100mm 4inch GaN i luga o le Safaira Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

Fa'amatalaga Puupuu:

Gallium nitride epitaxial pepa o se sui masani o le tupulaga lona tolu o le lautele gap gap semiconductor epitaxial material, o loʻo i ai mea sili ona lelei e pei o le vaeluaga o le vaeluaga, maualuga le malepelepe malosi o le fanua, maualuga le vevela, maualuga eletise eletise eletise, malosi malosi faʻavevela ma maualuga. mautu o vailaau.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Le faagasologa o le tuputupu aʻe o le GaN lanumoana LED quantum well structure. Fa'amatalaga fa'agasologa fa'agasologa e fa'apea

(1) O le taoina o le vevela maualuga, o le safaira substrate e muamua faʻamafanafanaina i le 1050 ℃ i totonu o le hydrogen atemosifia, o le faʻamoemoe o le faʻamamāina o le substrate;

(2) A pa'ū le vevela o le substrate i le 510 ℃, o le gaN / AlN paʻu paʻu maualalo maualalo ma le mafiafia o le 30nm e teuina i luga o le safaira substrate;

(3) O le maualuga o le vevela i le 10 ℃, o le kasa tali atu o le ammonia, trimethylgallium ma le silane o loʻo tui, faʻatonutonu le fua faatatau o le tafe, ma le N-type GaN o le 4um mafiafia ua tupu aʻe;

(4) O le kasa faʻaalia o le trimethyl alumini ma le trimethyl gallium na faʻaaogaina e saunia ai le N-type A⒑ konetineta ma le mafiafia o le 0.15um;

(5) 50nm Zn-doped InGaN na saunia e ala i le tuiina o le trimethylgallium, trimethylindium, diethylzinc ma le amonia i le vevela o le 8O0℃ ma le pulea o fua faatatau eseese;

(6) Na faʻatuputeleina le vevela i le 1020 ℃, trimethylaluminum, trimethylgallium ma bis (cyclopentadienyl) magnesium na tui e saunia 0.15um Mg doped P-ituaiga AlGaN ma 0.5um Mg doped P-ituaiga G kulukose toto;

(7) O le maualuga o le P-ituaiga GaN Sibuyan ata tifaga na maua e ala i le faʻafefe i le ea o le nitrogen i le 700 ℃;

(8) Tusia i luga o le P-ituaiga G stasis luga e faʻaalia ai le N-ituaiga G stasis luga;

(9) Fa'asao o Ni / Au fa'afeso'ota'i papatusi i luga o p-GaNI luga, fa'asao o △ / Al fa'afeso'ota'i ipu i luga ole ll-GaN luga e fausia electrodes.

Fa'amatalaga

Aitema	GaN-TCU-C100	GaN-TCN-C100
Fua	e 100 mm ± 0.1 mm
mafiafia	4.5±0.5um E mafai ona faʻapitoa
Fa'atonuga	C-vaalele(0001) ±0.5°
Ituaiga Fa'aoso	N-ituaiga (Ua le fa'asaoina)	Ituaiga N (Si-doped)
Tete'e(300K)	<0.5 Q・cm	<0.05 Q・cm
Fa'atonuga o le avefe'au	<5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3
Fe'avea'i	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs
Dislocation Density	E itiiti ifo i le 5x10⁸cm^-2(fa'atatau e FWHM a XRD)
Fa'asologa o eleele	GaN i luga o le Safaira(Tulaga: SSP Filifiliga: DSP)
Fa'aaogā Laufanua	> 90%
afifi	Faʻapipiʻiina i totonu o le vasega 100 potu mama siosiomaga, i kaseti o le 25pcs poʻo ni pusa faʻapipiʻi tasi, i lalo o se siosiomaga nitrogen.