Substrate
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Fa'ata'ita'iga AlN i luga o le FSS 2 inisi 4 inisi NPSS/FSS AlN mo le vaega semiconductor
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Gallium Nitride (GaN) Epitaxial ua Tupu i luga o Sapphire Wafers 4 inisi 6 inisi mo MEMS
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Tioata Fa'apitoa Monocrystalline Silicon (Si) - Tele Fa'apitoa ma Ufiufi mo Optoelectronics ma Ata Infrared
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Tioata Silikoni Mamā Tasi (Si) Fa'apitoa - Tele ma Ufiufi Fa'apitoa mo Fa'aoga Infrared ma THz (1.2-7µm, 8-12µm)
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Fa'amalama Optical Type-Type Sapphire Fa'apitoa, Al2O3 Crystal Tasi, Mama Maualuga, Lapo'a 45mm, Mafiafia 10mm, Tipi ma Fa'apupula i le Laser
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Fa'amalama La'asaga Safaira Maualuga Fa'atinoga, Al2O3 Crystal Tasi, Ufi Manino, Foliga ma Tele Fa'apitoa mo Fa'aoga Optika Sa'o
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Pine Si'itia Safaira Maualuga-Fa'atinoga, Mama Al2O3 Tasi le Kilisitala mo Faiga Fa'aliliuina o Wafer - Tele Fa'apitoa, Tumau Maualuga mo Fa'aoga Sa'o
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O le Industrial Sapphire Lift Rod ma le Pin, High Hard Al2O3 Sapphire Pin mo le Wafer Handling, Radar System ma le Semiconductor Processing – Diameter 1.6mm i le 2mm
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Pin Siitia Safaira Fa'apitoa, Vaega Optika Kilisitala Tasi Al2O3 Maualuga le Ma'a'a mo le Fa'aliliuina o Wafer - Lapo'a 1.6mm, 1.8mm, E Mafai ona Fa'apitoa mo Fa'aoga Fa'apisinisi
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tioata polo safaira vasega opitika Al2O3 mea tau fesiitaiga 0.15-5.5um Dia 1mm 1.5mm
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polo safaira Dia 1.0 1.1 1.5 mo tioata polo opitika maualuga le maaa o le tioata e tasi
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safaira dia lanu safaira dia mo le uati, fa'apitoa diameter 40 38mm mafiafia 350um 550um, maualuga manino