eletise silicon i totonu o le sapalai o le eletise e mafai ona faʻaleleia ai le malosi o le mana ma le lelei o le sapalai o le eletise, faʻaitiitia le tele o le nofoaga autu o faʻamaumauga i luga o le atoaga, faʻaititia le tau atoa o le fausiaina o le nofoaga autu o faʻamaumauga, ma ausia le maualuga o le siosiomaga. lelei.
4. Uhv - Fa'aaogāga fe'avea'i fe'avea'i DC va'ava'a
5. Va'ava'ava'ava'a va'ava'ava'a ma fe'avea'i va'ava'a va'ava'a -- fa'aliliuga toso, suiga fa'aeletonika eletise, fa'aliliu fesoasoani, sapalai eletise fesoasoani.